Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 5 » Статья стр. 6
<<<>>>
Пассивация фтором границы раздела оксид/InAs(001)
DOI: 10.21883/PJTF.2023.05.54661.19413
Переводная версия: 10.21883/TPL.2023.03.55672.19413
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), A, 20-02-00516
Аксенов М.С.1,2, Голяшов В.A.1,2, Терещенко О.Е.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: aksenov@isp.nsc.ru, golyashov@isp.nsc.ru, teresh@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 7 ноября 2022 г.
В окончательной редакции: 15 декабря 2022 г.
Принята к печати: 20 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 1 февраля 2023 г.
PDF версия
Показано, что фторсодержащие анодные слои на поверхности n-InAs(001) в отличие от анодных слоев без фтора формируют границу раздела с открепленным уровнем Ферми, плотность состояний на которой вблизи середины запрещенной зоны составляет ~ 1011 eV-1· cm-2 (78 K). Изучение химического состава показало, что уменьшение плотности состояний связано с образованием оксифторидов индия и мышьяка вблизи границы раздела. Ключевые слова: InAs, МДП-структура, фтор, анодный слой, интерфейсные состояния.
  1. Q. Cheng, K. Shariar, S. Khandelwal, Y. Zeng, Solid State Electron., 158, 11 (2019). DOI: 10.1016/j.sse.2019.05.001
  2. R. Oxland, X. Li, S.W. Chang, S.W. Wang, T. Vasen, P. Ramvall, R. Contreras-Guerrero, J. Rojas-Ramirez, M. Holland, G. Doornbos, Y.S. Chang, D.S. Macintyre, S. Thoms, R. Droopad, Y.-C. Yeo, C.H. Diaz, I.G. Thayne, M. Passlack, IEEE Electron Dev. Lett., 37, 261 (2016). DOI: 10.1109/LED.2016.2521001
  3. J.A. del Alamo, Nature, 479, 317 (2011). DOI: 10.1038/nature10677
  4. G. D'Acunto, E. Kokkonen, P. Shayesteh, V. Boix, F. Rehman, Z. Mosahebfard, E. Lind, J. Schnadt, R. Timm, Faraday Discuss., 236, 71 (2022). DOI: 10.1039/D1FD00116G
  5. J. Wu, E. Lind, R. Timm, M. Hjort, A. Mikkelsen, L.-E. Wernersson, Appl. Phys. Lett., 100, 132905 (2012). DOI: 10.1063/1.3698094
  6. S. Eom, M.-W. Kong, K.-S. Seo, in Recent advances in nanophotonics, ed. by M. Kahrizi (IntechOpen, 2020), ch. 7. DOI: 10.5772/intechopen.92424
  7. N.A. Valisheva, A.V. Bakulin, M.S. Aksenov, S.E. Khandarkhaeva, S.E. Kulkova, J. Phys. Chem. C, 121, 20744 (2017). DOI: 10.1021/acs.jpcc.7b03757
  8. J. Wu, E. Lind, R. Timm, M. Hjort, A. Mikkelsen, L.-E. Wernersson, Appl. Phys. Lett., 100, 132905 (2012). DOI: 10.1063/1.3698094
  9. J. Robertson, Y. Gao, L. Lin, J. Appl. Phys., 117, 112806 (2015). DOI: 10.1063/1.4913832
  10. M.S. Aksenov, A.Yu. Kokhanovskii, P.A. Polovodov, S.F. Devyatova, V.A. Golyashov, A.S. Kozhukhov, I.P. Prosvirin, S.E. Khandarkhaeva, A.K. Gutakovskii, N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, Appl. Phys. Lett., 107, 173501 (2015). DOI: 10.1063/1.4934745
  11. A.P. Kovchavtsev, A.V. Tsarenko, A.A. Guzev, M.S. Aksenov, V.G. Polovinkin, A.E. Nastovjak, N.A. Valisheva, J. Appl. Phys., 118, 125704 (2015). DOI: 10.1063/1.4931772
  12. http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InAs/
  13. Y. Yuan, L. Wang, B. Yu, B. Shin, J. Ahn, P.C. McIntyre, P.M. Asbeck, M.J.W. Rodwell, Y. Taur, IEEE Electron Dev. Lett., 32, 485 (2011). DOI: 10.1109/LED.2011.2105241
  14. L.M. Terman, Solid-State Electron., 5, 285 (1962). DOI: 10.1016/0038-1101(62)90111-9
  15. E.H. Nicollian, A. Goetzberger, Bell Syst. Techn. J., 46, 1055 (1967). DOI: 10.1002/j.1538-7305.1967.tb01727.x

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme