Исследованы фотовольтаические характеристики гетероструктурных трехпереходных p-i-n AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователей монохроматического излучения, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии в едином технологическом процессе. Спектральная чувствительность созданных трехпереходных фотопреобразователей находилась в диапазоне длин волн 0.78-0.87 μm. В фотовольтаическом режиме достигнуты значения напряжения холостого хода 1.82 V и электрической мощности 0.34 mW/cm² при плотностях мощности лазерного излучения ≤ 2 mW/cm² на длине волны λ=850 nm. Полученные значения превосходят характеристики однопереходных p-i-n AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователей, созданных по идентичной технологии. Разработанные трехпереходные фотоэлектрические преобразователи могут быть использованы в системах дистанционного питания миниатюрных микросхем, в имплантируемой биоэлектронике и биосенсорах, а также в долговременных радиолюминесцентных источниках энергии. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, трехпереходный фотопреобразователь, фотовольтаические характеристики, лазерное излучение, p-i-n AlGaAs/GaAs фотопреобразователь, длина волны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.