Вышедшие номера
Вклад области, обедненной носителями заряда, в вольт-амперную характеристику фотопреобразователей
ЮНЦ РАН, Программа фундаментальных научных исследований Минобрнауки, направление 1.3.2.2. "Структурные исследования конденсированных сред, связь структуры и свойств"., 122020100254-3
Богатов Н.М. 1, Володин В.С.1, Григорьян Л.Р.1, Коваленко М.С.1, Лунин Л.С.2
1Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
2Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: bogatov@phys.kubsu.ru, volodinvs1995@mail.ru, leonmezon@mail.ru, m.s.kovalenko@ya.ru, lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 26 апреля 2024 г.
Принята к печати: 27 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 22 июля 2024 г.

Проанализирован вклад рекомбинационного тока нерезкого n-p-перехода с диффузионным профилем легирования в вольт-амперную характеристику кремниевых фотопреобразователей. Показано, что расположение области пространственного заряда и области, обедненной носителями заряда, не совпадает. Значение электрического потенциального барьера n-p-перехода V0 равно изменению потенциала электрического поля в области, обедненной носителями заряда, а не во всей области пространственного заряда. Этот факт существенно ограничивает значения напряжения холостого хода и КПД фотопреобразователей. Ключевые слова: фотодиод, n-p-переход, область пространственного заряда, вольт-амперная характеристика.