Вышедшие номера
Износ острия зонда в зависимости от режима взаимодействия с поверхностью образца при работе в режиме амплитудно-модуляционной атомно-силовой микроскопии
Новак А.В. 1,2, Новак В.Р. 3, Румянцев А.В. 1
1Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
2АО "Ангстрем", Зеленоград, Москва, Россия
3ООО "НТ-МДТ Спектрум Инструментс", Зеленоград, Москва, Россия
Email: novak-andrei@mail.ru, novak@ntmdt.ru, shiroc5@gmail.com
Поступила в редакцию: 7 марта 2024 г.
В окончательной редакции: 10 апреля 2024 г.
Принята к печати: 15 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2024 г.

Изучена зависимость износа острия зонда от режима силового взаимодействия с поверхностью образца при работе в режиме амплитудно-модуляционной атомно-силовой микроскопии. Найдено, что в режиме сил притяжения износ острия является незначительным в отличие от режима сил отталкивания. После десяти сканов жесткой и шероховатой поверхности пленок поликремния с полусферическими зернами (HSG-Si) в режиме притяжения радиус острия увеличился с 3 до 4 nm, а в режиме отталкивания - с 4 до 20 nm. Сделана оценка величины энергии диссипации за один период колебаний, которая составляла 2.1 eV в режиме притяжения и 98 eV в режиме отталкивания. Ключевые слова: амплитудно-модуляционная атомно-силовая микроскопия, износ острия зонда, режим сил притяжения, режим сил отталкивания, энергия диссипации.
  1. J.P. Cleveland, B. Anczykowski, A.E. Schmid, V.B. Elings, Appl. Phys. Lett., 72, 2613 (1998). DOI: 10.1063/1.121434
  2. R. Garci a, A. San Paulo, Phys. Rev. B, 60, 4961 (1999). DOI: 10.1103/PhysRevB.60.4961
  3. A. San Paulo, R. Garci a, Phys. Rev. B, 64, 193411 (2001). DOI: 10.1103/PhysRevB.64.193411
  4. R. Garci a, R. Perez, Surf. Sci. Rep., 47, 197 (2002). DOI: 10.1016/S0167-5729(02)00077-8
  5. S. Huang, Y. Tian, T. Wang, Sensors, 23, 4084 (2023). DOI: 10.3390/s23084084
  6. C. Su, L. Huang, K. Kjoller, K. Babcock, Ultramicroscopy, 97, 135 (2003). DOI: 10.1016/S0304-3991(03)00038-X
  7. V. Vahdat, D.S. Grierson, K.T. Turner, R.W. Carpick, ACS Nano, 7, 3221 (2013). DOI: 10.1021/nn403435z
  8. B. Xue, Y. Yan, Z. Hu, X. Zhao, Scanning, 36, 263 (2014). DOI: 10.1002/sca.21099
  9. А.В. Новак, В.Р. Новак, А.В. Румянцев, Изв. вузов. Электроника, 26 (3-4), 234 (2021). DOI: 10.24151/1561-5405-2021-26-3-4-234-245
  10. А.В. Новак, В.Р. Новак, Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 9, 70 (2016). DOI: 10.7868/S0207352816090109 [A.V. Novak, V.R. Novak, J. Surf. Investig., 10, 949 (2016). DOI: 10.1134/S1027451016050104]
  11. S. Santos, L. Guang, T. Souier, K. Gadelrab, M. Chiesa, Т.Р. Thomson, Rev. Sci. Instrum., 83, 043707 (2012). DOI: 10.1063/1.4704376
  12. A.G. Temiryazev, A.V. Krayev, M.P. Temiryazeva, Beilstein J. Nanotechnol., 12, 1226 (2021). DOI: 10.3762/bjnano.12.90
  13. N.F. Marti nez, R. Garci a, Nanotechnology, 17, S167 (2006). DOI: 10.1088/0957-4484/17/7/S11

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.