Люминесцентный отклик фотонных кристаллов со встроенными Ge наноостровками с различной глубиной травления отверстий
Russian science foundation, 19-72-10011
Юрасов Д.В.
1, Яблонский А.Н.1, Шалеев М.В.1, Шенгуров Д.В.1, Родякина Е.Е.2,3, Смагина Ж.В.2, Вербус В.А.1,4, Новиков А.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
4НИУ Высшая школа экономики, Нижний Новгород, Россия
Email: Inquisitor@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 20 января 2023 г.
В окончательной редакции: 24 марта 2023 г.
Принята к печати: 24 марта 2023 г.
Выставление онлайн: 18 апреля 2023 г.
Рассмотрено влияние глубины травления отверстий двумерных фотонных кристаллов, сформированных на Si структурах со встроенными Ge наноостровками, на их люминесцентный отклик. Обнаружено, что максимальная интенсивность люминесцентного отклика от фотонных кристаллов наблюдается не при формировании отверстий на всю глубину структуры, а при некоторой промежуточной глубине травления. Обсуждаются возможные причины данного экспериментального наблюдения. Ключевые слова: SiGe гетероструктуры, Ge островки, фотонные кристаллы, фотолюминесценция, безызлучательная рекомбинация.
- S.Y. Siew, B. Li, F. Gao, H.Y. Zheng, W. Zhang, P. Guo, S.W. Xie, A. Song, B. Dong, L.W. Luo, C. Li, X. Luo, G.-Q. Lo, J. Lightwave Technol., 39, 4374 (2021). DOI: 10.1109/JLT.2021.3066203
- I.A. Fischer, M. Brehm, M. De Seta, G. Isella, D.J. Paul, M. Virgilio, G. Capellini, APL Photon., 7, 050901 (2022). DOI: 10.1063/5.0078608
- J.D. Joannopoulos, S.G. Johnson, J.N. Winn, R.D. Meade, Photonic crystals, molding the flow of light, 2nd ed. (Princeton University Press, N.J., 2007), p. 135--147
- A.C. Overvig, S.C. Malek, M.J. Carter, S. Shrestha, N. Yu, Phys. Rev. B, 102, 035434 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevB.102.035434
- Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, Письма в ЖЭТФ, 76 (6), 425 (2002). [N.V. Vostokov, Yu.N. Drozdov, Z.F. Krasil'nik, D.N. Lobanov, A.V. Novikov, A.N. Yablonskii, JETP Lett., 76 (6), 365 (2002). DOI: 10.1134/1.1525038]
- S.A. Dyakov, M.V. Stepikhova, A.A. Bogdanov, A.V. Novikov, D.V. Yurasov, M.V. Shaleev, Z.F. Krasilnik, S.G. Tikhodeev, N.A. Gippius, Laser Photon. Rev., 15, 2000242 (2021). DOI: 10.1002/lpor.202000242
- B.V. Kamenev, L. Tsybeskov, J.-M. Baribeau, D.J. Lockwood, Phys. Rev. B, 72, 193306 (2005). DOI: 10.1103/PhysRevB.72.193306
- B. Julsgaard, P. Balling, J.L. Hansen, A. Svane, A.N. Larsen, Appl. Phys. Lett., 98, 093101 (2011). DOI: 10.1063/1.3559230
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.