Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 20 » Статья стр. 16
<<<>>>
Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlGaN:Si/AlN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
Ministry of science and higher education of the Russian Federation, High output power emitters and sensitive detectors based on A1GaN nanoheterostructures for deep-ultraviolet radiation: towards biological applications (BiO-LIGHT), Agreement № 075-15-2022-1224, “BiO-LIGHT”
Семенов А.Н.1, Нечаев Д.В.1, Буренина Д.С.1, Смирнова И.П.1, Задиранов Ю.М.1, Кулагина М.М.1, Трошков С.И.1, Шмидт Н.М.1, Лихачёв А.И.1, Калиновский В.С.1, Контрош Е.В.1, Прудченко К.К.1, Нагорный А.В.2, Луценко Е.В.2, Жмерик В.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
Email: semenov@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 24 июня 2024 г.
Принята к печати: 25 июня 2024 г.
Выставление онлайн: 8 октября 2024 г.
PDF версия
Описываются солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlN/Al0.7Ga0.3N/Al0.55Ga0.45N, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках c-сапфира с буферными слоями AlN. Для оценки концентраций прорастающих дислокаций, влияющих на токи утечки и спектральную чувствительность фотодиодов, использовались рентгенодифракционный анализ и химическое травление поверхности. Оптимизация конструкции фотодиодов позволила достигнуть фоточувствительности 51 mA/W в солнечно-слепом диапазоне (λ<290 nm) в фотовольтаическом режиме. Ключевые слова: плазменно-активированная молекулярно-пучковая эпитаксия, солнечно-слепые фотодиоды Шоттки, AlGaN, прорастающие дислокации.
  1. W. Fang, Q. Li, J. Li, Y. Li, Q. Zhang, R. Chen, M. Wang, F. Yun, T. Wang, Crystals, 13 (6), 915 (2023). DOI: 10.3390/cryst13060915
  2. G. Namkoong, E. Trybus, K.K. Lee, M. Moseley, W.A. Doolittle, D.C. Look, Appl. Phys. Lett., 93 (17), 172112 (2008). DOI: 10.1063/1.3005640
  3. N. Biyikli, O. Aytur, I. Kimukin, T. Tut, E. Ozbay, Appl. Phys. Lett., 81 (17), 3272 (2002). DOI: 10.1063/1.1516856
  4. L. Gautam, J. Lee, G. Brown, M. Razeghi, IEEE J. Quantum Electron., 58 (3), 4000205 (2022). DOI: 10.1109/JQE.2022.3154475
  5. S. Pharkphoumy, V. Janardhanam, T.-H. Jang, K.-H. Shim, C.-J. Choi, Electronics, 12 (4), 1049 (2023). DOI: 10.3390/electronics12041049
  6. D.V. Nechaev, P.A. Aseev, V.N. Jmerik, P.N. Brunkov, Y.V. Kuznetsova, A.A. Sitnikova, V.V. Ratnikov, S.V. Ivanov, J. Cryst. Growth, 378, 319 (2013). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.080
  7. D.V. Nechaev, P.N. Brunkov, S.I. Troshkov, V.N. Jmerik, S.V. Ivanov, J. Cryst. Growth, 425, 9 (2015). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2015.03.055
  8. A.N. Semenov, D.V. Nechaev, D.S. Berezina, Yu.A. Guseva, M.M. Kulagina, I.P. Smirnova, Yu.M. Zadiranov, S.I. Troshkov, N.M. Shmidt, St. Petersburg Polytech. University J. Physics and Mathematic, 16 (1.3), 182 (2023). DOI: 10.18721/JPM.161.331
  9. D. Hull, D.J. Bacon, Introduction to dislocations, 5th ed. (Elsevier, 2011)
  10. T. Metzger, R. Hopler, E. Born, O. Ambacher, M. Stutzmann, R. Stommer, M. Schuster, H. Gobel, S. Christiansen, M. Albrecht, H.P. Strunk, Phil. Mag. A, 77 (4), 1013 (1998). DOI: 10.1080/01418619808221225
  11. M.W. Moseley, A.A. Allerman, M.H. Crawford, J.J. Wierer, M.L. Smith, A.M. Armstrong, J. Appl. Phys., 117 (9), 095301 (2015). DOI: 10.1063/1.4908543
  12. Z. Liliental-Weber, D. Zakharov, J. Jasinski, M.A. O'Keefe, H. Morkoc, Microsc. Microanal., 10 (1), 47 (2004). DOI: 10.1017/S1431927604040309

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme