Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние состояния рабочей поверхности гальванического датчика импульсного рентгеновского излучения на его быстродействие
Переводная версия: 10.21883/TPL.2023.05.56019.19461 
1Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований, Троицк, Москва, Россия 
2Российский университет дружбы народов, Москва, Россия
3Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
4Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша РАН, Москва, Россия
5Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
2Российский университет дружбы народов, Москва, Россия
3Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
4Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша РАН, Москва, Россия
5Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
Email: boutic@crys.ras.ru, amuslimov@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 1 марта 2023 г.
Принята к печати: 1 марта 2023 г.
Выставление онлайн: 4 апреля 2023 г.
Предложена новая конструкция гальванического датчика импульсного рентгеновского излучения, представляющая собой плоский электрический конденсатор с окном в одной металлической обкладке и твердым диэлектриком из монокристаллического сапфира толщиной 200-300 μm внутри. Установлено влияние шероховатости поверхности диэлектрика (сапфира) в области окна на гальваническое линейное детектирование рентгеновского излучения. Испытания показали, что при сверхгладкой полировке рабочей поверхности пластины из сапфира в области окна до шероховатости Rq≤ 0.2 nm можно обеспечить возможность гальванического линейного детектирования рентгеновского излучения с энергией в диапазоне 0.1-1 keV и плотностью мощности 1-2 MW· cm-2 со временем срабатывания датчика около 8 ns. Датчики такого типа могут найти применение в исследованиях процессов инерциального термоядерного синтеза. Ключевые слова: рентгеновское излучение, гальванический датчик, сапфир, диэлектрик, плоский конденсатор.
- В.И. Калашникова, М.С. Козодаев, Детекторы элементарных частиц (Наука, М, 1966)
- Н.Г. Басов, Ю.А. Захаренков, А.А. Рупасов, Г.В. Склизков, А.С. Шиканов, Диагностика плотной плазмы, под ред. Н.Г. Басова (Наука, М., 1989)
- В.Н. Амосов, А.И. Емельянов, Н.И. Крисько, Н.Б. Родионов, Алмазный детектор, патент РФ N 2522772. Официальный бюллетень N 20 (Роспатент, 2014)
- B.-H. Lin, X.-Y. Li, D.-J. Lin, B.-L. Jian, H.-Ch. Hsu, H.-Y. Chen, Sh.-Ch. Tseng, C.-Y. Lee, B.-Y. Chen, G.-C. Yin, M.-Y. Hsu, Sh.-H. Chang, M.-T. Tang, W.-F. Hsieh, Sci. Rep., 9 (1), 207 (2019). DOI: 10.1038/s41598-018-36764-8
- H.N. Kornblum, V.W. Slivinsky, Rev. Sci. Instrum., 49 (8), 1204 (1978). DOI: 10.1063/1.1135548
- В.И. Зайцев, Способ регистрации импульсного ионизирующего излучения, патент РФ N 2640320. Официальный бюллетень ФИПС N 36 (2017)
- A.E. Muslimov, V.E. Asadchikov, A.V. Butashin, V.P. Vlasov, A.N. Deryabin, B.S. Roshchin, S.N. Sulyanov, V.M. Kanevsky, Cryst. Rep., 61 (5), 730 (2016). DOI: 10.1134/S106377451605014X
- В.И. Зайцев, И.А. Барыков, А.В. Карташов, О.В. Терентьев, Н.Б. Родионов, Письма в ЖТФ, 42 (22), 72 (2016). [V.I. Zaitsev, I.A. Barykov, A.V. Kartashov, O.V. Terent'ev, N.B. Rodionov, Tech. Phys. Lett., 42, 1134 (2016). DOI: 10.1134/S1063785016110225]
- И.А. Барыков, И.Ю. Вичев, Ю.А. Волков, В.И. Зайцев, Н.В. Заложный, В.М. Каневский, И.А. Тараканов, В.А. Федоров, Математическая модель радиационно-индуцированной проводимости в кварце при воздействии мощного рентгеновского излучения, препринт ИПМ им. М.В. Келдыша N 18 (2021). DOI: 10.20948/prepr-2021-18
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
