Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 21 » Статья стр. 40
<<<>>>
Определение концентрации донорной примеси в тонких слоях i-InGaAs
DOI: 10.21883/PJTF.2022.21.53712.19348
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.11.54886.19348
Аксенов М.С.1,2, Закиров Е.Р.1, Ковчавцев А.П.1, Настовьяк A.Е.1, Дмитриев Д.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: aksenov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 24 августа 2022 г.
В окончательной редакции: 21 сентября 2022 г.
Принята к печати: 21 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 16 октября 2022 г.
PDF версия
Описана методика, позволяющая путем анализа вольт-фарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник или металл-полупроводник определять концентрацию фоновой донорной примеси в нелегированных слоях i-In0.53Ga0.47As с толщиной меньше ширины области пространственного заряда в приповерхностной области полупроводника в режиме сильной инверсии. Ключевые слова: InGaAs, МДП-структура, вольт-фарадная характеристика, легирующая примесь, область пространственного заряда.
  1. A. Rogalsky, Infrared detectors, 2nd ed. (CRC Press, Boca Raton, 2020)
  2. K.S. Zhuravlev, A.L. Chizh, K.B. Mikitchuk, A.M. Gilinsky, I.B. Chistokhin, N.A. Valisheva, D.V. Dmitriev, A.I. Toropov, M.S. Aksenov, J. Semicond., 43, 012302 (2022). DOI: 10.1088/1674-4926/43/1/012302
  3. V.V. Preobrazhenskii, I.B. Chistokhin, M.A. Putyato, N.A. Valisheva, E.A. Emelyanov, M.O. Petrushkov, A.S. Pleshkov, I.G. Neizvestny, I.I. Ryabtsev, Optoelectron. Instrum. Data Proc., 57, 485 (2021). DOI: 10.3103/S8756699021050125
  4. E. O'Connor, K. Cherkaoui, S. Monaghan, B. Sheehan, I.M. Povey, P.K. Hurley, Appl. Phys. Lett., 110, 032902 (2017). DOI: 10.1063/1.4973971
  5. S. Karata s, A. Turut, Physica B, 381, 199 (2006). DOI: 10.1016/j.physb.2006.01.412
  6. S. Eom, M.-W. Kong, K.-S. Seo, in Recent advances in nanophotonics: fundamentals and applications (IntechOpen, 2020), ch. 7. DOI: 10.5772/intechopen.92424
  7. S.K. Kim, D.-M. Geum, J.-P. Shim, C.Z. Kim, H.-J. Kim, J.D. Song, W.J. Choi, S.-J. Choi, D.H. Kim, S. Kim, D.M. Kim, Appl. Phys. Lett., 110, 043501 (2017). DOI: 10.1063/1.4974893
  8. C.-Y. Chang, C. Yokoyama, M. Takenaka, S. Takagi, IEEE Trans. Electron Dev., 64, 2519 (2017). DOI: 10.1109/TED.2017.2696741
  9. M.S. Aksenov, N.A. Valisheva, D.V. Gorshkov, G.Y. Sidorov, I.P. Prosvirin, A.K. Gutakovskii, J. Appl. Phys., 131, 085301 (2022). DOI: 10.1063/5.0078405
  10. P.K. Hurley, E. O'Connor, V. Djara, S. Monaghan, I.M. Povey, R.D. Long, B. Sheehan, J. Lin, P.C. McIntyre, B. Brennan, R.M. Wallace, M.E. Pemble, K. Cherkaoui, IEEE Trans. Dev. Mater. Rel., 13, 429 (2013). DOI: 10.1109/TDMR.2013.2282216
  11. F. Palumbo, F.L. Aguirre, S.M. Pazos, I. Krylov, R. Winter, M. Eizenberg, Solid-State Electron., 149, 71 (2018). DOI: 10.1016/j.sse.2018.07.006
  12. A.P. Kovchavtsev, A.V. Tsarenko, A.A. Guzev, M.S. Aksenov, V.G. Polovinkin, A.E. Nastovjak, N.A. Valisheva, J. Appl. Phys., 118, 125704 (2015). DOI: 10.1063/1.4931772
  13. http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaInAs/index.html
  14. Y. Yuan, L. Wang, B. Yu, B. Shin, J. Ahn, P.C. McIntyre, P.M. Asbeck, M.J.W. Rodwell, Y. Taur, IEEE Electron Dev. Lett., 32, 485 (2011). DOI: 10.1109/LED.2011.2105241

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme