Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Контактные системы для фотоэлектрических преобразователей на основе InGaAsP/InP
Потапович Н.С.
1, Малевская А.В.1, Солдатенков Ф.Ю.1, Хвостиков В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: nspotapovich@mail.ioffe.ru, amalevskaya@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 октября 2023 г.
В окончательной редакции: 27 ноября 2023 г.
Принята к печати: 28 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 9 февраля 2024 г.
Выполнены исследования влияния режимов формирования контактных систем на основе Pd-Ge-Au и Au(Ge)-Ni-Au к InGaAsP n-типа проводимости и NiCr-Ag-Au к InGaAsP и InP p-типа проводимости на величину удельного переходного контактного сопротивления. Достигнуты низкие значения удельного переходного контактного сопротивления ~ 10-7 Ω· cm2 при использовании контактной системы Au(Ge)-Ni-Au (при температуре вжигания 420-440oC) и ~ 10-6 Ω· cm2 при напылении Pd-Ge-Au (при пониженных температурах вжигания <200oC) для составов твердого раствора n-InGaAsP с низким содержанием фосфора. Для образцов p-InGaAsP с контактной системой NiCr-Ag-Au минимальное контактное сопротивление составило ~ 10-6 Ω· cm2 при температурах отжига 460oC. Ключевые слова: контактные системы, InGaAsP/InP, термический отжиг, гетероструктуры, фотоэлектрические преобразователи.
- C.A. Schafer, D. Gray, Acta Astron., 79, 140 (2012). DOI: 10.1016/j.actaastro.2012.04.010
- Н.С. Потапович, М.В. Нахимович, В.П. Хвостиков, ФТП, 55 (11), 1091 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51566.9688 [N.S. Potapovich, M.V. Nakhimovich, V.P. Khvostikov, Semiconductors, 56 (13), 2068 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.13.53907.9688]
- X. Jiang, M.A. Itzler, R. Ben-Michael, K. Slomkowski, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 13 (4), 895 (2007). DOI: 10.1109/JSTQE.2007.903001
- H.J. Levinson, Principles of lithography, 3rd ed. (SPIE, Washington, 2010), p. 504
- N.A. Kalyuzhnyy, A.V. Malevskaya, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, M.V. Nakhimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev, Solar Energy Mater. Solar Cells, 262, 112551 (2023). DOI: 10.1016/j.solmat.2023.112551
- A. Zekry, A.Y. Al-Mazroo, IEEE Trans. Electron Dev., 43 (5), 691 (1996). DOI: 10.1109/16.491244
- А.В. Малевская, Ю.М. Задиранов, А.А. Блохин, В.М. Андреев, Письма в ЖТФ, 45 (20), 15 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.20.48386.17916 [A.V. Malevskaya, Yu.M. Zadiranov, A.A. Blokhin, V.M. Andreev, Tech. Phys. Lett., 45, 1024 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019100262]
- P.H. Hao, L.C. Wang, F. Deng, S.S. Lau, J.Y. Cheng, J. Appl. Phys., 79, 4211 (1996). DOI: 10.1063/1.361788
- L.C. Wanga, P.H. Hao, J.Y. Cheng, F. Deng, S.S. Lau, J. Appl. Phys., 79, 4216 (1996). DOI: 10.1063/1.361789
- D.M. Mitin, F.Yu. Soldatenkov, A.M. Mozharov, A.A. Vasil'ev, V.V. Neplokh, I.S. Mukhin, Nanosystems: physics, chemistry, mathematics, 9 (6), 789 (2018). DOI: 10.17586/2220-8054-2018-9-6-789-792
- В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, О.А. Хвостикова, Н.Х. Тимошина, Н.С. Потапович, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, В.М. Андреев, ФТП, 47 (2), 273 (2013). [V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, O.A. Khvostikova, N.Kh. Timoshina, N.S. Potapovich, B.Ya. Ber, D.Yu. Kazantsev, V.M. Andreev, Semiconductors, 47, 307 (2013). DOI: 10.1134/S1063782613020139]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
