Исследования радиационной стойкости гетероструктурных кремниевых солнечных элементов
Калиновский В.С.1, Теруков Е.И.1,2, Прудченко К.К.1, Базелей А.А.2, Контрош Е.В.1, Толкачев И.А.1, Титов А.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия
Email: prudchenkokk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 марта 2023 г.
В окончательной редакции: 7 июня 2023 г.
Принята к печати: 8 июня 2023 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2023 г.
Исследована радиационная стойкость разных типов гетероструктурных кремниевых солнечных элементов при облучении электронами с энергией 1 MeV в диапазоне флюенсов 2.5· 1014-1· 1015 cm-2. Исследования показали, что наименьшую деградацию токов "насыщения" диффузионного механизма токопрохождения с J0d≤ 5· 10-13 A/сm2 до J0d≤ 3· 10-12 A/сm2 и КПД с 19.2 до 13.6% (АМ0, 1367 W/m2) имели образцы структур n-α-Si:H/c-p(Ga)/p- α-Si:H и n-μ c-Si:H/c-p(Ga)/p -α-Si:H. Полученные результаты позволяют оценить перспективы применения гетероструктурных кремниевых солнечных элементов для низкоорбитальных космических аппаратов. Ключевые слова: гетероструктурные кремниевые солнечные элементы, токи "насыщения", КПД, радиационная стойкость, электроны с энергией 1 MeV, низкоорбитальная спутниковая связь.
- M. Yamaguchi, K.-H. Lee, K. Araki, N. Kojima, Y. Okuno, M. Imaizumi, in 2019 IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conf. (PVSC) (IEEE, 2019), p. 2377. DOI: 10.1109/PVSC40753.2019.8981219
- Y. Liu, Y. Li, Y. Wu, G. Yang, L. Mazzarella, P. Procel-Moya, A.C. Tamboli, K. Weber, M. Boccard, O. Isabella, X. Yang, B. Sun, Mater. Sci. Eng. R, 142 100579 (2020). DOI: 10.1016/j.mser.2020.100579
- W.M. Alkharasani, N. Amin, S.A. Shahahmadi, A.A. Alkahtani, I.S. Mohamad, P. Chelvanathan, T.S. Kiong, Materials, 15, 3508 (2022). DOI: 10.3390/ma15103508
- W. Long, S. Yin, F. Peng, M. Yang, L. Fang, X. Ru, M. Qu, H. Lin, X. Xu, Solar Energy Mater. Solar Cells, 231, 111291 (2021). DOI: 10.1016/j.solmat.2021.111291
- A.S. Abramov, D.A. Andronikov, S.N. Abolmasov, E.I. Terukov, in High-efficient low-cost photovoltaics. Springer Ser. in Optical Sciences (Springer, Cham, 2020), vol. 140, p. 113--132. DOI: 10.1007/978-3-030-22864-4_7
- M. Taguchi, ECS J. Solid State Sci. Technol., 10, 025002 (2021). DOI: 10.1149/2162-8777/abdfb6
- V. Kanneboina, Microelectron. Eng., 265, 111884 (2022). DOI: 10.1016/j.mee.2022.111884
- В.С. Калиновский, Е.И. Теруков, Е.В. Контрош, В.Н. Вербицкий, A.С. Титов, Письма в ЖТФ, 44 (17), 95 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.17.46576.17283 [V.S. Kalinovskii, E.I. Terukov, E.V. Kontrosh, V.N. Verbitskii, A.S. Titov, Tech. Phys. Lett., 44, 801 (2018). DOI: 10.1134/S1063785018090067]
- M. Yamaguchi, S.J. Taylor, S. Matsuda, O. Kawaki, Appl. Phys. Lett., 68, 3141 (1996). DOI: 10.1063/1.115804
- A. Luque, S. Hegedus, Handbook of photovoltaic science and engineering (John Wiley \& Sons, Ltd., 2003), p. 421
- А.А. Андреев, В.М. Андреев, В.С. Калиновский, П.В. Покровский, Е.И. Теруков, ФТП, 46 (7), 952 (2012). [A.A. Andreev, V.M. Andreev, V.S. Kalinovsky, P.V. Pokrovsky, E.I. Terukov, Semiconductors, 46, 929 (2012). DOI: 10.1134/S1063782612070044]
- B. Vicari Stefani, M. Kim, M. Wright, A. Soeriyadi, D. Andronikov, I. Nyapshaev, S. Abolmasov, K. Emtsev, A. Abramov, B. Hallam, Solar RRL, 5, 2100406 (2021). DOI: 10.1002/solr.202100406
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.