Вышедшие номера
Каскад неустойчивостей импеданса структуры Pd--поверхностно-окисленный InP
Компан М.Е.1, Горбатюк А.В.1, Малышкин В.Г.1, Шутаев В.А.1, Гребенщикова Е.А.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kompan@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 мая 2022 г.
В окончательной редакции: 10 июля 2022 г.
Принята к печати: 11 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 11 августа 2022 г.

Обнаружена множественная неустойчивость на вольт-амперной характеристике структуры палладий-поверхностно-окисленный фосфид индия. Эффект зафиксирован при регистрации зависимости дифференциальной проводимости и дифференциальной емкости от приложенного внешнего напряжения. Предложен механизм появления неустойчивостей. Ключевые слова: палладий, вольт-амперная характеристика, неустойчивость, импедансометрия.