Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 16 » Статья стр. 25
<<<>>>
Эффект самоподдержания проводящего состояния в обратносмещенных GaAs-диодах, переключаемых в режиме задержанного лавинного пробоя
DOI: 10.21883/PJTF.2022.16.53203.19271
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.08.55065.19271
Рожков А.В. 1, Иванов М.С. 1, Родин П.Б. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: rozh@hv.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 3 июня 2022 г.
В окончательной редакции: 29 июня 2022 г.
Принята к печати: 30 июня 2022 г.
Выставление онлайн: 26 июля 2022 г.
PDF версия
Экспериментально установлено, что высоковольтный GaAs-диод, переключенный в проводящее состояние в режиме задержанного ударно-ионизационного пробоя, сохраняет стационарное проводящее состояние с малым остаточным напряжением. Время протекания постоянного тока в обратносмещенной структуре определяется длительностью приложенного прямоугольного импульса (до 100 ns) и значительно превосходит время дрейфовой экстракции и рекомбинации неравновесных носителей. Обнаруженный эффект самоподдержания проводящего состояния сходен с "lock-on" эффектом в GaAs-переключателях с оптическим запуском и S-диодах с глубокими центрами. Эффект может быть объяснен ударной ионизацией в узких коллапсирующих доменах Ганна. Ключевые слова: высоковольтные GaAs-диоды, "lock-on" эффект.
  1. С.С. Хлудков, Изв. вузов. Физика, 26 (10), 67 (1983). [S.S. Khludkov, Sov. Phys. J., 26 (10), 928 (1983). DOI: 10.1007/BF00896647]
  2. С.С. Хлудков, О.П. Толбанов, А.В. Корецкий, Изв. вузов. Физика, 29 (4), 54 (1986). [S.S. Khludkov, O.P. Tolbanov, A.V. Koretskii, Sov. Phys. J., 29 (4), 298 (1986). DOI: 10.1007/BF00893001]
  3. F.J. Zutavern, G.M. Loubriel, M.W. O'Malley, L.P. Shanwald, W.D. Helgerson, D.L. McLaughlin, B.B. McКenzee, IEEE Trans. Electron Dev., 37 (12), 2472 (1990). DOI: 10.1109/16.64520
  4. High-power optically activated solid-state switches, ed. by A. Rosen, F. Zutavern (Artech House, Boston-London, 1994)
  5. L. Hu, J. Su, Z. Ding, Q. Hao, X. Yuan, J. Appl. Phys., 115 (9), 094503 (2014). DOI: 10.1063/1.4866715
  6. L. Hu, M. Xu, X. Li, Y. Wang, Y. Wang, H. Dong, H. Schneider, IEEE Trans. Electron Dev., 67 (11), 4963 (2020). DOI: 10.1109/TED.2020.302598
  7. S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara, J. Appl. Phys., 97 (2), 024502 (2005). DOI: 10.1063/1.1839638
  8. И.А. Прудаев, М.Г. Верхолетов, А.Д. Королёва, О.П. Толбанов, Письма в ЖТФ, 44 (11), 21 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.11.46193.17254 [I.A. Prudaev, M.G. Verkholetov, A.D. Koroleva, O.P. Tolbanov, Tech. Phys. Lett., 44 (6), 465 (2018). DOI: 10.1134/S106378501806007X]
  9. I.A. Prudaev, V.L. Oleinik, T.E. Smirnova, V.V. Kopyev, M.G. Verkholetov, E.V. Balzovsky, O.P. Tolbanov, IEEE Trans. Electron Dev., 65 (8), 3339 (2018). DOI: 10.1109/TED.2018.2845543
  10. I.A. Prudaev, S.N. Vainshtein, M.G. Verkholetov, V.L. Oleinik, V.V. Kopyev, IEEE Trans. Electron Dev., 68 (1), 57 (2021). DOI: 10.1109/TED.2020.3039213
  11. Ж.И. Алфёров, И.В. Грехов, В.М. Ефанов, А.Ф. Кардо-Сысоев, В.И. Корольков, М.Н. Степанова, Письма в ЖТФ, 13 (18), 1089 (1987). [Zh.I. Alferov, I.V. Grekhov, V.M. Efanov, A.F. Kardo-Sisoev, V.I. Korol'kov, M.N. Stepanova, Sov. Tech. Phys. Lett., 13 (9), 454 (1988).]
  12. С.Н. Вайнштейн, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн, Письма в ЖТФ, 14 (16), 1526 (1988). [S.N. Vainshtein, Yu.V. Zhilyaev, M.E. Levinshtein, Sov. Tech. Phys. Lett., 14 (8), 664 (1989).]
  13. В.И. Брылевский, A.В. Рожков, И.А. Смирнова, П.Б. Родин, И.В. Грехов, Письма в ЖТФ, 41 (7), 1 (2015). [V.I. Brylevskii, A.V. Rozhkov, I.A. Smirnova, P.B. Rodin, I.V. Grekhov, Tech. Phys. Lett., 41 (4), 307 (2015). DOI: 10.1134/S1063785015040045]
  14. V.I. Korol'kov, A.V. Rozhkov, F.Yu. Soldatenkov, K.V. Yevstigneyev, in 4th Int. Seminar on power semiconductors (ISPS'98) (Prague, 1998), p. 163
  15. С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.Н. Цыранов, ФТП, 47 (5), 658 (2013). [S.K. Lyubutin, S.N. Rukin, B.G. Slovikovsky, S.N. Tsyranov, Semiconductors, 47 (5), 670 (2013). DOI: 10.1134/S1063782613050151]
  16. Л.С. Берман, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков, ФТП, 34 (5), 558 (2000). http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/2000/05/p558-561.pdf [L.S. Berman, V.G. Danil'chenko, V.I. Korol'kov, F.Yu. Soldatenkov, Semiconductors, 34 (5), 541 (2000). DOI: 10.1134/1.1188024]
  17. С.С. Хлудков, О.П. Толбанов, М.Д. Вилисова, И.А. Прудаев, Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами (Изд. дом Томск. гос. ун-та, Томск, 2016)
  18. S. Vainshtein, J. Kostamovaara, V. Yuferev, W. Knap, A. Fatimy, N. Diakonova, Phys. Rev. Lett., 99 (17), 176601 (2007). DOI: 10.1103/PhysRevLett.99.176601
  19. S.N. Vainshtein, G. Duan, V.S. Yuferev, V.E. Zemlyakov, V.I. Egorkin, N.A. Kalyuzhnyy, N.A. Maleev, A.Yu. Egorov, J.T. Kostamovaara, Appl. Phys. Lett., 115 (12), 123501 (2019). DOI: 10.1063/1.5091616

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme