Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Вклад области, обедненной носителями заряда, в вольт-амперную характеристику фотопреобразователей
ЮНЦ РАН, Программа фундаментальных научных исследований Минобрнауки, направление 1.3.2.2. "Структурные исследования конденсированных сред, связь структуры и свойств"., 122020100254-3
1Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия 
2Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: bogatov@phys.kubsu.ru, volodinvs1995@mail.ru, leonmezon@mail.ru, m.s.kovalenko@ya.ru, lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 26 апреля 2024 г.
Принята к печати: 27 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 22 июля 2024 г.
Проанализирован вклад рекомбинационного тока нерезкого n-p-перехода с диффузионным профилем легирования в вольт-амперную характеристику кремниевых фотопреобразователей. Показано, что расположение области пространственного заряда и области, обедненной носителями заряда, не совпадает. Значение электрического потенциального барьера n-p-перехода V0 равно изменению потенциала электрического поля в области, обедненной носителями заряда, а не во всей области пространственного заряда. Этот факт существенно ограничивает значения напряжения холостого хода и КПД фотопреобразователей. Ключевые слова: фотодиод, n-p-переход, область пространственного заряда, вольт-амперная характеристика.
- В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин, ЖТФ, 89 (5), 737 (2019). DOI: 10.21883/JTF.2019.05.47477.237-18 [V.V. Tregulov, V.G. Litvinov, A.V. Ermachikhin, Tech. Phys., 64, 686 (2019). DOI: 10.1134/S1063784219050232]
- A. Gaibov, A. Eshkulov, U. Juraev, K. Vakhobov, E3S Web of Conf., 461, 01070 (2023). DOI: 10.1051/e3sconf/202346101070
- A. Mohammed, P-N junction, technical report (2020). DOI:`10.13140/RG.2.2.13294.23363
- The physics of semiconductor devices. Springer Proceedings in Physics (Springer, 2019). DOI: 10.1007/978-3-319-97604-4
- N.M. Bogatov, L.R. Grigoryan, A.I. Kovalenko, I.I. Nesterenko, Y.A. Polovodov, J. Phys.: Conf. Ser., 1278, 01200 (2019). DOI: 10.1088/1742-6596/1278/1/012006
- Н.М. Богатов, Л.Р. Григорьян, А.И. Коваленко, М.С. Коваленко, Л.С. Лунин, Письма в ЖТФ, 47 (7), 10 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.07.50791.18596 [N.M. Bogatov, L.R. Grigor'yan, A.I. Kovalenko, M.S. Kovalenko, L.S. Lunin, Tech. Phys. Lett., 47, 326 (2021). DOI: 10.1134/S1063785021040040]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
