Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Кинетика роста наномембран полупроводниковых соединений III-V с учетом потока реэмиссии
Переводная версия: 10.61011/TPL.2023.07.56439.19590 
Дубровский В.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия 
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2023 г.
В окончательной редакции: 5 мая 2023 г.
Принята к печати: 5 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 18 июня 2023 г.
Получено уравнение роста наномембран полупроводниковых соединений III-V на подложках с одномерными массивами полосков в оксидной маске с учетом потока реэмиссии элемента группы III. Показано, что высота наномембран увеличивается с увеличением расстояния между ними и уменьшением ширины мембран. Кинетика роста наномембран на маскированных подложках и их морфология сильно отличаются от случая адсорбирующих подложек, что необходимо учитывать при проведении ростовых экспериментов. Ключевые слова: полупроводниковые соединения III-V, наномембраны, поток реэмиссии, скорость роста, моделирование.
- J.A Rogers, M.G. Lagally, R.G. Nuzzo, Nature, 477, 45 (2011). DOI: 10.1038/nature10381
- X. Yuan, D. Pan, Y. Zhou, X. Zhang, K. Peng, B. Zhao, M. Deng, J. He, H.H. Tan, C. Jagadish, Appl. Phys. Rev., 8, 021302 (2021). DOI: 10.1063/5.0044706
- C.-Y. Chi, C.-C. Chang, S. Hu, T.-W. Yeh, S.B. Cronin, P.D. Dapkus, Nano Lett., 13, 2506 (2013). DOI: 10.1021/nl400561j
- G. Tutuncuoglu, M. de la Mata, D. Deiana, H. Potts, F. Matteini, J. Arbiol, A. Fontcuberta i Morral, Nanoscale, 7, 19453 (2015). DOI: 10.1039 /C5NR04821D
- P. Aseev, A. Fursina, F. Boekhout, F. Krizek, J.E. Sestoft, F. Borsoi, S. Heedt, G. Wang, L. Binci, S. Marti-Sanchez, T. Swoboda, R. Koops, E. Uccelli, J. Arbiol, P. Krogstrup, L.P. Kouwenhoven, P. Caroff, Nano Lett., 19, 218 (2019). DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b03733
- M. Friedl, K. Cerveny, P. Weigele, G. Tutuncuoglu, S. Marti-Sanchez, C. Huang, T. Patlatiuk, H. Potts, Z. Sun, M.O. Hill, L. Guniat, W. Kim, M. Zamani, V.G. Dubrovskii, J. Arbiol, L.J. Lauhon, D.M. Zumbuhl, A. Fontcuberta i Morral, Nano Lett., 18, 2666 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b00554
- D. Dede, F. Glas, V. Piazza, N. Morgan, M. Friedl, L. Guniat, E. Nur Dayi, A. Balgarkashi, V.G. Dubrovski, A. Fontcuberta i Morral, Nanotechnology, 33, 485604 (2022). DOI: 10.1088/1361-6528/ac88d9
- V.G. Dubrovskii, Phys. Rev. Mater., 7, 026001 (2023). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.7.026001
- K. Tomioka, K. Ikejiri, T. Tanaka, J. Motohisa, S. Hara, K. Hiruma, T. Fukui, Mater. Res., 26, 2127 (2011). DOI: 10.1557/jmr.2011.103
- Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов, ФТП, 39 (5), 587 (2005). [G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, I.P. Soshnikov, Y.B. Samsonenko, A.A. Tonkikh, V.M. Ustinov, Semiconductors, 39, 557 (2005). DOI: 10.1134/1.1923565]
- L.E Froberg, W. Seifert, J. Johansson, Phys. Rev. B, 76, 153401 (2007). DOI: 10.1103/PhysRevB.76.153401
- M.C. Plante, R.R. LaPierre, J. Appl. Phys., 105, 114304 (2009). DOI: 10.1063/1.3131676
- V.G. Dubrovskii, Yu.Yu. Hervieu, J. Cryst. Growth, 401, 431 (2014). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.01.015
- F. Oehler, A. Cattoni, A. Scaccabarozzi, J. Patriarche, F. Glas, J.C. Harmand, Nano Lett., 18, 701 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b03695
- V.G. Dubrovskii, Nanomaterials, 12, 253 (2022). DOI: 10.3390/nano12020253
- V.G. Dubrovskii, Nanomaterials, 12, 2632 (2022). DOI: 10.3390/nano12152632
- V.G. Dubrovskii, E.D. Leshchenko, Nanomaterials, 12, 1698 (2022). DOI: 10.3390/nano12101698
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
