Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоэдс на поверхности сильнолегированного p+-GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода
Российский научный фонд, 23-72-30003
Хорошилов В.С.
1,2, Казанцев Д.М.
1,2, Рожков С.А.
1,2, Альперович В.Л.
1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: khoros@isp.nsc.ru, dmkazantsev@isp.nsc.ru, rozhkovs@isp.nsc.ru, alper_v@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 августа 2023 г.
В окончательной редакции: 15 сентября 2023 г.
Принята к печати: 15 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 16 октября 2023 г.
Разработана новая методика измерения поверхностной фотоэдс, основанная на зависимости квантового выхода фотоэмиссии от величины изгиба зон. С помощью этой методики изучена эволюция фотоэдс в сильнолегированном p+-GaAs (6·1018 cm-3) при адсорбции цезия и кислорода. Обнаружены обратимые изменения величины фотоэдс, которые качественно отличаются от наблюдавшихся ранее на слаболегированных образцах и объясняются вариациями скорости поверхностной рекомбинации при формировании и распаде двумерных цезиевых кластеров. Ключевые слова: фотоэмиссия, поверхностная фотоэдс, GaAs, фотолюминесценция, отрицательное электронное сродство.
- Р.Л. Белл, Эмиттеры с отрицательным электронным сродством (Энергия, М., 1978), с. 84--102. [R.L. Bell, Negative electron affinity devices (Clarendon, Oxford, 1973), p. 65--76]
- L. Kronik, Y. Shapira, Surf. Sci. Rep., 37, 1 (1999). DOI: 10.1016/S0167-5729(99)00002-3
- A. Herrera-Gomez, G. Vergara, W.E. Spicer, J. Appl. Phys., 79, 7318 (1996). DOI: 10.1063/1.361448
- V.L. Alperovich, A.G. Paulish, A.S. Terekhov, Phys. Rev. B, 50, 5480 (1994). DOI: 10.1103/PhysRevB.50.5480
- V.L. Alperovich, A.G. Paulish, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov, Appl. Phys. Lett., 66, 2122 (1995). DOI: 10.1063/1.113923
- H. Shen, M. Dutta, J. Appl. Phys., 78, 2151 (1995). DOI: 10.1063/1.360131
- O.E. Tereshchenko, V.L. Alperovich, A.G. Zhuravlev, A.S. Terekhov, D. Paget, Phys. Rev. B, 71, 155315 (2005). DOI: 10.1103/PhysRevB.71.155315
- A.G. Zhuravlev, A.S. Romanov, V.L. Alperovich, Appl. Phys. Lett., 105, 251602 (2014). DOI: 10.1063/1.4904986
- L.B. Jones, H.E. Scheibler, S.N. Kosolobov, A.S. Terekhov, B.L. Militsyn, T.C.Q. Noakes, J. Phys. D: Appl. Phys., 54, 205301 (2021). DOI: 10.1088/1361-6463/abe1e9
- C. Laubschat, M. Prietsch, M. Domke, E. Weschke, E. Remmers, T. Mandel, E. Ortega, G. Kaindl, Phys. Rev. Lett., 62, 1306 (1989). DOI: 10.1103/PhysRevLett.62.1306
- T. Kanata, M. Matsunaga, H. Takakura, Y. Hamakawa, T. Nishino, J. Appl. Phys., 68, 5309 (1990). DOI: 10.1063/1.347023
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
