Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние температуры роста на физико-химические свойства слоев низкотемпературного GaAs, созданных методом импульсного лазерного напыления
Совет по грантам Президента Российской Федерации , МК-265.2022.1.2
Российский научный фонд, 23-29-00312
Крюков Р.Н.
1, Данилов Ю.А.1, Лесников В.П.1, Вихрова О.В.
1, Зубков С.Ю.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: kriukov.ruslan@yandex.ru, vikhrova@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2022 г.
В окончательной редакции: 12 декабря 2022 г.
Принята к печати: 12 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 16 января 2023 г.
Методом импульсного лазерного напыления получены слои низкотемпературного GaAs приборного качества с высоким удельным сопротивлением. Свойства слоев GaAs чувствительны к температуре процесса. При температуре роста менее 300oC слои характеризуются низкими значениями подвижности электронов и смещением стехиометрии GaAs в область обогащения мышьяком на уровне 1-2 at.%. При температуре выращивания более 300oC слои показывают улучшенное кристаллическое качество. Зависимость относительной интенсивности фотоэлектронной линии As 3d от температуры роста подтверждает указанную тенденцию с изменением температуры роста. Ключевые слова: импульсное лазерное нанесение, эффект Холла, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия.
- Y. Horikoshi, M. Kawashima, H. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., 25 (10), L868 (1986). DOI: 10.1143/JJAP.25.L868
- Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня, ФТТ, 35 (10), 2609 (1993)
- А.А. Пастор, П.Ю. Сердобинцев, В.В. Чалдышев, ФТП, 46 (5), 637 (2012). [A.A. Pastor, P.Yu. Serdobintsev, V.V. Chaldyshev, Semiconductors, 46 (5), 619 (2012). DOI: 10.1134/S106378261205017X]
- А.А. Горбацевич, В.И. Егоркин, И.П. Казаков, О.А. Клименко, А.Ю. Клоков, Ю.А. Митягин, В.Н. Мурзин, С.А. Савинов, В.А. Цветков, Крат. сообщ. по физике ФИАН, 42 (5), 3 (2015). [A.A. Gorbatsevich, V.I. Egorkin, I.P. Kazakov, O.A. Klimenko, A.Yu. Klokov, Yu.A. Mityagin, V.N. Murzin, S.A. Savinov, V.A. Tsvetkov, Bull. Lebedev Phys. Inst., 42 (5), 121 (2015). DOI: 10.3103/S1068335615050012]
- C. Tannoury, M. Billet, C. Coinon, J.-F. Lampin, E. Peytavit, Electron. Lett., 56 (17), 897 (2020). DOI: 10.1109/IRMMW-THz46771.2020.9370757
- Д.С. Абрамкин, М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.В. Васев, М.Ю. Есин, И.Д. Лошкарев, А.К. Гутаковский, В.В. Преображенский, Т.С. Шамирзаев, Автометрия, 54 (2), 85 (2018). DOI: 10.15372/AUT20180210 [D.S. Abramkin, M.O. Petrushkov, E.A. Emel'yanov, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, A.V. Vasev, M.Yu. Esin, I.D. Loshkarev, A.K. Gutakovskii, V.V. Preobrazhenskii, T.S. Shamirzaev, Optoelectron. Instrum. Proc., 54 (2), 181 (2018). DOI: 10.3103/S8756699018020103]
- В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, ФТП, 43 (12), 1662 (2009). [V.N. Nevedomskii, N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, Semiconductors, 43 (12), 1617 (2009). DOI: 10.1134/S1063782609120082]
- H. Sakaguchi, T. Mishima, T. Meguro, Y. Fujiwara, J. Phys.: Conf. Ser., 165, 012024 (2009). DOI: 10.1088/1742-6596/165/1/012024
- I. Demir, A.E. Kasapovglu, H.F. Budak, E. Gur, S. Elagoz, Eur. Phys. J. Appl. Phys., 90 (2), 20301 (2020). DOI: 10.1051/epjap/2020190216
- A.V. Kudrin, V.P. Lesnikov, Yu.A. Danilov, M.V. Dorokhin, O.V. Vikhrova, P.B. Demina, D.A. Pavlov, Yu.V. Usov, V.E. Milin, Yu.M. Kuznetsov, R.N. Kriukov, A.A. Konakov, N.Yu. Tabachkova, Semicond. Sci. Technol., 35 (12), 125032 (2020). DOI: 10.1088/1361-6641/abbd5c
- M.P. Seah, W.A. Dench, Surf. Interface Anal., 1 (1), 2 (1979). DOI: 10.1002/sia.740010102
- A.V. Boryakov, S.I. Surodin, R.N. Kryukov, D.E. Nikolichev, S.Yu. Zubkov, J. Electron Spectr. Relat. Phenom., 229, 132 (2018). DOI: 10.1016/j.elspec.2017.11.004
- Е.В. Кучис, Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (Радио и связь, М., 1990), с. 52--55
- M.V. Lebedev, E. Mankel, T. Mayer, W. Jaegermann, J. Phys. Chem. C, 114 (49), 21385 (2010). DOI: 10.1021/jp104321e
- S. Hofmann, Auger- and X-ray photoelectron spectroscopy in materials science (Springer, Berlin, 2013), p. 30--62. DOI: 10.1007/978-3-642-27381-0
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
