Исследование влияния термообработки и электронагрузки на основные характеристики тонкопленочных термисторов со слоевой структурой
Russian Science Foundation , 22-29-20122
Government of the Nizhny Novgorod region
Белов А.И.
1, Новожилов В.Н.
1, Сидоренко К.В.
11Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: belov@nifti.unn.ru, nvn@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2023 г.
В окончательной редакции: 6 декабря 2023 г.
Принята к печати: 6 декабря 2023 г.
Выставление онлайн: 21 февраля 2024 г.
Методом магнетронного напыления создан слоевой вариант термистора, в котором рабочий слой полупроводниковой пленки шпинельной фазы наносится на предварительно сформированную на подложке поликора металлическую пленку, образующую внутренний электрод. Исследовано влияние режимов термообработки и электронагрузки на основные характеристики полученных термисторов. Установлено, что переход к слоевой структуре позволяет получить чип-термисторы с сопротивлением менее 100 Ω с сохранением высокой температурной нелинейности сопротивления. После температурной обработки при 400-500oC термисторы приобретают на два-три порядка большее сопротивление и ярко выраженную полевую нелинейность, определяющую сильную зависимость сопротивления от приложенного напряжения. Образцы термисторов с внутренним электродом из Ni и особенно из NiCr после отжига при 500oC проявляют высокую устойчивость к экстремальным электрическим нагрузкам в единицы ватт. Ключевые слова: термистор, магнетронное распыление, электрические свойства, нелинейные свойства, полупроводниковые оксиды.
- A. Feteira, J. Am. Ceram. Soc., 92, 967 (2009). DOI: 10.1111/j.1551-2916.2009.02990.x
- L. He, Z.Y. Ling, Y.T. Huang, Y.S. Liu, Mater. Lett., 65, 1632 (2011). DOI: 10.1063/1.3596454
- L. Chen, Q.N. Zhang, J.C. Yao, J.H. Wang, W.W. Kong, C.P. Jiang, A.M. Chang, Small, 12, 5027 (2016). DOI: 10.1002/smll.201600470
- W. Di, F. Liu, T. Lin, H. Kong, C. Meng, W. Zhang, Y. Chen, Y. Hou, Appl. Surf. Sci., 447, 287 (2018). DOI: 10.1016/j.apsusc.2018.03.200
- Q. Shi, W. Ren, W. Kong, B. Gao, L. Wang, C. Ma, A. Chang, L. Bian, J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 28, 9876 (2017). DOI: 10.1007/s10854-017-6742-8
- Y. Yin, J. Wu, W. Zhou, W. Ma, L. Jiang, Y. Gao, Z. Huang, J. Alloys Compd., 822, 153705 (2020). DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.153705
- И.Т. Шефтель, Терморезисторы (Наука, М, 1973)
- Ф. Медведев, П. Никитин, Г. Текстер-Проскурякова, С. Тесленко, Электроника: наука, технология, бизнес, N 6 (42), 10 (2002)
- Х.С. Валеев, В.Б. Квасков, Нелинейные металлооксидные полупроводники (Энергоиздат, М., 1983)
- V. Novozhilov, A. Belov, Int. J. Mol. Sci., 24, 742 (2023). DOI: 10.3390/ijms24010742
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
