Письма в журнал технической физики
Вышедшие номера
Исследование особенностей электронного спектра квантовых точек узкозонных полупроводников
РНФ, 21-73-20057
Кабанов В.Ф.1, Михайлов А.И.1, Гавриков М.В.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: v7021961@yandex.ru, mikhailovai13@mail.ru, maks.gavrikov.96@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 24 июня 2022 г.
Принята к печати: 25 июня 2022 г.
Выставление онлайн: 26 июля 2022 г.

Исследованы образцы с квантовыми точками узкозонных полупроводников группы А3В5 (антимонид индия) и группы А2В6 (селенид ртути). Проанализированы спектры поглощения исследуемых квантовых точек и проведена оценка соответствия максимумов на спектральных характеристиках модельным представлениям рассчитанного электронного энергетического спектра для рассматриваемых материалов. Сделан вывод, что используемые модельные представления требуют уточнений, в первую очередь связанных с тем, что исследуемые объекты являются нанокристаллами со сложной геометрией. Ключевые слова: квантовые точки, антимонид индия, селенид ртути, электронный энергетический спектр.
  1. А.И Михайлов, В.Ф. Кабанов, М.В. Гавриков, Письма в ЖТФ, 46 (7), 36 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.07.49218.18145 [A.I. Mikhailov, V.F. Kabanov, M.V. Gavrikov, Tech. Phys. Lett., 46, 339 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020040100]
  2. В.Ф. Кабанов, А.И. Михайлов, М.В. Гавриков, Письма в ЖТФ, 47 (8), 44 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.08.50854.18662 [V.F. Kabanov, A.I. Mikhailov, M.V. Gavrikov, Tech. Phys. Lett., 47, 385 (2021). DOI: 10.1134/S1063785021040209]
  3. В.Ф. Кабанов, А.И. Михайлов, М.В. Гавриков, ФТП, 55 (3), 237 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.03.50601.9471 [V.F. Kabanov, A.I. Mikhailov, M.V. Gavrikov, Semiconductors, 55, 315 (2021). DOI: 10.1134/S1063782621030106].
  4. А.И. Михайлов, В.Ф. Кабанов, И.А. Горбачев, Е.Г. Глуховской, ФТП, 52 (6), 603 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.06.45923.8443 [A.I. Mikhailov, V.F. Kabanov, I.A. Gorbachev, E.G. Glukhovsky, Semiconductors, 52, 750 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618060155]
  5. V.F. Kabanov, A.I. Mikhailov, M.V. Gavrikov, Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 12 (1), 113 (2021). DOI: 10.17586/2220-8054-2021-12-1-113-117
  6. D. Mocatta, G. Cohen, J. Schattner, O. Millo, E. Rabani, U. Banin, Science, 332 (6025), 77 (2011). DOI: 10.1126/science.1196321
  7. А.А. Сергеев, К.А. Сергеева, А.А. Леонов, Междунар. науч.-исслед. журн., N 9-1 (75), 47 (2018). DOI: 10.23670/IRJ.2018.75.9.008
  8. Г.И. Целиков, С.Г. Дорофеев, П.Н. Тананаев, В.Ю. Тимошенко, ФТП, 45 (9), 1219 (2011). [G.I. Tselikov, S.G. Dorofeev, P.N. Tananaev, V.Yu. Timoshenko, Semiconductors, 45, 1173 (2011). DOI: 10.1134/S1063782611090223]
  9. W. Liu, A.Y. Chang, R.D. Schaller, D.V. Talapin, J. Am. Chem. Soc., 134 (50), 20258 (2012). DOI: 10.1021/ja309821j
  10. M.H. Hudson, M. Chen, V. Kamysbayev, E.M. Janke, X. Lan, G. Allan, C. Delerue, B. Lee, P. Guyot-Sionnest, D.V. Talapin, ACS Nano, 12 (9), 9397 (2018). DOI: 10.1021/acsnano.8b04539
  11. A. Robin, C. Livache, S. Ithurria, E. Lacaze, B. Dubertret, E. Lhuillier, ACS Appl. Mater. Interfaces, 8 (40), 27122 (2016). DOI: 10.1021/acsami.6b09530
  12. A.I. Mikhailov, V.F. Kabanov, M.V. Gavrikov, J. Phys.: Conf. Ser., 1410, 012048 (2019). DOI: 10.1088/1742-6596/1410/1/012048
  13. Н.Д. Жуков, О.Ю. Цветкова, М.В. Гавриков, А.Г. Роках, Т.Д. Смирнова, С.Н. Штыков, ФТП, 56 (4), 401 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.04.52195.9779
  14. В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин, Основы наноэлектроники (Физматкнига, Логос, М., 2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.