Изготовлен алмазный светоизлучающий p-i-n-диод на основе легированного азотом синтетического монокристалла алмаза (n-тип проводимости), выращенного при высоком давлении и температуре, и тонких слоев, выращенных методом гомоэпитаксиального роста из газовой фазы: i-слоя слаболегированного алмаза с азот-вакансионными оптически активными центрами и слоя, сильно легированного бором (p-тип проводимости). Впервые исследованы вольт-амперные характеристики и спектры электролюминесценции при температурах в диапазоне 300-680^oC. Спектр излучения при T=450^oC имеет максимум в области 590-610 nm и аналогичен спектрам электролюминесценции азот-вакансионных центров, наблюдавшимся ранее при комнатной температуре в алмазных p-i-n-диодах с n-слоями, легированными фосфором. Интенсивность излучения возрастает пропорционально электрической мощности тока диода. Ключевые слова: легированный азотом алмаз, алмазный p-i-n-диод, вольт-амперные характеристики, электролюминесценция, высокие температуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.