Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Определение концентрации донорной примеси в тонких слоях i-InGaAs
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.11.54886.19348 
Аксенов М.С.1,2, Закиров Е.Р.1, Ковчавцев А.П.1, Настовьяк A.Е.1, Дмитриев Д.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: aksenov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 24 августа 2022 г.
В окончательной редакции: 21 сентября 2022 г.
Принята к печати: 21 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 16 октября 2022 г.
Описана методика, позволяющая путем анализа вольт-фарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник или металл-полупроводник определять концентрацию фоновой донорной примеси в нелегированных слоях i-In0.53Ga0.47As с толщиной меньше ширины области пространственного заряда в приповерхностной области полупроводника в режиме сильной инверсии. Ключевые слова: InGaAs, МДП-структура, вольт-фарадная характеристика, легирующая примесь, область пространственного заряда.
- A. Rogalsky, Infrared detectors, 2nd ed. (CRC Press, Boca Raton, 2020)
- K.S. Zhuravlev, A.L. Chizh, K.B. Mikitchuk, A.M. Gilinsky, I.B. Chistokhin, N.A. Valisheva, D.V. Dmitriev, A.I. Toropov, M.S. Aksenov, J. Semicond., 43, 012302 (2022). DOI: 10.1088/1674-4926/43/1/012302
- V.V. Preobrazhenskii, I.B. Chistokhin, M.A. Putyato, N.A. Valisheva, E.A. Emelyanov, M.O. Petrushkov, A.S. Pleshkov, I.G. Neizvestny, I.I. Ryabtsev, Optoelectron. Instrum. Data Proc., 57, 485 (2021). DOI: 10.3103/S8756699021050125
- E. O'Connor, K. Cherkaoui, S. Monaghan, B. Sheehan, I.M. Povey, P.K. Hurley, Appl. Phys. Lett., 110, 032902 (2017). DOI: 10.1063/1.4973971
- S. Karata s, A. Turut, Physica B, 381, 199 (2006). DOI: 10.1016/j.physb.2006.01.412
- S. Eom, M.-W. Kong, K.-S. Seo, in Recent advances in nanophotonics: fundamentals and applications (IntechOpen, 2020), ch. 7. DOI: 10.5772/intechopen.92424
- S.K. Kim, D.-M. Geum, J.-P. Shim, C.Z. Kim, H.-J. Kim, J.D. Song, W.J. Choi, S.-J. Choi, D.H. Kim, S. Kim, D.M. Kim, Appl. Phys. Lett., 110, 043501 (2017). DOI: 10.1063/1.4974893
- C.-Y. Chang, C. Yokoyama, M. Takenaka, S. Takagi, IEEE Trans. Electron Dev., 64, 2519 (2017). DOI: 10.1109/TED.2017.2696741
- M.S. Aksenov, N.A. Valisheva, D.V. Gorshkov, G.Y. Sidorov, I.P. Prosvirin, A.K. Gutakovskii, J. Appl. Phys., 131, 085301 (2022). DOI: 10.1063/5.0078405
- P.K. Hurley, E. O'Connor, V. Djara, S. Monaghan, I.M. Povey, R.D. Long, B. Sheehan, J. Lin, P.C. McIntyre, B. Brennan, R.M. Wallace, M.E. Pemble, K. Cherkaoui, IEEE Trans. Dev. Mater. Rel., 13, 429 (2013). DOI: 10.1109/TDMR.2013.2282216
- F. Palumbo, F.L. Aguirre, S.M. Pazos, I. Krylov, R. Winter, M. Eizenberg, Solid-State Electron., 149, 71 (2018). DOI: 10.1016/j.sse.2018.07.006
- A.P. Kovchavtsev, A.V. Tsarenko, A.A. Guzev, M.S. Aksenov, V.G. Polovinkin, A.E. Nastovjak, N.A. Valisheva, J. Appl. Phys., 118, 125704 (2015). DOI: 10.1063/1.4931772
- http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaInAs/index.html
- Y. Yuan, L. Wang, B. Yu, B. Shin, J. Ahn, P.C. McIntyre, P.M. Asbeck, M.J.W. Rodwell, Y. Taur, IEEE Electron Dev. Lett., 32, 485 (2011). DOI: 10.1109/LED.2011.2105241
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
