Вышедшие номера
Электрон-фотонные взаимодействия в условиях размерного ограничения проводимости в полупроводниковых одиночных квантово-размерных частицах в межэлектродном нанозазоре
РФФИ, 20-07-00603
Жуков Н.Д.1, Гавриков М.В.1,2, Роках А.Г.2
1Общество с ограниченной ответственностью "НПП Волга", Саратов, Россия
2Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: ndzhukov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 13 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 7 декабря 2022 г.
Принята к печати: 8 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 8 января 2023 г.

Для квантово-размерных частиц полупроводников InSb, PbS, HgSe, CdSe предложена модель конкуренции процессов размерного квантового ограничения и блокировки одноэлектронным током и кулоновским ограничением, а также разогрева электронов электрическим полем световой волны. Это позволило объяснить наблюдаемую в условиях туннельной проводимости высокую кратность (до двух порядков) изменения фотопроводимости, а в условиях конфайнмента - отсутствие межзонной и межуровневой фотопроводимости. Наблюдаемые на вольт-амперных характеристиках резонансные токовые пики квантовой проводимости при облучении светом любой длины волны (в интервале 0.4-1.2 μm) обнуляются или сдвигаются в сторону меньших значений напряжения. Энергетический минимум регистрируемых при этом квантов оценен как 100 meV. Полученные результаты могут быть полезны при решении вопросов применения в неохлаждаемых ИК-детекторах, в том числе однофотонной регистрации. Ключевые слова: квантово-размерная частица, размерное квантование, одноэлектронный ток, однофотонный процесс, межзонные и внутризонные переходы, туннельная проводимость, кулоновское ограничение, квантовая проводимость.
  1. А.И. Аржанов, А.О. Савостьянов, К.А. Магарян, К.Р. Каримуллин, А.В. Наумов, Фотоника, 15 (8), 622 (2021). DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2021.15.8.622.641
  2. A. Gorodetsky, I.T. Leite, E.U. Rafailov, Appl. Phys. Lett., 119, 111102 (2021). DOI: 10.1063/5.00627201
  3. N.R. Abdullah, C.-Sh. Tang, A. Manolescu, V. Gudmundsson, Physica B, 641, 414097 (2022). DOI: 10.1016/j.physe.2020.113996
  4. Н.Д. Жуков, М.В. Гавриков, Письма в ЖТФ, 48 (8), 18 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.08.52361.19090 [N.D. Zhukov, M.V. Gavrikov, Tech. Phys. Lett., 48 (4), 56 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.04.53174.19090]
  5. С.А. Сергеев, М.В. Гавриков, Н.Д. Жуков, Письма в ЖТФ, 48 (9), 32 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.09.52448.19115 [S.A. Sergeev, M.V. Gavrikov, N.D. Zhukov, Tech. Phys. Lett., 48 (5), 26 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.05.53472.19115]
  6. Н.Д. Жуков, М.В. Гавриков, Междунар. науч.-исслед. журн., N 8-1 (110), 19 (2021). DOI: 10.23670/IRJ.2021.110.8.004
  7. I.A. Gorbachev, S.N. Shtykov, G. Brezesinski, E.G. Glukhovskoy, BioNanoScience, 7, 686 (2017). DOI: 10.1007/s12668-017-0404-4
  8. http://xumuk.ru/encyklopedia
  9. Н.Д. Жуков, М.В. Гавриков, С.Н. Штыков, ФТП, 56 (6), 552 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52588.9809
  10. Г.Ф. Глинский, Письма в ЖТФ, 44 (6), 17 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.06.45763.17113 [G.F. Glinskii, Tech. Phys. Lett., 44 (3), 232 (2018). DOI: 10.1134/S1063785018030161]
  11. Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В. Гельхофф, В.К. Иванов, И.А. Шелых, ФТП, 36 (4), 462 (2002). [N.T. Bagraev, A.D. Buravlev, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, W. Gehlhoff, V.K. Ivanov, I.A. Shelykh, Semiconductors, 36 (4), 439 (2002). DOI: 10.1134/1.1469195]
  12. Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, В.Л. Зерова, Д.А. Фирсов, ФТП, 37 (5), 604 (2003). [L.E. Vorob'ev, S.N. Danilov, V.L. Zerova, D.A. Firsov, Semiconductors, 37 (5), 586 (2003). DOI: 10.1134/1.1575366]
  13. Л.Е. Воробьев, В.Ю. Паневин, Н.К. Федосов, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, S. Hanna, A. Seilmeier, Kh. Moumanis, F. Julien, А.Е. Жуков, В.М. Устинов, ФТТ, 46 (1), 119 (2004). [L.E. Vorob'ev, V.Yu. Panevin, N.K. Fedosov, D.A. Firsov, V.A. Shalygin, S. Hanna, A. Seilmeier, Kh. Moumanis, F. Julien, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, Phys. Solid State, 46 (1), 118 (2004). DOI: 10.1134/1.1641936]
  14. И.А. Дмитриев, Р.А. Сурис, ФТП, 35 (2), 219 (2001). [I.A. Dmitriev, R.A. Suris, Semiconductors, 35 (2), 212 (2001). DOI: 10.1134/1.1349935].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.