Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 7 » Статья стр. 39
<<<>>>
Туннельные диоды n++-GaAs:(delta-Si)/p++-Al0.4Ga0.6As:(C) для соединительных элементов многопереходных лазерных фотопреобразователей
Калиновский В.С.1, Малеев Н.А.1, Контрош Е.В.1, Васильев А.П.2, Прудченко К.К.1, Толкачев И.А.1, Малевская А.В.1, Устинов В.М.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vitak.sopt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 октября 2023 г.
В окончательной редакции: 21 декабря 2023 г.
Принята к печати: 21 декабря 2023 г.
Выставление онлайн: 6 марта 2024 г.
PDF версия
Предложен новый тип термостабильного соединительного туннельного диода с промежуточным i-слоем, перспективный для реализации высокоэффективных многопереходных лазерных фотопреобразователей. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены два типа структур туннельных диодов n++-GaAs/p++-Al0.4Ga0.6As: с промежуточным слоем i-GaAs и без него. Экспериментально продемонстрировано, что включение наноразмерного i-слоя между n++- и p++-областями туннельного диода обеспечивает рост плотности пикового туннельного тока Jp. При отжиге эпитаксиальных пластин, имитирующем длительный технологический процесс эпитаксиального роста многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения, в структуре с i-слоем наблюдается рост пикового туннельного тока Jp на 30%. Ключевые слова: математическое моделирование, соединительный туннельный диод, i-слой, молекулярно-пучковая эпитаксия, многопереходный лазерный фотопреобразователь.
  1. Д.Ф. Зайцев, В.М. Андреев, И.А. Биленко, А.А. Березовский, П.Ю. Владиславский, Ю.Б. Гурфинкель, Л.И. Цветкова, В.С. Калиновский, Н.М. Кондратьев, В.Н. Косолобов, В.Ф. Курочкин, С.О. Слипченко, Н.В. Смирнов, Б.В. Яковлев, Радиотехника, 85 (4), 153 (2021). DOI: 10.18127/j00338486-202104-17
  2. M. Ishigaki, S. Fafard, D.P. Masson, M.M. Wilkins, C.E. Valdivia, K. Hinzer, in 2017 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) (IEEE, 2017), p. 2312--2316. DOI: 10.1109/APEC.2017.7931022
  3. H. Helmers, C. Armbruster, M. von Ravenstein, D. Derix, C. Schoner, IEEE Trans. Power Electron., 35, 7904 (2020). DOI: 10.1109/TPEL.2020.2967475
  4. S. Fafard, D.P. Masson, J. Appl. Phys., 130, 160901 (2021). DOI: 10.1063/5/0070860
  5. T. Takamoto, M. Yumaguchi, E. Ikeda, T. Agui, H. Kurita, M. Al-Jassim, J. Appl. Phys., 85, 1481 (1999). DOI: 10.1063/1.369278
  6. W. Walukiewicz, Physica B, 302-303, 123 (2001). DOI: 10.1016/s0921-4526(01)00417-3
  7. В.С. Калиновский, Е.В. Контрош, Г.В. Климко, С.В. Иванов, В.С. Юферев, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, В.М. Андреев, ФТП, 54 (3), 285 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.03.49034.9298 [V.S. Kalinovskii, E.V. Kontrosh, G.V. Klimko, S.V. Ivanov, V.S. Yuferev, B.Y. Ber, D.Y. Kazantsev, V.M. Andreev, Semiconductors, 54, 355 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620030112]
  8. M. Baudrit, C. Algora, IEEE Trans. Electron Dev., 57, 2564 (2010). DOI: 10.1109/TED.2010.2061771
  9. В.А. Богданова, Н.А. Давлеткильдеев, Н.А. Семиколенова, Е.Н. Сидоров, ФТП, 36 (4), 407 (2002). [V.A. Bogdanova, N.A. Davletkil'deev, N.A. Semikolenova, E.N. Sidorov, Semiconductors, 36, 385 (2002). DOI: 10.1134/1.1469184].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme