Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 4 » Статья стр. 43
<<<
Тиристорные ключи на основе гетеро- и гомоструктур (Al)GaAs/GaAs для генерации наносекундных импульсов тока с высокой частотой
Слипченко С.О.1, Подоскин А.А. 1, Шушканов И.В.1, Крючков В.А.1, Ризаев А.Э.1, Кондратов М.И.1, Гришин А.Е.1, Пихтин Н.А.1, Багаев Т.А.1,2, Светогоров В.Н.2, Ладугин М.А.2, Мармалюк А.А.2, Симаков В.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Email: podoskin@mail.ioffe.ru, SergHPL@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 октября 2023 г.
В окончательной редакции: 20 ноября 2023 г.
Принята к печати: 22 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 31 января 2024 г.
PDF версия
Разработаны и исследованы низковольтные тиристорные токовые ключи для генерации высокочастотной последовательности токовых импульсов. Максимальная частота (400 kHz при 35 V) продемонстрирована для структуры гомотиристора GaAs (HoT). Гетероструктура тиристора с AlGaAs-барьером (HeT) демонстрировала меньший ток удержания; как следствие, максимальная частота достигала 170 kHz при 10 V. Для максимальных напряжений 55 V частоты достигали 55 и 40 kHz для структур HоT и HеT соответственно. При этом в контуре генерировались импульсы тока длительностью 3.5 ns и амплитудой 24 А. Ключевые слова: тиристор, токовый ключ.
  1. R.H. Hadfield, J. Leach, F. Fleming, D.J. Paul, C.H. Tan, J.S. Ng, R.K. Henderson, G.S. Buller, Optica, 10 (9), 1124 (2023). DOI: 10.1364/OPTICA.488853
  2. A. Klehr, A. Liero, H. Christopher, H. Wenzel, A. Maab dorf, P Della Casa, J. Fricke, A. Ginolas, A. Knigge, Semicond. Sci. Technol., 35 (6), 065016 (2020). DOI: 10.1088/1361-6641/ab8397
  3. I.A. Prudaev, S.N. Vainshtein, M.G. Verkholetov, V.L. Oleinik, V.V.Kopyev, IEEE Trans. Electron Dev., 68 (1), 57 (2021). DOI: 10.1109/TED.2020.3039213
  4. S. Vainshtein, G. Duan, T. Rahkonen, Z. Taylor, V. Zemlyakov, V. Egorkin, T. Skotnicki, W. Knap, Results Phys., 19, 103509 (2020). DOI: 10.1016/j.rinp.2020.103509
  5. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.S. Golovin, M.G. Rastegaeva, N.V. Voronkova, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Padalitsa, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, IEEE Photon. Technol. Lett., 33 (1), 11 (2020). DOI: 10.1109/LPT.2020.3040026
  6. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.V. Zolotarev, L.S. Vavilova, A.Yu. Leshko, M.G. Rastegaeva, I.V. Miroshnikov, I.S. Shashkin, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Padalitsa, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, Bull. Lebedev Phys. Inst., 50 (Suppl 5), S527 (2023). DOI: 10.3103/S1068335623170141
  7. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, D.A. Veselov, V.V. Zolotarev, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov, IEEE Trans. Electron Dev., 63 (8), 3154 (2016). DOI: 10.1109/TED.2016.2582700

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme