Вышедшие номера
Исследование соотношения активных и реактивных потерь в дрейфовых диодах с резким восстановлением в зависимости от их режима работы
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , 075-15-2020-790
Черенёв М.Н. 1,2, Кардо-Сысоев А.Ф. 2, Люблинский А.Г. 2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: max50055@icloud.com
Поступила в редакцию: 12 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 14 июля 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 15 декабря 2023 г.

Проведено экспериментальное исследование и выполнено численное моделирование зависимости потерь энергии от плотности обратного тока при переключении кремниевой p+-p-n-n+-структуры (дрейфового диода с резким восстановлением) из проводящего состояния в блокирующее. Отдельно рассчитаны активная и реактивная составляющие потерь энергии, их соотношение в зависимости от параметров режима переключения. Показано, что при малых плотностях обратного тока структура возвращает в систему до 90% затраченной на восстановление напряжения на диоде энергии. С увеличением плотности обратного тока доля активной составляющей потерь энергии увеличивается. Ключевые слова: дрейфовый диод с резким восстановлением, наносекундные импульсы напряжения, силовые диоды, потери энергии.
  1. A.F. Kardo-Sysoev, in Ultra-wideband radar technology, ed. by J.D. Taylor (CRC Press, Boca Raton-London-N.Y.-Washington, 2001), p. 214--299
  2. I.V. Grekhov, V.M. Efanov, A.F. Kardo-Sysoev, S.V. Shenderey, Solid-State Electron., 28 (6), 597 (1985). DOI: 10.1016/0038-1101(85)90130-3
  3. V.A. Ilyin, A.V. Afanasyev, Yu.S. Demin, B.V. Ivanov, A.F. Kardo-Sysoev, V.V. Luchinin, S.A. Reshanov, A. Schoner, K.A. Sergushichev, A.A. Smirnov, Mater. Sci. Forum, 924, 841 (2018). DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.841
  4. И.В. Грехов, Г.А. Месяц, УФН, 175 (7), 735 (2005). DOI: 10.3367/UFNr.0175.200507c.0735 [I.V. Grekhov, G.A. Mesyats, Phys. Usp., 48 (7), 703 (2005). DOI: 10.1070/pu2005v048n07abeh002471]
  5. X. Yang, Y. Li, H. Wang, Z. Li, Z. Ding, J. Appl. Phys., 109 (1), 014917 (2011). DOI: 10.1063/1.3531624
  6. A.G. Lyublinsky, S.V. Korotkov, Y.V. Aristov, D.A. Korotkov, IEEE Trans. Plasma Sci., 41 (10), 2625 (2013). DOI: 10.1109/TPS.2013.2264328
  7. Y. Sharabani, I. Shafir, S. Zoran, A. Raizman, A. Sher, Y. Rosenwaks, D. Eger, IEEE Electron Dev. Lett., 37 (8), 1041 (2016). DOI: 10.1109/LED.2016.2584541
  8. A.G. Lyublinsky, A.F. Kardo-Sysoev, M.N. Cherenev, M.I. Vexler, IEEE Trans. Power Electron., 37 (6), 6271 (2022). DOI: 10.1109/TPEL.2021.3139536
  9. D.M. Caughey, R.E. Thomas, Proc. IEEE, 55 (12), 2192 (1967). DOI: 10.1109/PROC.1967.6123
  10. J. Dorkel, Ph. Leturcq, Solid-State Electron., 24 (9), 821 (1981). DOI: 10.1016/0038-1101(81)90097-6
  11. D.J. Roulston, N.D. Arora, S.G. Chamberlain, IEEE Trans. Electron Dev., 29 (2), 284 (1982). DOI: 10.1109/T-ED.1982.20697
  12. M.E. Law, E. Solley, M. Liang, D.E. Burk, IEEE Electron Dev. Lett., 12 (8), 401 (1991). DOI: 10.1109/55.119145
  13. J.G. Fossum, D.S. Lee, Solid-State Electron., 25 (8), 741 (1982). DOI: 10.1016/0038-1101(82)90203-9

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.