Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 8 » Статья стр. 10
<<<>>>
Создание антиотражающего покрытия для оптического диапазона на основе слоя нанопористого германия, сформированного имплантацией ионами индия
DOI: 10.21883/PJTF.2023.08.55129.19466
Переводная версия: 10.21883/TPL.2023.04.55878.19466
Zavoisky Physical-Technical Institute, FRC Kazan Scientific Center of RAS, Kazan, Russia, The Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, for FRC Kazan Scientific Center of RAS
Степанов А.Л. 1, Нуждин В.И.1, Валеев В.Ф.1, Коновалов Д.А.1, Рогов А.М.1
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
Email: aanstep@gmail.com
Поступила в редакцию: 19 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 7 февраля 2023 г.
Принята к печати: 8 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 18 марта 2023 г.
PDF версия
Исследована возможность использования слоя нанопористого Ge, сформированного имплантацией ионами 115In+ на подложке монокристаллического c-Ge, в качестве антиотражающего оптического покрытия (In:PGe). Для этого была проведена ионная имплантация пластин c-Ge при энергии E=30 keV, плотности тока в ионном пучке J=5 μA/cm2 и дозе D=1.8· 1016 ion/cm2. Показано, что полученный губчатый слой In:PGe, состоящий из переплетающихся нанонитей Ge, характеризуется низкой отражательной способностью (~ 5%) в широком оптическом спектральном диапазоне 250-1050 nm. Ключевые слова: нанопористый германий, ионная имплантация, антиотражающее оптическое покрытие.
  1. R. Kaufmann, G. Isella, A. Sanchez-Amores, S. Neukom, A. Neels, L. Neumann, A. Brenzikofer, A. Domman, C. Urban, H. von Kanel, J. Appl. Phys., 110, 023107 (2011). DOI: 10.1063/1.3608245
  2. L. Tang, S.E. Kocabas, S. Latif, A.K. Okyay, D.S. Ly-Gagnon, K.C. Sarawat, D.A.B. Miller, Nat. Photonics, 2, 226 (2008). DOI: 10.1038/nphoton.2008.30
  3. N.E. Posthuma, J. van der Heide, G. Flamand, J. Poortmans, IEEE Trans. Electron. Dev., 54, 1210 (2007). DOI: 10.1109/TED.2007.894610
  4. H.K. Raut, V.A. Ganesh, A.S. Nair, S. Ramakrishna, Energy Environ. Sci., 4, 3779 (2011). DOI: 10.1039/c1ee01297e
  5. N. Shanmugam, R. Pugazhendhi, R.M. Elavarasan, P. Kasiviswanathan, N. Das, Energies, 13, 2631 (2020). DOI: 10.3390/en13102631
  6. S.B. Khan, H. Wu, C. Pan, Z. Zhang, Res. Rev.: J. Mater. Sci., 5, 36 (2017). DOI: 10.4172/2321-6212.1000192
  7. L.R. Gilbert, R. Messier, R. Roy, Thin Solid Films, 54, 149 (1978). DOI: 10.1016/0040-6090(78)90191-8
  8. L.R. Chueh, Z. Fan, K. Takei, H. Ko, R. Karadia, A.A. Rathore, N. Miller, K. Yu, M. Wu, E.E. Haller, A. Javey, Nano Lett., 10, 520 (2010). DOI: 10.1021/nl903366z
  9. J.W. Leem, Y.P. Kim, J.S. Yu, J. Opt. Soc. Am. B, 29, 357 (2012). DOI: 10.1364/JOSAB.29.000357
  10. S. Schicho, A. Jaouad, C. Sellmer, D. Morris, V. Aimez, R. Ares, Mater. Lett., 94, 86 (2013). DOI: 10.1016/j.matlet.2012.12.014
  11. D.P. Datta, T. Som, Solar Energy, 223, 367 (2021). DOI: 0.1016/j.solener.2021.05.016
  12. A.M. Rogov, V.I. Nuzhdin, V.F. Valeev, A.L. Stepanov, Compos. Commun., 19, 6 (2020). DOI: 10.1016/j.coco.2020.01.002
  13. А.Л. Степанов, В.И. Нуждин, А.М. Рогов, В.В. Воробьев, Формирование слоев пористого кремния и германия с металлическими наночастицами (ФИЦ КазНЦ РАН, Казань, 2019)
  14. F.D. Auret, P.J.J. van Rensburg, M. Hayes, J.M. Nel, W.E. Meyer, S. Decoster, V. Matias, A. Vantomme, Appl. Phys. Lett., 89, 152123 (2006). DOI: 10.1063/1.2360922
  15. J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 268, 1818 (2010). DOI: 0.1016/j.nimb.2010.02.091
  16. Я. Тауц, УФН, 94 (3), 501 (1968). DOI: 10.3367/UFNr.0094.196803e.0501 [J. Tauc, Progr. Semiconductors, 9, 89 (1965).]
  17. T.M. Donovan, W.E. Spicer, J.M. Bennett, E.J. Ashley, Phys. Rev. B, 2, 397 (1970). DOI: 10.1103/PhysRevB.2.397
  18. H. Liu, S. Li, P. Sun, X. Yang, D. Liu, Y. Ji, F. Zhang, D. Chen, Y. Cui, Mater. Sci. Semicond. Process., 83, 58 (2018). DOI: 10.1016/j.mssp.2018.04.019
  19. K.L. Bhatia, P. Singh, M. Singh, N. Kishore, N.C. Mehra, D. Kanjilal, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 94, 379 (1994). DOI: 10.1016/0168-583X(94)95412-7
  20. K. Chen, J. Isometsa, T.P. Pasanen, V. Vahanissi, H. Savin, Nanotechnology, 32, 35301 (2021). DOI: 10.1088/1361-6528/abbeac
  21. C. Ji, W. Liu, Y. Bao, X. Chen, G. Yang, B. Wei, F. Yang, X. Wang, Photonics, 9, 906 (2022). DOI: 10.3390/photonics9120906

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme