Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 18 » Статья стр. 6
<<<>>>
Гибкие солнечные элементы на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с улучшенными массогабаритными характеристиками
DOI: 10.21883/PJTF.2022.18.53390.19245
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.09.55081.19245
Голтаев А.С.1, Воробьев А.А.1, Можаров А.М.1, Павлов А.В.1, Митин Д.М.1,2, Федоров В.В.1,2, Бердников Ю.С.1, Мухин И.С.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: akbapnym@yandex.ru
Поступила в редакцию: 6 мая 2022 г.
В окончательной редакции: 25 июля 2022 г.
Принята к печати: 25 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 28 августа 2022 г.
PDF версия
Обсуждаются вопросы создания гибкого солнечного элемента на основе классического гетероперехода GaAs/AlGaAs с использованием жертвенного слоя InAlP для отделения гетероструктуры от ростовой подложки, где в качестве подложки-носителя использована мембрана из полиметилметакрилата. Комбинация данных решений позволила достичь высокого показателя удельной мощности - 750 W/kg. Ключевые слова: солнечный элемент, GaAs, ELO, гибкая электроника.
  1. N. Ali, R. Ahmed, J. Luo, M. Wang, A. Kalam, A.G. Al-Sehemi, Y. Fu, Mater. Sci. Semicond. Process, 107, 104810 (2020). DOI: 10.1016/J.MSSP.2019.104810
  2. M. Reese, S. Glynn, M. Kempe, D. McGott, M. Dabney, T. Barnes, S. Booth, D. Feldman, N. Haegel, Nature Energy, 3 (11), 1002 (2018). DOI: 10.1038/s41560-018-0258-1
  3. M. Green, E. Dunlop, J. Hohl-Ebinger, M. Yoshita, N. Kopidakis, X. Hao, Prog. Photovolt., 29 (1), 3 (2021). DOI: 10.1002/PIP.3371
  4. H.L. Chen, A. Cattoni, R. Lepinau, A.W. Walker, O. Hohn, D. Lackner, G. Siefer, M. Faustini, N. Vandamme, J. Goffard, B. Behaghel, C. Dupuis, N. Bardou, F. Dimroth, S. Collin, Nature Energy, 4 (9), 761 (2019). DOI: 10.1038/s41560-019-0434-y
  5. K. Papatryfonos, T. Angelova, A. Brimont, B. Reid, S. Guldin, P.R. Smith, M. Tang, K. Li, A.J. Seeds, H. Liu, D.R. Selviah, AIP Adv., 11 (2), 025327 (2021). DOI: 10.1063/5.0039631
  6. S. Adachi, Properties of group-IV, III-V and II-VI semiconductors (Wiley, 2005). DOI: 10.1002/0470090340
  7. J.W. Leem, J.S. Yu, D.H. Jun, J. Heo, W.K. Park, Solar Energy Mater. Solar Cells, 127, 43 (2014). DOI: 10.1016/j.solmat.2014.03.041
  8. D.M. Mitin, F.Y. Soldatenkov, A.M. Mozharov, A.A. Vasilev, V.V. Neplokh, I.S. Mukhin, Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 9 (6), 789 (2018). DOI: 10.17586/2220-8054-2018-9-6-789-792
  9. M.R. Melloch, Solar Сells, 30 (1-4), 313 (1991). DOI: 10.1016/0379-6787(91)90064-v
  10. М.А. Путято, Н.А. Валишева, М.О. Петрушков, В.В. Преображенский, И.Б. Чистохин, Б.Р. Семягин, Е.А. Емельянов, А.В. Васев, А.Ф. Скачков, Г.И. Юрко, И.И. Нестеренко, ЖТФ, 89 (7), 1071 (2019). DOI: 10.21883/JTF.2019.07.47802.438-18 [M.A. Putyato, N.A. Valisheva, M.O. Petrushkov, V.V. Preobrazhenskii, I.B. Chistokhin, B.R. Semyagin, E.A. Emel'yanov, A.V. Vasev, A.F. Skachkov, G.I. Yurko, I.I. Nesterenko, Tech. Phys., 64 (7), 1010 (2019). DOI: 10.1134/S106378421907020X].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme