Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 22 » Статья стр. 35
<<<>>>
Монолитный трехпереходный p-i-n AlGaAs/GaAs фотопреобразователь лазерного излучения
Калиновский В.С.1, Контрош Е.В.1, Толкачев И.А.1, Прудченко К.К.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vitak.sopt@mail.ioffe.ru, kontrosh@mail.ioffe.ru, TolkachevIA@mail.ioffe.ru, prudchenkokk@mail.ioffe.ru, Ivan@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 июня 2024 г.
В окончательной редакции: 20 июля 2024 г.
Принята к печати: 25 июля 2024 г.
Выставление онлайн: 5 ноября 2024 г.
PDF версия
Исследованы фотовольтаические характеристики гетероструктурных трехпереходных p-i-n AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователей монохроматического излучения, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии в едином технологическом процессе. Спектральная чувствительность созданных трехпереходных фотопреобразователей находилась в диапазоне длин волн 0.78-0.87 μm. В фотовольтаическом режиме достигнуты значения напряжения холостого хода 1.82 V и электрической мощности 0.34 mW/cm2 при плотностях мощности лазерного излучения ≤ 2 mW/cm2 на длине волны λ=850 nm. Полученные значения превосходят характеристики однопереходных p-i-n AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователей, созданных по идентичной технологии. Разработанные трехпереходные фотоэлектрические преобразователи могут быть использованы в системах дистанционного питания миниатюрных микросхем, в имплантируемой биоэлектронике и биосенсорах, а также в долговременных радиолюминесцентных источниках энергии. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, трехпереходный фотопреобразователь, фотовольтаические характеристики, лазерное излучение, p-i-n AlGaAs/GaAs фотопреобразователь, длина волны.
  1. P. Bhatti, Sci. Transl. Med., 7, 287ec75 (2015). DOI: 10.1126/scitransalmed.aab3974
  2. H. Helmers, C. Armbruster, M. von Ravenstein, D. Derix, C. Schoner, IEEE Trans. Power Electron., 35, 7904 (2020). DOI: 10.1109/TPEL.2020.2967475
  3. S. Fafard, F. Proulx, M.C.A. York, L.S. Richard, P.O. Provost, R. Ares, V. Amez, D.P. Masson, Appl. Phys. Lett., 109, 131107 (2016). DOI: 10.1063/1.4964120
  4. M.C.A. York, S. Fafard, J. Phys. D: Appl. Phys., 50, 173003 (2017). DOI: 10.1088/1361-6463/aa60a6
  5. J. Huang, Y. Sun, Y. Zhao, S. Yu, J. Dong, J. Xue, C. Xue, J. Wang, Y. Lu, Y. Ding, J. Semicond., 39, 044003 (2018). DOI: 10.1088/1674-4926/39/9/094006
  6. A. Wang, J. Yin, S. Yu, Y. Sun, Appl. Phys. Lett., 121, 233901 (2022). DOI: 10.1063/5.0109587
  7. Y. Hanein, J. Goding, APL Bioeng., 8, 020401 (2024). DOI: 10.1063/5.0209537
  8. К.К. Прудченко, И.А. Толкачев, Е.В. Контрош, Е.А. Силантьева, В.С. Калиновский, ЖТФ, 92 (12), 1875 (2022). DOI: 10.21883/JTF.2022.12.53754.199-22 [K.K. Prudchenko, I.A. Tolkachev, E.V. Kontrosh, E.A. Silantieva, V.S. Kalinovskii, Tech. Phys., 67 (12), 1632 (2022). DOI: 10.21883/TP.2022.12.55199.199-22]
  9. S.N. Bocharov, A.I. Isakov, Yu.Yu. Petrov, K.N. Orekhova, E.V. Dementeva, B.E. Burakov, M.V. Zamoryanskaya, Diam. Relat. Mater., 120, 108658 (2021). DOI: 10.1016/j.diamond
  10. C. Zhou, J. Zhang, X. Wang, Y. Yang, P. Xu, P. Li, L. Zhang, Z. Chen, H. Feng, W. Wu, ECS J. Solid State Sci. Technol., 10, 027005 (2021). DOI: 10.1149/2162-8777/abe423
  11. В.П. Хвостиков, В.С. Калиновский, С.В. Сорокина, О.А. Хвостикова, В.М. Андреев, Письма в ЖТФ, 45 (23), 30 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.23.48716.17941n [V.P. Khvostikov, V.S. Kalinovskii, S.V. Sorokina, O.A. Khvostikova, V.M. Andreev, Tech. Phys. Lett., 45 (12), 1197 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019120083]
  12. V.S. Kalinovskiy, E.V. Kontrosh, G.A. Gusev, A.N. Sumarokov, G.V. Klimko, S.V. Ivanov, V.S. Yuferev, T.S. Tabarov, V.M. Andreev, J. Phys.: Conf. Ser., 993, 012029 (2018). DOI: 10.1088/1742-6596/993/1/01202

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme