Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 3 » Статья стр. 22
<<<>>>
Фоточувствительность полевого транзистора металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленки PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон
DOI: 10.21883/PJTF.2023.03.54461.19426
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 20-02-00324
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 19-29-12061
Климов А.Э. 1,2, Ахундов И.О. 1, Голяшов В.А. 1,3, Горшков Д.В. 1, Ищенко Д.В. 1, Сидоров Г.Ю. 1, Пащин Н.С. 1, Супрун С.П. 1, Тарасов А.С. 1, Федосенко Е.В. 1, Терещенко О.Е. 1,3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: klimov@isp.nsc.ru, akhundov@isp.nsc.ru, golyashov@isp.nsc.ru, gorshkovdv@isp.nsc.ru, ischenkod@isp.nsc.ru, George@isp.nsc.ru, paschin@isp.nsc.ru, suprun@isp.nsc.ru, tarasov1916@yandex.ru, fedos3000@gmail.com, oleg.tereshchenko11@gmail.com
Поступила в редакцию: 14 ноября 2022 г.
В окончательной редакции: 14 ноября 2022 г.
Принята к печати: 30 ноября 2022 г.
Выставление онлайн: 8 января 2023 г.
PDF версия
На основе пленки PbSnTe:In/(111)BaF2 впервые создан макет полевого транзистора со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзистора) c подзатворным диэлектриком Al2O3. При T=4.2 K под действием затворного напряжения -7.7<Ugate< +7.7 V относительное изменение тока сток-исток Delta Ids/Ids достигало ~ 5 раз. При освещении малыми (~ 100 photon/s) потоками обнаружена отрицательная фотопроводимость с уменьшением Ids до ~ 104 раз с одновременным уменьшением Delta Ids до ~ 103 раз и более. Оценка обнаружительной способности дала ~ 7· 1016 cm· Hz0.5· W-1 на длине волны λ~ 25 μm при времени накопления ~ 0.5 s. Обсуждается качественная модель, предполагающая существование глубоких уровней ловушек и фотоемкостного эффекта. Ключевые слова: эпитаксиальные пленки, PbSnTe:In, МДП-транзистор, отрицательная фотопроводимость, приемник излучения.
  1. Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов, Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS (Наука, М., 1968)
  2. G. Springholz, Molecular beam epitaxy. From research to mass production, 2nd ed. (Elsevier, Netherlands, 2018), p. 211--276, 233--236
  3. A. Rogalski, Infrared and terahertz detectors, 3rd ed. (CRC Press, Boca Raton, 2019), p. 527--578, 936, 981, 999
  4. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов, УФН, 172 (8), 875 (2002). DOI: 10.3367/UFNr.0172.200208b.0875 [B.A. Volkov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov, Phys. Usp., 45 (8), 819 (2002). DOI: 10.1070/PU2002v045n08ABEH001146]
  5. D.A. Lilly, D.E. Joslin, H.K.A. Kan, Inf. Phys., 18 (1), 51 (1978). DOI: 10.1016/0020-0891(78)90010-6
  6. P.H. Zimmermann, M.E. Mathews, D.E. Joslin, J. Appl. Phys., 50, 5815 (1979). DOI: 10.1063/1.326725
  7. Б.М. Вул, И.Д. Воронова, Г.А. Калюжная, Т.С. Мамедов, Т.Ш. Рагимова, Письма в ЖЭТФ, 29 (1), 21 (1979). [B.M. Vul, I.D. Voronova, G.A. Kalyuzhnaya, T.S. Mamedov, T.Sh. Ragimova, JETP Lett., 29 (1), 18 (1979).]
  8. А.Э. Климов, В.А. Голяшов, Д.В. Горшков, Е.В. Матюшенко, И.Г. Неизвестный, Г.Ю. Сидоров, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, О.Е. Терещенко, ФТП, 56 (2), 243 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.02.51969.30 [A.E. Klimov, V.A. Golyashov, D.V. Gorshkov, E.V. Matyushenko, I.G. Neizvestny, G.Yu. Sidorov, N.S. Paschin, S.P. Suprun, O.E. Tereshchenko, Semiconductors, 56 (2), 182 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.02.53273.30]
  9. А.Э. Климов, А.Ю. Миронов, И.О. Ахундов, В.А. Голяшов, Д.В. Горшков, Д.В. Ищенко, Н.С. Пащин, Г.Ю. Сидоров, С.П. Супрун, А.С. Тарасов, Е.В. Федосенко, О.Е. Терещенко, в сб. тез. докл. XV Рос. конф. по физике полупроводников (Нижний Новгород, 2022), с. 67. https://semicond2022.ru/file/29/b86bdcf0/abstracts.pdf
  10. А.Н. Акимов, А.Э. Климов, С.В. Морозов, С.П. Супрун, В.С. Эпов, А.В. Иконников, М.А. Фадеев, В.В. Румянцев, ФТП, 50 (12), 1713 (2016). [A.N. Akimov, A.E. Klimov, S.V. Morozov, S.P. Suprun, V.S. Epov, A.V. Ikonnikov, M.A. Fadeev, V.V. Rumyantsev, Semiconductors, 50 (12), 1684 (2016). DOI: 10.1134/S1063782616120022]
  11. R.A. Hopfel, Appl. Phys. Lett., 52 (10), 801 (1988). DOI: 10.1063/1.99288
  12. А.Э. Климов, В.Н. Шумский, Прикладная физика, N 3, 74 (2004)
  13. А.Е. Кожанов, А.В. Никорич, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов, ФТП, 40 (9), 1047 (2006). [A.E. Kozhanov, A.V. Nikorich, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov, Semiconductors, 40 (9), 1021 (2006). DOI: 10.1134/S1063782606090053]
  14. A.G. Klimenko, A.E. Klimov, I.G. Neizvestny, A.A. Fratsuzov, V.N. Shumsky, in Narrow gap semiconductors, ed. by S.C. Shen, D.V. Tang, G.V. Zheng, G. Bauer (World Scientific, 1997), p. 164

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme