Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Многоуровневые мемристорные структуры на основе a-Si с повышенной устойчивостью резистивного переключения и малыми токами потребления
Russian Science Foundation , 22-19-00171
1Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Россия 
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: ichetkin.d@haclever.org, maksimshiraev@mail.ru, tororo@bk.ru, dr.beefheart@gmail.com, vvrylkov@mail.ru
Поступила в редакцию: 30 июня 2023 г.
В окончательной редакции: 5 сентября 2023 г.
Принята к печати: 11 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 2 октября 2023 г.
С использованием технологий магнетронного осаждения и термического напыления синтезированы мемристорные структуры Сr/Cu-Ag/a-Si/естественный оксид SiOx/p++-Si, обладающие повышенной устойчивостью к резистивным переключениям (более 104 циклов записи/стирания), что на несколько порядков выше, чем сообщалось ранее. При этом структуры демонстрируют многоуровневый характер переключений при токах потребления до 1 μA и обладают временем хранения резистивных состояний не менее 10 min. Обсуждается возможный механизм формирования стабильных резистивных переключений. Ключевые слова: мемристор, a-Si, магнетронное осаждение, многоуровневый характер переключений, малые токи потребления. DOI: 10.61011/PJTF.2023.20.56346.19672
- D. Ielmini, Microelectron. Eng., 190, 44 (2018). DOI: 10.1016/j.mee.2018.01.009
- Q. Xia, J.J. Yang, Nat. Mater., 18, 309 (2019). DOI: 10.1038/s41563-019-0291-x
- F. Zahoor, T.Z.A. Zulkifli, F.A. Khanday, Nanoscale Res. Lett., 15, 90 (2020). DOI: 10.1186/s11671-020-03299-9
- A.V. Emelyanov, K.E. Nikiruy, A.V. Serenko, A.V. Sitnikov, M.Yu. Presnyakov, R.B. Rybka, A.G. Sboev, V.V. Rylkov, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk, V.A. Demin, Nanotechnology, 31, 045201 (2020). DOI: 10.1088/1361-6528/ab4a6d
- W. Huang, X. Xia, C. Zhu, P. Steichen, W. Quan, W. Mao, J. Yang, L. Chu, X. Li, Nano-Micro Lett., 13, 85 (2021). DOI: 10.1007/s40820-021-00618-2
- V.A. Demin, D.V. Nekhaev, I.A. Surazhevsky, K.E. Nikiruy, A.V. Emelyanov, S.N. Nikolaev, V.V. Rylkov, M.V. Kovalchuk, Neural Networks, 134, 64 (2021). DOI: 10.1016/j.neunet.2020.11.005
- M. Lanza, A. Sebastian, W.D. Lu, M.L. Gallo, M.-F. Chang, D. Akinwande, F.M. Puglisi, H.N. Alshareef, M. Liu, J.B. Roldan, Science, 376, 1066 (2022). DOI: 10.1126/science.abj9979
- A.N. Matsukatova, A.I. Ilyasov, K.E. Nikiruy, E.V. Kukueva, A.L. Vasiliev, B.V. Goncharov, A.V. Sitnikov, M.L. Zanaveskin, A.S. Bugaev, V.A. Demin, V.V. Rylkov, A.V. Emelyanov, Nanomaterials, 12, 3455 (2022). DOI: 10.3390/nano12193455
- Metal oxides for non-volatile memories: materials, technology and applications, ed. by I. Valov, P. Dimitrakis, S. Tappertzhofen (Elsevier, 2022), ch. 4-7
- H. Yeon, P. Lin, Ch. Choi, S.H. Tan, Y. Park, D. Lee, J. Lee, F. Xu, B. Gao, H. Wu, H. Qian, Y. Nie, S. Kim, J. Kim, Nat. Nanotechnol., 15, 574 (2020). DOI: 10.1038/s41565-020-0694-5
- Z. Ma, J. Ge, W. Chen, X. Cao, Sh. Diao, Zh. Liu, Sh. Pan, ACS Appl. Mater. Interfaces, 14, 21207 (2022). DOI: 10.1021/acsami.2c03266
- W. Banerjee, Q. Liu, H. Hwang, J. Appl. Phys., 127, 051101 (2020). DOI: 10.1063/1.5136264
- J.D. McBrayer, R.M. Swanson, T.W. Sigmon, J. Electrochem. Soc., 133, 1242 (1986). DOI: 10.1149/1.2108827
- M.M. Jassim, A.O. Hussain, Iraqi J. Appl. Phys., 17, 21 (2021). https://www.iasj.net/iasj/download/7a47cc37d5518401
- M.N. Martyshov, A.V. Emelyanov, V.A. Demin, K.E. Nikiruy, A.A. Minnekhanov, S.N. Nikolaev, A.N. Taldenkov, A.V. Ovcharov, M.Yu. Presnyakov, A.V. Sitnikov, A.L. Vasiliev, P.A. Forsh, A.B. Granovskiy, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk, V.V. Rylkov, Phys. Rev. Appl., 14, 034016 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevApplied.14.034016
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
