Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , State assignment , FFNF-2021-0001
St. Petersburg State University, State task , 94033852
Кондратенко Т.Т.
1, Гращенко А.С.
2,3, Осипов А.В.
3, Редьков А.В.
2,3, Убыйвовк Е.В.
3, Шарофидинов Ш.Ш.
4, Кукушкин С.А.
2,31Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vkrkt@yandex.ru, asgrashchenko@bk.ru, andrey.v.osipov@gmail.com, avredkov@gmail.com, sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 15 марта 2023 г.
В окончательной редакции: 15 марта 2023 г.
Принята к печати: 3 апреля 2023 г.
Выставление онлайн: 8 мая 2023 г.
Предложена методика формирования эпитаксиальных пленок карбида кремния, нитридов галлия и алюминия на поверхности изделий из кремния непланарной геометрии. С ее помощью на поверхности кремниевого кольца выращена гетероструктура GaN/AlN/SiC/Si. Образцы изучены методами сканирующей электронной микроскопии, а также рамановской и энергодисперсионной спектроскопии. Показано, что предварительное нанесение на кремний слоя SiC методом замещения атомов, при котором независимо от локальной кристаллографической ориентации поверхности подложки неизбежно формируются фасетки из граней (111), позволяет эффективно осуществлять рост последующих слоев III-нитридов как вюрцитного, так и сфалеритного типа на кремниевых изделиях. Ключевые слова: GaN, AlN, SiC, кремний, метод замещения атомов, МЭМС.
- А.С. Гришко, Т.Т. Кондратенко, В.В. Митин, С.Н. Чигир, Изв. вузов. Материалы электронной техники, N 2, 32 (2005)
- Л.В. Кожитов, В.В. Митин, Т.Т. Кондратенко, В.В. Чинаров, А.С. Гришко, Т.В. Симонова, В.В. Крапухин, Способ получения непланарных эпитаксиальных структур кремния методом газофазной эпитаксии и устройство для его осуществления, патент N RU 2290717 (опубл. 27.12. 2006)
- А.С. Гришко, Т.Т. Кондратенко, В.В. Митин, С.В. Август, В.В. Симонова, Изв. вузов. Материалы электронной техники, N 1, 27 (2005)
- V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, S.N. Rodin, Rev. Adv. Mater. Sci., 38 (1), 75 (2014)
- S. Nishino, J.A. Powell, H.A. Will, Appl. Phys. Lett., 42 (5), 460 (1983). DOI: 10.1063/1.93970
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Конденсированные среды и межфазные границы, 24 (4), 406 (2022). DOI: 10.17308/kcmf.2022.24/10549
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, J. Phys. D: Appl. Phys., 47 (31), 313001 (2014). DOI: 10.1088/0022-3727/47/31/313001
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, I.P. Soshnikov, Rev. Adv. Mater. Sci., 52, 29 (2017). http://www.ipme.ru/e-journals/RAMS/no_15217/05_15217_kukushkin.pdf
- А.В. Редьков, А.С. Гращенко, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, К.П. Котляр, А.И. Лихачев, А.В. Нащекин, И.П. Сошников, ФТТ, 61 (3), 433 (2019). DOI: 10.21883/FTT.2019.03.47232.265 [A.V. Redkov, A.S. Grashchenko, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, K.P. Kotlyar, A.I. Likhachev, A.V. Nashchekin, I.P. Soshnikov, Phys. Solid State, 61, 299 (2019). DOI: 10.1134/S1063783419030272]
- Ш.Ш. Шарофидинов, С.А. Кукушкин, А.В. Редьков, А.С. Гращенко, А.В. Осипов, Письма в ЖТФ, 45 (14), 24 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.14.48018.17841 [Sh.Sh. Sharofidinov, S.A. Kukushkin, A.V. Red'kov, A.S. Grashchenko, A.V. Osipov, Tech. Phys. Lett., 45, 711 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019070277]
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, А.В. Редьков, ФТП, 51 (3), 414 (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44218.8368 [S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, A.V. Red'kov, Semiconductors, 51, 396 (2017). DOI: 10.1134/S1063782617030149]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
