Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 4 » Статья стр. 11
<<<>>>
Влияние температуры роста на физико-химические свойства слоев низкотемпературного GaAs, созданных методом импульсного лазерного напыления
DOI: 10.21883/PJTF.2023.04.54519.19372
Совет по грантам Президента Российской Федерации , МК-265.2022.1.2
Российский научный фонд, 23-29-00312
Крюков Р.Н. 1, Данилов Ю.А.1, Лесников В.П.1, Вихрова О.В. 1, Зубков С.Ю.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: kriukov.ruslan@yandex.ru, vikhrova@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2022 г.
В окончательной редакции: 12 декабря 2022 г.
Принята к печати: 12 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 16 января 2023 г.
PDF версия
Методом импульсного лазерного напыления получены слои низкотемпературного GaAs приборного качества с высоким удельным сопротивлением. Свойства слоев GaAs чувствительны к температуре процесса. При температуре роста менее 300oC слои характеризуются низкими значениями подвижности электронов и смещением стехиометрии GaAs в область обогащения мышьяком на уровне 1-2 at.%. При температуре выращивания более 300oC слои показывают улучшенное кристаллическое качество. Зависимость относительной интенсивности фотоэлектронной линии As 3d от температуры роста подтверждает указанную тенденцию с изменением температуры роста. Ключевые слова: импульсное лазерное нанесение, эффект Холла, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия.
  1. Y. Horikoshi, M. Kawashima, H. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., 25 (10), L868 (1986). DOI: 10.1143/JJAP.25.L868
  2. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня, ФТТ, 35 (10), 2609 (1993)
  3. А.А. Пастор, П.Ю. Сердобинцев, В.В. Чалдышев, ФТП, 46 (5), 637 (2012). [A.A. Pastor, P.Yu. Serdobintsev, V.V. Chaldyshev, Semiconductors, 46 (5), 619 (2012). DOI: 10.1134/S106378261205017X]
  4. А.А. Горбацевич, В.И. Егоркин, И.П. Казаков, О.А. Клименко, А.Ю. Клоков, Ю.А. Митягин, В.Н. Мурзин, С.А. Савинов, В.А. Цветков, Крат. сообщ. по физике ФИАН, 42 (5), 3 (2015). [A.A. Gorbatsevich, V.I. Egorkin, I.P. Kazakov, O.A. Klimenko, A.Yu. Klokov, Yu.A. Mityagin, V.N. Murzin, S.A. Savinov, V.A. Tsvetkov, Bull. Lebedev Phys. Inst., 42 (5), 121 (2015). DOI: 10.3103/S1068335615050012]
  5. C. Tannoury, M. Billet, C. Coinon, J.-F. Lampin, E. Peytavit, Electron. Lett., 56 (17), 897 (2020). DOI: 10.1109/IRMMW-THz46771.2020.9370757
  6. Д.С. Абрамкин, М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.В. Васев, М.Ю. Есин, И.Д. Лошкарев, А.К. Гутаковский, В.В. Преображенский, Т.С. Шамирзаев, Автометрия, 54 (2), 85 (2018). DOI: 10.15372/AUT20180210 [D.S. Abramkin, M.O. Petrushkov, E.A. Emel'yanov, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, A.V. Vasev, M.Yu. Esin, I.D. Loshkarev, A.K. Gutakovskii, V.V. Preobrazhenskii, T.S. Shamirzaev, Optoelectron. Instrum. Proc., 54 (2), 181 (2018). DOI: 10.3103/S8756699018020103]
  7. В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, ФТП, 43 (12), 1662 (2009). [V.N. Nevedomskii, N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, Semiconductors, 43 (12), 1617 (2009). DOI: 10.1134/S1063782609120082]
  8. H. Sakaguchi, T. Mishima, T. Meguro, Y. Fujiwara, J. Phys.: Conf. Ser., 165, 012024 (2009). DOI: 10.1088/1742-6596/165/1/012024
  9. I. Demir, A.E. Kasapovglu, H.F. Budak, E. Gur, S. Elagoz, Eur. Phys. J. Appl. Phys., 90 (2), 20301 (2020). DOI: 10.1051/epjap/2020190216
  10. A.V. Kudrin, V.P. Lesnikov, Yu.A. Danilov, M.V. Dorokhin, O.V. Vikhrova, P.B. Demina, D.A. Pavlov, Yu.V. Usov, V.E. Milin, Yu.M. Kuznetsov, R.N. Kriukov, A.A. Konakov, N.Yu. Tabachkova, Semicond. Sci. Technol., 35 (12), 125032 (2020). DOI: 10.1088/1361-6641/abbd5c
  11. M.P. Seah, W.A. Dench, Surf. Interface Anal., 1 (1), 2 (1979). DOI: 10.1002/sia.740010102
  12. A.V. Boryakov, S.I. Surodin, R.N. Kryukov, D.E. Nikolichev, S.Yu. Zubkov, J. Electron Spectr. Relat. Phenom., 229, 132 (2018). DOI: 10.1016/j.elspec.2017.11.004
  13. Е.В. Кучис, Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (Радио и связь, М., 1990), с. 52--55
  14. M.V. Lebedev, E. Mankel, T. Mayer, W. Jaegermann, J. Phys. Chem. C, 114 (49), 21385 (2010). DOI: 10.1021/jp104321e
  15. S. Hofmann, Auger- and X-ray photoelectron spectroscopy in materials science (Springer, Berlin, 2013), p. 30--62. DOI: 10.1007/978-3-642-27381-0

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme