Нагрев квантового каскадного лазера при импульсной накачке: теория и эксперимент
Врубель И.И.1, Черотченко Е.Д.1, Михайлов Д.А.1, Новиков И.И.2, Папылев Д.С.2, Чистяков Д.В.1, Дерягин Н.Г.1, Мыльников В.Ю.1, Абдулразак С.Х.1, Дюделев В.В.1, Соколовский Г.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: echerotchenko@gmail.com
Поступила в редакцию: 20 ноября 2023 г.
В окончательной редакции: 13 декабря 2023 г.
Принята к печати: 13 декабря 2023 г.
Выставление онлайн: 6 марта 2024 г.
Рассмотрены особенности температурного режима работы активной области квантового каскадного лазера при импульсной токовой накачке. Показано, что при уменьшении крутизны переднего фронта импульса накачки значение порогового тока сдвигается в сторону больших значений на десятки миллиампер, что связано с интенсивным нагревом активной области квантового каскадного лазера в первые моменты времени после начала накачки. Для описания эксперимента предложена модель, основанная на термодиффузионном приближении. Исследование временной зависимости интенсивности излучения лазера показывает, что в интервале сотен наносекунд после начала импульса накачки активируется передача мощности в основной теплоотвод системы, при этом его эффективность достигает 50-75% от полной потребляемой мощности, что значительно снижает скорость нагрева активной области. Ключевые слова: интегральная оптика, квантово-каскадный лазер.
- Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис, ФТП, 5 (4), 797 (1971). [R. Kazarinov, R. Suris, Sov. Phys. Semicond., 5 (4), 707 (1971).]
- J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, C. Sirtori, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho, Science, 264 (5158), 553 (1994). DOI: 10.1126/science.264.5158.553
- P.I. Abramov, E.V. Kuznetsov, L.A. Skvortsov, M.I. Skvortsova, J. Appl. Spectrosc., 86 (1), 1 (2019). DOI: 10.1007/s10812-019-00775-8
- R.J. Grasso, Proc. SPIE, 9933, 99330F (2016). DOI: 10.1117/12.2238963
- B. Panda, A. Pal, S. Chakraborty, M. Pradhan, Infrared Phys. Technol., 125, 104261 (2022). DOI: 10.1016/j.infrared.2022.104261
- X. Pang, O. Ozolins, L. Zhang, R. Schatz, A. Udalcovs, X. Yu, G. Jacobsen, S. Popov, J. Chen, S. Lourdudoss, Phys. Status Solidi A, 218 (3), 2000407 (2021). DOI: 10.1002/pssa.202000407
- A. Evans, S.R. Darvish, S. Slivken, J. Nguyen, Y. Bai, M. Razeghi, Appl. Phys. Lett., 91 (7), 071101 (2007). DOI: 10.1063/1.2770768
- F. Wang, S. Slivken, D.H. Wu, M. Razeghi, Opt. Express, 28 (12), 17532 (2020). DOI: 10.1364/OE.394916
- E. Cherotchenko, V. Dudelev, D. Mikhailov, G. Savchenko, D. Chistyakov, S. Losev, A. Babichev, A. Gladyshev, I. Novikov, A. Lutetskiy, D. Veselov, S. Slipchenko, D. Denisov, A. Andreev, I. Yarotskaya, K. Podgaetskiy, M. Ladugin, A. Marmalyuk, N. Pikhtin, L. Karachinsky, V. Kuchinskii, A. Egorov, G. Sokolovskii, Nanomaterials, 12 (22), 3971 (2022). DOI: 10.3390/nano12223971
- А.В. Бабичев, В.В. Дюделев, А.Г. Гладышев, Д.А. Михайлов, А.С. Курочкин, Е.С. Колодезный, В.Е. Бугров, В.Н. Неведомский, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, Д.В. Денисов, А.С. Ионов, С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Г.С. Соколовский, А.Ю. Егоров, Письма в ЖТФ, 45 (14), 48 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.14.48025.17824 [A.V. Babichev, V.V. Dudelev, A.G. Gladyshev, D.A. Mikhailov, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, V.E. Bougrov, V.N. Nevedomskiy, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, D.V. Denisov, A.S. Ionov, S.O. Slipchenko, A.V. Lutetskiy, N.A. Pikhtin, G.S. Sokolovskii, A.Yu. Egorov, Tech. Phys. Lett., 45 (7), 735 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019070174]
- А.В. Бабичев, А.Г. Гладышев, А.В. Филимонов, В.Н. Неведомский, А.С. Курочкин, Е.С. Колодезный, Г.С. Соколовский, В.Е. Бугров, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, A. Bousseksou, А.Ю. Егоров, Письма в ЖТФ, 43 (14), 64 (2017). DOI: 10.21883/PJTF.2017.14.44833.16776 [A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, A.V. Filimonov, V.N. Nevedomskii, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, G.S. Sokolovskii, V.E. Bugrov, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A. Bousseksou, A.Yu. Egorov, Tech. Phys. Lett., 43 (7), 666 (2017). DOI: 10.1134/S1063785017070173]
- В.В. Дюделев, Д.А. Михайлов, А.В. Бабичев, А.Д. Андреев, С.Н. Лосев, Е.А. Когновицкая, Ю.К. Бобрецова, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, А.Г. Гладышев, Д.В. Денисов, И.И. Новиков, Л.Я. Карачинский, В.И. Кучинский, А.Ю. Егоров, Г.С. Соколовский, Квантовая электроника, 50 (2), 141 (2020). [V.V. Dudelev, D.A. Mikhailov, A.V. Babichev, A.D. Andreev, S.N. Losev, E.A. Kognovitskaya, Yu.K. Bobretsova, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, A.G. Gladyshev, D.V. Denisov, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, V.I. Kuchinskii, A.Yu. Egorov, G.S. Sokolovskii, Quantum Electron., 50 (2), 141 (2020). DOI: 10.1070/QEL17168]
- В.В. Дюделев, Е.Д. Черотченко, И.И. Врубель, Д.А. Михайлов, Д.В. Чистяков, В.Ю. Мыльников, С.Н. Лосев, Е.А. Когновицкая, А.В. Бабичев, А.В. Лютецкий, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, А.В. Абрамов, А.Г. Гладышев, К.А. Подгаецкий, А.Ю. Андреев, И.В. Яроцкая, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, И.И. Новиков, В.И. Кучинский, Л.Я. Карачинский, А.Ю. Егоров, Г.С. Соколовский, УФН, 194 (1), 98 (2024). DOI: 10.3367/UFNr.2023.05.039543 [V.V. Dudelev, E.D. Cherotchenko, I.I. Vrubel, D.A. Mikhailov, D.V. Chistyakov, V.Yu. Mylnikov, S.N. Losev, E.A. Kognovitskaya, A.V. Babichev, A.V. Lutetskiy, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, A.V. Abramov, A.G. Gladyshev, K.A. Podgaetskiy, A.Yu. Andreev, I.V. Yarotskaya, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, I.I. Novikov, V.I. Kuchinskii, L.Ya. Karachinsky, A.Yu. Egorov, G.S. Sokolovskii, Phys. Usp., 67 (1) (2024). DOI: 10.3367/UFNe.2023.05.039543]
- S. Adachi, Physical properties of III-V semiconductor (John Wiley \& Sons, 1992)
- H.Y. Lee, J.S. Yu, Appl. Phys. B, 106 (3), 619 (2012). DOI: 10.1007/s00340-011-4744-4.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.