Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 24 » Статья стр. 42
<<<
Особенности роста массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии
DOI: 10.21883/PJTF.2022.24.54024.19389
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.12.54955.19389
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 20-52-12006
Блохин С.А. 1, Васильев А.П. 2, Надточий А.М. 3, Прасолов Н.Д. 1, Неведомский В.Н. 1, Бобров М.А. 1, Блохин А.А. 1, Кузьменков А.Г. 1, Малеев Н.А. 1, Устинов В.М. 2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
Email: blokh@mail.ioffe.ru, vasiljev@mail.ioffe.ru, nikpras@bk.ru, nevedom@mail.ioffe.ru, bobrov.mikh@gmail.com, aleksey.a.blokhin@gmail.com, kuzmenkov@mail.ioffe.ru, Maleev@beam.ioffe.ru, vmust@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 1 ноября 2022 г.
Принята к печати: 1 ноября 2022 г.
Выставление онлайн: 27 ноября 2022 г.
PDF версия
Экспериментально исследовано влияние температуры подложки и потока адатомов In на структурные и оптические характеристики массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью. Повышение температуры подложки в условиях высокого потока адатомов In способствует усилению их поверхностной миграции и некоторому снижению плотности массива квантовых точек до уровня ~ (1-2)· 1010 cm-2, однако при этом наблюдается существенный коротковолновый сдвиг спектра фотолюминесценции, несмотря на увеличение латеральных размеров точек. Уменьшение падающего потока адатомов In при оптимальных температурах подложки позволяет более эффективно уменьшить плотность точек (до уровня ~ (1-2)· 109 cm-2), а также сместить спектр фотолюминесценции точек в длинноволновую область (до ~ 1200 nm при температуре измерений 10 K). Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, квантовые точки, поверхностная плотность.
  1. C. Santori, D. Fattal, Y. Yamamoto, Single-photon devices and applications (Wiley-VCH, Wenheim, 2010)
  2. P. Michler, Quantum dots for quantum information technologies (Springer, Stuttgart, 2017). DOI: 10.1007/978-3-319-56378-7
  3. D. Leonard, K. Pond, P.M. Petroff, Phys. Rev. B, 50 (16), 11687 (1994). DOI: 10.1103/PhysRevB.50.11687
  4. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг, ФТП, 32 (4), 385 (1998). [N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg, Semiconductors, 32 (4), 343 (1998). DOI: 10.1134/1.1187396].
  5. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, D. Bimberg, V.M. Ustinov, N.A. Cherkashin, Yu.G. Musikhin, B.V. Volovik, G.E. Cirlin, Zh.I. Alferov, Semicond. Sci. Technol., 16 (6), 502 (2001). DOI: 10.1088/0268-1242/16/6/316
  6. G. Trevisi, L. Seravalli, P. Frigeri, S. Franchi, Nanotechnology, 20 (41), 415607 (2009). DOI: 10.1088/0957-4484/20/41/415607
  7. B. Alloing, C. Zinoni, L.H. Li, A. Fiore, G. Patriarche, J. Appl. Phys., 101 (2), 024918 (2007). DOI: 10.1063/1.2427104
  8. S. Huang, Z. Niu, H. Ni, Y. Xiong, F. Zhan, Z. Fang, J. Xia, J. Cryst. Growth, 301-302, 751 (2007). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.299
  9. L.H. Li, N. Chauvin, G. Patriarche, B. Alloing, A. Fiore, J. Appl. Phys., 104 (8), 083508 (2008). DOI: 10.1063/1.3000483
  10. J. Sun, P. Jin, Z.-G. Wang, Nanotechnology, 15 (12), 1763 (2004). DOI: 10.1088/0957-4484/15/12/012
  11. R. Kumar, Y. Maidaniuk, S.K. Saha, Y.I. Mazur, G.J. Salamo, J. Appl. Phys., 127 (6), 065306 (2020). DOI: 10.1063/1.5139400
  12. Z.-S. Chen, B. Ma, X.-J. Shang, Y. He, L.-C. Zhang, H.-Q.Ni, J.-L. Wang, Z.-C. Niu, Nanoscale Res. Lett., 11 (1), 382 (2016). DOI: 10.1186/s11671-016-1597-0
  13. Ch. Heyn, Phys. Rev. B, 64 (16), 165306 (2001). DOI: 10.1103/PhysRevB.64.165306
  14. Н.А. Черкашин, М.В. Максимов, А.Г. Макаров, В.А. Щукин, В.М. Устинов, Н.В. Луковская, Ю.Г. Мусихин, Г.Э. Цырлин, Н.А. Берт, Ж.И. Алфёров, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг, ФТП, 37 (7), 890 (2003). [N.A. Cherkashin, M.V. Maksimov, A.G. Makarov, V.A. Shchukin, V.M. Ustinov, N.V. Lukovskaya, Yu.G. Musikhin, G.E. Cirlin, N.A. Bert, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Semiconductors, 37 (7), 861 (2003). DOI: 10.1134/1.1592865]
  15. I. Kamiya, I. Tanaka, H. Sakaki, J. Cryst. Growth, 201-202, 1146 (1999). DOI: 10.1016/s0022-0248(99)00005-6
  16. M. Gschrey, F. Gericke, A. Schussler, R. Schmidt, J.-H. Schulze, T. Heindel, S. Rodt, A. Strittmatter, S. Reitzenstein, Appl. Phys. Lett., 102 (25), 251113 (2013). DOI: 10.1063/1.4812343
  17. S. Rodt, S. Reitzenstein, Nano Express, 2 (1), 014007 (2021). DOI: 10.1088/2632-959X/abed3c
  18. A.K. Nowak, S.L. Portalupi, V. Giesz, O. Gazzano, C. Dal Savio, P.-F. Braun, K. Karrai, C. Arnold, L. Lanco, I. Sagnes, A. Lema\^itre, P. Senellart, Nat. Commun., 5, 3240 (2014). DOI: 10.1038/ncomms4240
  19. L. Sapienza, M. Davanco, A. Badolato, K. Srinivasan, Nat. Commun., 6, 7833 (2015). DOI: 10.1038/ncomms8833
  20. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, Yu.G. Musikhin, V.B. Volovik, A. Schliwa, O. Stier, R. Heitz, D. Bimberg, MRS Online Proc. Library, 618, 79 (2000). DOI: 10.1557/proc-618-79

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme