Особенности роста массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 20-52-12006
Блохин С.А.
1, Васильев А.П.
2, Надточий А.М.
3, Прасолов Н.Д.
1, Неведомский В.Н.
1, Бобров М.А.
1, Блохин А.А.
1, Кузьменков А.Г.
1, Малеев Н.А.
1, Устинов В.М.
21Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
Email: blokh@mail.ioffe.ru, vasiljev@mail.ioffe.ru, nikpras@bk.ru, nevedom@mail.ioffe.ru, bobrov.mikh@gmail.com, aleksey.a.blokhin@gmail.com, kuzmenkov@mail.ioffe.ru, Maleev@beam.ioffe.ru, vmust@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 1 ноября 2022 г.
Принята к печати: 1 ноября 2022 г.
Выставление онлайн: 27 ноября 2022 г.
Экспериментально исследовано влияние температуры подложки и потока адатомов In на структурные и оптические характеристики массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью. Повышение температуры подложки в условиях высокого потока адатомов In способствует усилению их поверхностной миграции и некоторому снижению плотности массива квантовых точек до уровня ~ (1-2)· 1010 cm-2, однако при этом наблюдается существенный коротковолновый сдвиг спектра фотолюминесценции, несмотря на увеличение латеральных размеров точек. Уменьшение падающего потока адатомов In при оптимальных температурах подложки позволяет более эффективно уменьшить плотность точек (до уровня ~ (1-2)· 109 cm-2), а также сместить спектр фотолюминесценции точек в длинноволновую область (до ~ 1200 nm при температуре измерений 10 K). Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, квантовые точки, поверхностная плотность.
- C. Santori, D. Fattal, Y. Yamamoto, Single-photon devices and applications (Wiley-VCH, Wenheim, 2010)
- P. Michler, Quantum dots for quantum information technologies (Springer, Stuttgart, 2017). DOI: 10.1007/978-3-319-56378-7
- D. Leonard, K. Pond, P.M. Petroff, Phys. Rev. B, 50 (16), 11687 (1994). DOI: 10.1103/PhysRevB.50.11687
- Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг, ФТП, 32 (4), 385 (1998). [N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg, Semiconductors, 32 (4), 343 (1998). DOI: 10.1134/1.1187396].
- N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, D. Bimberg, V.M. Ustinov, N.A. Cherkashin, Yu.G. Musikhin, B.V. Volovik, G.E. Cirlin, Zh.I. Alferov, Semicond. Sci. Technol., 16 (6), 502 (2001). DOI: 10.1088/0268-1242/16/6/316
- G. Trevisi, L. Seravalli, P. Frigeri, S. Franchi, Nanotechnology, 20 (41), 415607 (2009). DOI: 10.1088/0957-4484/20/41/415607
- B. Alloing, C. Zinoni, L.H. Li, A. Fiore, G. Patriarche, J. Appl. Phys., 101 (2), 024918 (2007). DOI: 10.1063/1.2427104
- S. Huang, Z. Niu, H. Ni, Y. Xiong, F. Zhan, Z. Fang, J. Xia, J. Cryst. Growth, 301-302, 751 (2007). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.299
- L.H. Li, N. Chauvin, G. Patriarche, B. Alloing, A. Fiore, J. Appl. Phys., 104 (8), 083508 (2008). DOI: 10.1063/1.3000483
- J. Sun, P. Jin, Z.-G. Wang, Nanotechnology, 15 (12), 1763 (2004). DOI: 10.1088/0957-4484/15/12/012
- R. Kumar, Y. Maidaniuk, S.K. Saha, Y.I. Mazur, G.J. Salamo, J. Appl. Phys., 127 (6), 065306 (2020). DOI: 10.1063/1.5139400
- Z.-S. Chen, B. Ma, X.-J. Shang, Y. He, L.-C. Zhang, H.-Q.Ni, J.-L. Wang, Z.-C. Niu, Nanoscale Res. Lett., 11 (1), 382 (2016). DOI: 10.1186/s11671-016-1597-0
- Ch. Heyn, Phys. Rev. B, 64 (16), 165306 (2001). DOI: 10.1103/PhysRevB.64.165306
- Н.А. Черкашин, М.В. Максимов, А.Г. Макаров, В.А. Щукин, В.М. Устинов, Н.В. Луковская, Ю.Г. Мусихин, Г.Э. Цырлин, Н.А. Берт, Ж.И. Алфёров, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг, ФТП, 37 (7), 890 (2003). [N.A. Cherkashin, M.V. Maksimov, A.G. Makarov, V.A. Shchukin, V.M. Ustinov, N.V. Lukovskaya, Yu.G. Musikhin, G.E. Cirlin, N.A. Bert, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Semiconductors, 37 (7), 861 (2003). DOI: 10.1134/1.1592865]
- I. Kamiya, I. Tanaka, H. Sakaki, J. Cryst. Growth, 201-202, 1146 (1999). DOI: 10.1016/s0022-0248(99)00005-6
- M. Gschrey, F. Gericke, A. Schussler, R. Schmidt, J.-H. Schulze, T. Heindel, S. Rodt, A. Strittmatter, S. Reitzenstein, Appl. Phys. Lett., 102 (25), 251113 (2013). DOI: 10.1063/1.4812343
- S. Rodt, S. Reitzenstein, Nano Express, 2 (1), 014007 (2021). DOI: 10.1088/2632-959X/abed3c
- A.K. Nowak, S.L. Portalupi, V. Giesz, O. Gazzano, C. Dal Savio, P.-F. Braun, K. Karrai, C. Arnold, L. Lanco, I. Sagnes, A. Lema\^itre, P. Senellart, Nat. Commun., 5, 3240 (2014). DOI: 10.1038/ncomms4240
- L. Sapienza, M. Davanco, A. Badolato, K. Srinivasan, Nat. Commun., 6, 7833 (2015). DOI: 10.1038/ncomms8833
- V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, Yu.G. Musikhin, V.B. Volovik, A. Schliwa, O. Stier, R. Heitz, D. Bimberg, MRS Online Proc. Library, 618, 79 (2000). DOI: 10.1557/proc-618-79
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.