Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Падение внешней квантовой эффективности при охлаждении и плотности шума при нагревании в InGaN-ультрафиолетовых светодиодах
Иванов А.М.
1, Клочков А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: alexandr.ivanov@mail.ioffe.ru, alex.klo@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 марта 2024 г.
В окончательной редакции: 3 мая 2024 г.
Принята к печати: 3 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 22 июля 2024 г.
Показано, что для промышленных ультрафиолетовых InGaN/GaN-светодиодов в температурном интервале от -74 до 84oC может происходить уменьшение плотности низкочастотного шума при нагревании и падение внешней квантовой эффективности при охлаждении. Наблюдаемые особенности экспериментальных зависимостей объяснены на основе физических механизмов транспорта носителей, в первую очередь туннелирования по дефектам и хвостам плотности состояний в запрещенной зоне полупроводника. Ключевые слова: низкочастотный шум, квантовая эффективность, транспорт носителей, скачковая туннельная проводимость.
- Ф.И. Маняхин, ФТП, 52 (3), 378 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45625.8341 [F.I. Manyakhin, Semiconductors, 52 (3), 359 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618030168]
- R. Abbasinejad, D. Kacprzak, Clean. Eng. Technol., 9, 100518 (2022). DOI: 10.1016/j.clet.2022.100518
- H. Xiu, Y. Zhang, J. Fu, Z. Ma, L. Zhao, J. Feng, Curr. Appl. Phys., 19 (1), 20 (2019). DOI: 10.1016/j.cap.2018.10.019
- Н.И. Бочкарева, Ю.Г. Шретер, ФТТ, 64 (3), 371 (2022). DOI: 10.21883/FTT.2022.03.52099.241 [N.I. Bochkareva, Y.G. Shreter, Phys. Solid State, 64 (3), 371 (2022). DOI: 10.21883/PSS.2022.03.53193.241]
- Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, И.И. Аникеев, А.Г. Забродский, ФТП, 56 (11), 1046 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.11.54254.9945 [N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, I.I. Anikeev, A.G. Zabrodskii, Semiconductors, 56 (11), 823 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.11.54957.9945]
- Z. Peng, W. Guo, T. Wu, Z. Guo, Y. Lu, Y. Zheng, Y. Lin, Z. Chen, IEEE Photon. J., 12 (1), 8200108 (2020). DOI: 10.1109/JPHOT.2019.2958311
- P. Tian, J.J.D. McKendry, J. Herrnsdorf, S. Watson, R. Ferreira, I.M. Watson, E. Gu, A.E. Kelly, M.D. Dawson, Appl. Phys. Lett., 105 (17), 171107 (2014). DOI: 10.1063/1.4900865
- D. Monti, M. Meneghini, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni, IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab., 16 (2), 213 (2016). DOI: 10.1109/TDMR.2016.2558473
- D.S. Arteev, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, J. Lumin., 234, 117957 (2021). DOI: 10.1016/j.jlumin.2021.117957
- А.М. Иванов, А.В. Клочков, ФТП, 56 (6), 596 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52596.9817 [A.M. Ivanov, A.V. Klochkov, Semiconductors, 56 (6), 431 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.06.53546.9817]
- Н.И. Бочкарева, А.М. Иванов, А.В. Клочков, В.А. Тарала, Ю.Г. Шретер, Письма в ЖТФ, 42 (22), 1 (2016). DOI: 10.21883/pjtf.2016.22.43932.16303 [N.I. Bochkareva, A.M. Ivanov, A.V. Klochkov, V.A. Tarala, Yu.G. Shreter, Tech. Phys. Lett., 42 (11), 1099 (2016). DOI: 10.1134/S1063785016110146]
- А.С. Павлюченко, И.В. Рожанский, Д.А. Закгейм, ФТП, 43 (10), 1391 (2009). [A.S. Pavluchenko, I.V. Rozhansky, D.A. Zakheim, Semiconductors, 43 (10), 1351 (2009). DOI: 10.1134/S1063782609100170]
- P. Sahare, B.K. Sahoo, Mater. Today: Proc., 28, 74 (2020). DOI: 10.1016/j.matpr.2020.01.303
- Н.И. Солин, С.В. Наумов, ФТТ, 45 (3), 460 (2003). [N.I. Solin, S.V. Naumov, Phys. Solid State, 45 (3), 486 (2003). DOI: 10.1134/1.1562235]
- M. Auf der Maur, B. Galler, I. Pietzonka, M. Strassburg, H. Lugauer, A. Di Carlo, Appl. Phys. Lett., 105 (13), 133504 (2014). DOI: 10.1063/1.4896970
- B. vSaulys, J. Matukas, V. Palenskis, S. Pralgauskaite, G. Kulikauskas, Acta Phys. Pol. A, 119 (4), 514 (2011). DOI: 10.12693/APhysPolA.119.514
- A.E. Chernyakov, M.E. Levinshtein, N.A. Talnishnikh, E.I. Shabunina, N.M. Shmidt, J. Cryst. Growth., 401, 302 (2014). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.11.097
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
