Вышедшие номера
Субнаносекундные AlGaAs/GaAs-фотодетекторы с брэгговским отражателем
Андреев В.М.1, Калиновский В.С.1, Климко Г.В.1, Контрош Е.В.1, Малевская А.В.1, Покровский П.В.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vmandreev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 16 мая 2024 г.
Принята к печати: 18 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 31 июля 2024 г.

Приводятся результаты разработки и исследования высокоэффективных фотодетекторов лазерного излучения на основе гетероструктуры p-i-n-AlGaAs/GaAs с брэгговским отражателем, полученной методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Разработанные универсальные фотодетекторы с диаметром фоточувствительной поверхности 70 μm обеспечили получение минимальной длительности импульса фотоответа на полувысоте амплитуды 135 ps в импульсном режиме при обратном смещении 25 V. В фотовольтаическом режиме (без обратного смещения) получена величина КПД 60% при мощности лазерного излучения Plas=37 mW на длине волны 850 nm. Ключевые слова: быстродействующий фотодетектор, молекулярно-пучковая эпитаксия, AlGaAs/GaAs-гетероструктура, брэгговский отражатель, импульсное лазерное излучение.