Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Резистивное переключение мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур p-Si/p-Ge/n+-Si(001) с Ru- и Ag-электродами
Переводная версия: 10.21883/TPL.2023.01.55336.19367 
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: dmitry_filatov@inbox.ru
Поступила в редакцию: 15 сентября 2022 г.
В окончательной редакции: 22 октября 2022 г.
Принята к печати: 23 октября 2022 г.
Выставление онлайн: 10 декабря 2022 г.
Исследованы электрические характеристики лабораторных макетов мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур p-Si/p-Ge/n+-Si(001) с Ag- и Ru-электродами. Мемристоры с Ru-электродами демонстрируют меньшее напряжение электроформовки и большее отношение токов в состояниях с низким и высоким значениями сопротивления по сравнению с мемристорами с Ag-электродами. Также в мемристорах с Ru-электродами обнаружена инверсия полярности резистивного переключения. Указанные эффекты обусловлены большей подвижностью ионов Ru3+ в прорастающих дислокациях в слоях p-Si/p-Ge вследствие их меньшего ионного радиуса. Ключевые слова: мемристор, эпитаксиальные слои SiGe, резистивное переключение.
- J. Rupp, D. Ielmini, I. Valov, Resistive switching: oxide materials, mechanisms, devices and operations (Springer, Berlin-Heidelberg, 2021). DOI: 10.1007/978-3-030-42424-4
- I. Riess, J. Electroceram., 39 (1-4), 61 (2017). DOI: 10.1007/s10832-017-0092-z
- A. Mehonic, A. Shluger, D. Gao, I. Valov, E. Miranda, D. Ielmini, A. Bricalli, E. Ambrosi, C. Li, J. Yang, Q. Xia, A. Kenyon, Adv. Mater., 30 (43), 1801187 (2018). DOI: 10.1002/adma.201801187
- K. Szot, G. Bihlmayer, W. Speier, Solid State Phys., 65, 353 (2014). DOI: 10.1016/B978-0-12-800175-2.00004-2
- S. Choi, S.H. Tan, Z. Li, Y. Kim, C. Choi, P.-Y. Chen, H. Yeon, S. Yu, J. Kim, Nat. Mater., 17, 335 (2018). DOI: 10.1038/s41563-017-0001-5
- О.Н. Горшков, В.Г. Шенгуров, С.А. Денисов, В.Ю. Чалков, И.Н. Антонов, А.В. Круглов, М.Е. Шенина, В.Е. Котомина, Д.О. Филатов, Д.А. Серов, Письма в ЖТФ, 46 (2), 44 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48953.18075 [O.N. Gorshkov, V.G. Shengurov, S.A. Denisov, V.Yu. Chalkov, I.N. Antonov, A.V. Kruglov, M.E. Shenina, V.E. Kotomina, D.O. Filatov, D.A. Serov, Tech. Phys. Lett., 46 (1), 91 (2020). DOI: 10.1134/S106378502001023X]
- Д.О. Филатов, А.П. Горшков, Н.С. Волкова, Д.В. Гусейнов, Н.А. Алябина, М.М. Иванова, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, В.Г. Шенгуров, ФТП, 49 (3), 399 (2015). [D.O. Filatov, A.P. Gorshkov, N.S. Volkova, D.V. Guseinov, N.A. Alyabina, M.M. Ivanova, V.Yu. Chalkov, S.A. Denisov, V.G. Shengurov, Semiconductors, 49 (3), 387 (2015). DOI: 10.1134/S1063782615030082]
- В.М. Денисов, С.А. Истомин, Н.В. Белоусова, Л.Т. Денисова, Э.А. Пастухов, Серебро и его сплавы (УрО РАН, Екатеринбург, 2011)
- V. Shengurov, S. Denisov, V. Chalkov, V. Trushin, A. Zaitsev, D. Prokhorov, D. Filatov, A. Zdoroveishchev, M. Ved', A. Kudrin, M. Dorokhin, Yu. Buzynin, Mater. Sci. Semicond. Process., 100, 175 (2019). DOI: 10.1016/j.mssp.2019.05.005
- O. Gorshkov, D. Filatov, S. Koveshnikov, M. Shenina, O. Soltanovich, V. Shengurov, S. Denisov, V. Chalkov, I. Antonov, D. Pavlov, J. Phys.: Conf. Ser., 1695 (1), 012158 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1695/1/012158
- W. Kim, S. Menzel, D.J. Wouters, Y. Guo, J. Robertson, B. Roesgen, R. Waser, V. Rana, Nanoscale, 8 (41), 17774 (2016). DOI: 10.1039/C6NR03810G
- W. Wang, M. Wang, E. Ambrosi, A. Bricalli, M. Laudato, Z. Sun, X. Chen, D. Ielmini, Nat. Commun., 10, 81 (2019). DOI: 10.1038/s41467-018-07979-0
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
