Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование явления токопрохождения в кристаллах EuGa2S4:Er3+
Переводная версия: 10.21883/TPL.2023.05.56026.19517 
Тагиев О.Б.1,2, Казымова Ф.А.1, Гаджиева Г.С.1, Ибрагимова Т.Ш.1, Асадов Е.Г.1, Тагиев К.О.3
1Институт Физики министерства науки и образования Азербайджана, Баку, Азербайджан 
2Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан
3Нефтяная Компания, Баку, Азербайджан
2Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан
3Нефтяная Компания, Баку, Азербайджан
Email: oktay58@mail.ru, kazimova-f@mail.ru, ibrahimovatamasha@gmail.com., elsenesedov@gmail.com
Поступила в редакцию: 1 февраля 2023 г.
В окончательной редакции: 22 февраля 2023 г.
Принята к печати: 28 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 18 апреля 2023 г.
Приводятся результаты исследования статических вольт-амперных характеристик кристаллов EuGa2S4:Er3+ при комнатный температуре. Выявлен механизм токопрохождения в них. Вычислены высота потенциального барьера на границе металл-полупроводник (Phi~0.9 eV), относительная диэлектрическая проницаемость кристаллов (ε=3.1), концентрация ловушек (N~ 7.14· 1016 cm-3). Определена форма потенциальной ямы для захваченных ловушками электронов. Kлючевые слова: вольт-амперная характеристика, кристалл, контакт металл-полупроводник, высота потенциального барьера, эрбий.
- C. Barthou, P. Benolloul, B.G. Tagiev, О.B. Tagiev, S.A. Abushov, A.N. Gеоrgobiаni, F.A. Kazimova, A.N. Georgobiani, J. Phys.: Condens. Matter, 16 (45), 8075 (2004). DOI: 10.1088/0953-8984/16/45/029
- А.Н. Георгобиани, С.А. Абушов, Ф.А. Казымова, Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, П. Беналоул, К. Бартоу, Неорган. материалы, 42 (11), 1304 (2006). https://www.elibrary.ru/item.aspID=9292313 [A.N. Georgobiani, S.A. Abushov, F.A. Kazymova, B.G. Tagiev, O.B. Tagiev, P. Benalloul, C. Barthou, Inorg. Mater., 42 (11), 1188 (2006). DOI: 10.1134/S0020168506110033]
- A.Н. Георгобиани, Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, Р.Б. Джаббаров, С.А. Абушов, Ф.А. Казымова, К. Бартоу, П. Беналлул, В.М. Салманов, ЖПС, 74 (3), 332 (2007). https://www.elibrary.ru/item.aspID=9465278 [A.N. Georgobiani, B.G. Tagiev, O.B. Tagiev, R.B. Dzhabbarov, S.A. Abushov, F.A. Kazymova, C. Barthou, P. Benalloul, V.M. Salmanov, J. Appl. Spectrosc., 74 (3), 369 (2007). DOI: 10.1007/s10812-007-0060-5]
- A.Н. Георгобиани, Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, С.А. Абушов, Ф.А. Казымова, Т.Ш. Гашимова, С. Сююнь, Неорган. материалы, 45 (2), 152 (2009). https://www.elibrary.ru/item.asp ID=11685002 [A.N. Georgobiani, B.G. Tagiev, O.B. Tagiev, S.A. Abushov, F.A. Kazymova, T.Sh. Gashimova, X. Xurong, Inorg. Mater., 45 (2), 116 (2009). DOI: 10.1134/S0020168509020022]
- О.Б. Тагиев, Ф.А. Казымова, Г.С. Гаджиева, Т.Ш. Ибрагимова, Изв. НАН Азербайджана, XXXIX ( 5), 65 (2019)
- Г.С. Гаджиева, Ф.А. Казымова, Т.Ш. Ибрагимова, О.Б. Тагиев, в сб. XIV Междунар. конф. Наука России: цели и задачи" (Екатеринбург, 2019), c. 20
- Q.Y. Eyubov, Electrical and luminescent properties of monocrystals GaS, activated by the rare earth elements (Er, Yb, Tm), PhD thesis (Institute of Physics, Baku, 2012)
- В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин, ФТП, 52 (7), 751 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46047.8648 [V.V. Tregulov, V.G. Litvinov, A.V. Ermachikhin, Semiconductors, 52 (7), 891 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618070242]
- М.М. Казанин, В.В. Каминский, М.А. Гревцев, ФТП, 53 (7), 887 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.07.47862.9075 [M.M. Kazanin, V.V. Kaminski, M.A. Grevtsev, Semiconductors, 53 (7), 872 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619070121]
- G.S. Hadjieva, K.O. Taghiyev, E.G. Asadov, F.A. Kazimova, T.Sh. Ibraqimova, O.B. Taghiyev, Mod. Phys. Lett. B, 34 (31), 2050344 (2020). DOI: 10.1142/S0217984920503443
- Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, ФТП, 41 (1), 17 (2007). [N.N. Niftiev, O.B. Tagiev, Semiconductors, 41 (1), 15 (2007). DOI: 10.1134/S1063782607010046]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
