Температурные характеристики кольцевых лазеров с активной областью на основе InAs/InGaAs/GaAs-квантовых точек оптического диапазона 1.3 μm 
		
	
		
			Министерство науки и высшего образования РФ , 0791-2020-0002		
		
			НИУ ВШЭ, Программа фундаментальных исследований 		
	 
	
Гордеев Н.Ю.
 1
1, Моисеев Э.И.
 2
2, Фоминых Н.А.
 2
2, Крыжановская Н.В.
2, Бекман А.А.
 1
1, Корнышов Г.О.
 3
3, Зубов Ф.И.
 3
3, Шерняков Ю.М.
 1
1, Жуков А.Е.
2, Максимов М.В.
 3
31Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
 2
2Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия 
 3
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 

 Email: gordeev@switch.ioffe.ru, emoiseev@hse.ru, fominy-nikita@yandex.ru, spbgate21@gmail.com, supergrigoir@gmail.com, fedyazu@mail.ru, yuri.shernyakov@mail.ioffe.ru, maximov@beam.ioffe.ru
 
	Поступила в редакцию: 20 июля 2022 г.
		
	В окончательной редакции: 20 июля 2022 г.
		
	Принята к печати: 5 августа 2022 г.
		
	Выставление онлайн: 28 августа 2022 г.
		
		
 Исследованы температурные характеристики кольцевых лазеров диаметром 480 μm оригинальной конструкции с активной областью на основе десяти слоев квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs. Лазеры продемонстрировали низкую пороговую плотность тока (200 А/cm2 при 20oC в непрерывном режиме генерации), характеристическая температура порогового тока в диапазоне 20-100oC составила 68 K, максимальная температура генерации 130oC. Данные величины лишь незначительно уступают параметрам торцевых лазеров, изготовленных из той же эпитаксиальной структуры. Ключевые слова: кольцевые полупроводниковые лазеры, квантовые точки InAs/GaAs, оптический волновод, температурные характеристики. 
-  K. Van Gasse, S. Uvin, V. Moskalenko, S. Latkowski, G. Roelkens, E. Bente, B. Kuyken, IEEE Photon. Technol. Lett., 31 (23), 1870 (2019). DOI: 10.1109/LPT.2019.2945973
-  S. Latkowski, V. Moskalenko, S. Tahvili, L. Augustin, M. Smit, K. Williams, E. Bente, Opt. Lett., 40 (1), 77 (2015). DOI: 10.1364/OL.40.000077
-  V. Moskalenko, S. Latkowski, S. Tahvili, T. de Vries, M. Smit, E. Bente, Opt. Express, 22 (23), 28865 (2014). DOI: 10.1364/OE.22.028865
-  V. Moskalenko, J. Koelemeij, K. Williams, E. Bente, Opt. Lett., 42 (7), 1428 (2017). DOI: 10.1364/OL.42.001428
-  J.S. Parker, P.R.A. Binetti, Y.-J. Hung, L.A. Coldren, J. Light. Technol., 30 (9), 1278 (2012). DOI: 10.1109/JLT.2012.2184264
-  K. Takada, Y. Tanaka, T. Matsumoto, M. Yamaguchi, T. Kageyama, K. Nishi, Y. Nakata, T. Yamamoto, M. Sugawara, Y. Arakawa, in CLEO2011 --- Laser applications to photonic applications (OSA, Washington, D.C., 2011), paper CFD5. DOI: 10.1364/CLEO_SI.2011.CFD5
-  T. Kageyama, K. Nishi, M. Yamaguchi, R. Mochida, Y. Maeda, K. Takemasa, Y. Tanaka, T. Yamamoto, M. Sugawara, Y. Arakawa, in 2011 Conf. on Lasers and Electro-Optics Eur. and 12th Eur. Quantum Electronics Conf. (CLEO EUROPE/EQEC) (IEEE, 2011), p. 1-1. DOI: 10.1109/CLEOE.2011.5943701
-  N.Y. Gordeev, M.M. Kulagina, Y.A. Guseva, A.A. Serin, A.S. Payusov, G.O. Kornyshov, F.I. Zubov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, Laser Phys. Lett., 19 (6), 066201 (2022). DOI: 10.1088/1612-202X/ac6a62 
-  M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Y.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Z.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Y.G. Musikhin, W. Neumann, Phys. Rev. B, 62 (24), 16671 (2000). DOI: 10.1103/PhysRevB.62.16671
-  M.V. Maximov, L.V. Asryan, Y.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul'nikov, I.N. Kaiander, V.V. Nikolaev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Z.I. Alferov, N.N. Ledenstou, D. Bimberg, IEEE J. Quantum Electron., 37 (5), 676 (2001). DOI: 10.1109/3.918581 
		
			Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
		
		
			Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.