Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100)
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: koryakinaa@spbau.ru
Поступила в редакцию: 27 сентября 2023 г.
В окончательной редакции: 27 сентября 2023 г.
Принята к печати: 18 декабря 2023 г.
Выставление онлайн: 6 марта 2024 г.
Представлены результаты исследования низкотемпературного роста нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(100). Методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии изучены морфология и структура нитевидных и пластинчатых нанокристаллов. Обнаружено, что при росте нитевидных нанокристаллов в направлении [110] граница раздела катализатора и нитевидного нанокристалла содержит две грани: InAs(111) и InAs(111). Предложена простая геометрическая модель роста нитевидного нанокристалла, объясняющая стабильность данных граней, и получены оценки для отношения скоростей движения ступеней на них. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, пластинчатые нанокристаллы, механизм роста пар-кристалл-кристалл, полупроводники AIIIBV.
- Q. Sun, H. Gao, X. Zhang, X. Yao, S. Xu, K. Zheng, P. Chen, W. Lu, J. Zou, Nanoscale, 12 (1), 271 (2020). DOI: 10.1039/C9NR08429K
- C.B. Maliakkal, M. Tornberg, D. Jacobsson, S. Lehmann, K.A. Dick, Nanoscale Adv., 3 (20), 5928 (2021). DOI: 10.1039/D1NA00345C
- V.G. Dubrovskii, Nanomaterials, 11 (9), 2378 (2021). DOI: 10.3390/nano11092378
- S.E.R. Hiscocks, W. Hume-Rothery, Proc. R. Soc. Lond. A, 282 (1390), 318 (1964). DOI: 10.1098/rspa.1964.0235
- Р.Р. Резник, Г.Э. Цырлин, И.В. Штром, А.И. Хребтов, И.П. Сошников, Н.В. Крыжановская, Э.И. Моисеев, А.Е. Жуков, Письма в ЖТФ, 44 (3), 55 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.03.45579.16991 [R.R. Reznik, G.E. Cirlin, I.V. Shtrom, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, A.E. Zhukov, Tech. Phys. Lett., 44 (2), 112 (2018). DOI: 10.1134/S1063785018020116]
- A.A. Koryakin, S.A. Kukushkin, K.P. Kotlyar, E.D. Ubyivovk, R.R. Reznik, G.E. Cirlin, CrystEngComm, 21 (32), 4707 (2019). DOI: 10.1039/C9CE00774A
- Z. Zhang, Z. Lu, H. Xu, P. Chen, W. Lu, J. Zou, Nano Res., 7 (11), 1640 (2014). DOI: 10.1007/s12274-014-0524-x
- A. Kelrich, O. Sorias, Y. Calahorra, Y. Kauffmann, R. Gladstone, S. Cohen, M. Orenstein, D. Ritter, Nano Lett., 16 (4), 2837 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b00648
- T. Akiyama, K. Sano, K. Nakamura, T. Ito, Jpn. J. Appl. Phys., 45 (9), L275 (2006). DOI: 10.1143/JJAP.45.L275
- J.W. Faust, A. Sagar, H.F. John, J. Electrochem. Soc., 109 (9), 824 (1962). DOI: 10.1149/1.2425562
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
