Письма в журнал технической физики

Исследованы лимитирующие факторы скорости роста ступени при эпитаксии полупроводниковых соединений III-V. Модель, основанная на двух связанных диффузионных уравнениях для адатомов групп III и V, применима для исследования как планарных слоев, так и наноструктур различного типа (включая III-V нитевидные нанокристаллы). Получено выражение для скорости роста ступени и найден физический параметр, значение которого определяет лимитированные кинетикой элементов группы III или V режимы роста. Ключевые слова: полупроводниковые соединения III-V, поверхностная диффузия адатомов, десорбция, скорость роста ступени.

T.F. Kuech, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater., 62, 352 (2016). DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2016.04.019
J.R. Arthur, Surf. Sci., 500, 189 (2002). DOI: 10.1016/S0039-6028(01)01525-4
P. Kratzer, E. Penev, M. Scheffler, Appl. Phys. A, 75, 79 (2002). DOI: 10.1007/s003390101057
Y. Kangawa, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, T. Nakayama, Materials, 6, 3309 (2013). DOI: 10.3390/ma6083309
S.Yu. Karpov, J. Cryst. Growth, 248, 1 (2003). DOI: 10.1016/S0022-0248(02)01838-9
A.V. Redkov, S.A. Kukushkin, Cryst. Growth Des., 20, 2590 (2020). DOI: 10.1021/acs.cgd.9b01721
V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov, Phys. Rev. B, 71, 205325 (2005). DOI: 10.1103/PhysRevB.71.205325
S. Hertenberger, D. Rudolph, M. Bichler, J.J. Finley, G. Abstreiter, G.J. Koblmuller, Appl. Phys., 108, 114316 (2010). DOI: 10.1063/1.3525610
Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов, ФТП, 39 (5), 587 (2005). [G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, I.P. Soshnikov, Y.B. Samsonenko, A.A. Tonkikh, V.M. Ustinov, Semiconductors, 39, 557 (2005). DOI: 10.1134/1.1923565]
L.E. Froberg, W. Seifert, J. Johansson, Phys. Rev. B, 76, 153401 (2007). DOI: 10.1103/PhysRevB.76.153401
M.C. Plante, R.R. LaPierre, J. Appl. Phys., 105, 114304 (2009). DOI: 10.1063/1.3131676
F. Oehler, A. Cattoni, A. Scaccabarozzi, J. Patriarche, F. Glas, J.C. Harmand, Nano Lett., 18, 701 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b03695
V.G. Dubrovskii, ACS Omega, 4, 8400 (2019). DOI: 10.1021/acsomega.9b00525
V.G. Dubrovskii, Nanomaterials, 12, 253 (2022). DOI: 10.3390/nano12020253
M.R. Ramdani, J.C. Harmand, F. Glas, G. Patriarche, L. Travers, Cryst. Growth Des., 13, 91 (2013). DOI: 10.1021/cg301167g
F. Glas, M.R. Ramdani, G. Patriarche, J.C. Harmand, Phys. Rev. B, 88, 195304 (2013). DOI: 10.1103/PhysRevB.88.195304
A. Pishchagin, F. Glas, G. Patriarche, A. Cattoni, J.C. Harmand, F. Oehler, Cryst. Growth Des., 21, 4647 (2021). DOI: 10.1021/acs.cgd.1c00504
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, Prog. Surf. Sci., 51, 1 (1996). DOI: 10.1016/0079-6816(96)82931-5
V.G. Dubrovskii, Yu.Yu. Hervieu, J. Cryst. Growth, 401, 431 (2014). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.01.015
W.K. Burton, N. Cabrera, F.C. Frank, Phil. Trans. R. Soc. London, 243, 299 (1951). DOI: 10.1098/rsta.1951.0006

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель