Письма в журнал технической физики
Вышедшие номера
Геометрическая форма областей разрушения в ходе скользящей наноиндентации тонких пленок Si-C-N, применяемых для Н/МЭМС
Dash R.1, Bhattacharyya A.S.1,2
1Dept. of Nano Science and Technology, Central University of Jharkhand, Brambe, India
2Centre of Excellence in Green and Efficient Energy Technology (CoE GEET), Central University of Jharkhand, Brambe, India
Email: arnab.bhattacharya@cuj.ac.in
Поступила в редакцию: 11 января 2022 г.
В окончательной редакции: 11 января 2022 г.
Принята к печати: 3 июня 2022 г.
Выставление онлайн: 14 июля 2022 г.

Области разрушения, возникающие в ходе скользящей наноиндентации такого технологически важного материала, как тонкие пленки SiCN, по геометрической форме напоминают лемнискату и кардиоиду. Оценочное значение прочности адгезии составило 9 GPa. Разрушение могло быть следствием двух различных режимов напряжений: один, касательный (тангенциальный), отвечает за разрушение материала в форме износа, а другой, аксиальный, отвечает за нарушение адгезии между пленкой и подложкой. Измерения по методу энергодисперсионной спектроскопии на участках с нанесенными царапинами показали полное разрушение адгезии. Ключевые слова: скользящая наноиндентация, тонкие пленки SiCN, прочность адгезии.
  1. A.S. Bhattacharyya, Surf. Topogr.: Metrol. Prop., 9, 035052 (2021). DOI: 10.1088/2051-672X/ac28aa
  2. J. Minming, X. Ke, L. Ningbo, Z. Beirong, Ceram. Int., 48, 2112 (2022). DOI: 10.1016/j.ceramint.2021.09.299
  3. I. Tanaka, S. Matuoka, Y. Harada, Diamond Relat. Mater., 121, 108732 (2022). DOI: 10.1016/j.diamond.2021.108732
  4. C. Jung, S. Song, H. Park, Y. Kim, E.J. Lee, S.G Lee, H. Jeon, J. Vac. Sci. Technol. A, 39, 042404 (2021). DOI: 10.1116/6.0000887
  5. N. Singh, K. Singh, D. Kaur, Ceram. Int., 43, 8970 (2017). DOI: 10.1016/j.ceramint.2017.04.037
  6. N. Singh, D. Kaur, Appl. Phys. Lett., 113, 162103 (2018). DOI: 10.1063/1.5045723
  7. Y.-J. Choi, J.-H. Lee, J.-S. Choi, S.-J. An, Y.-M. Hwang, J.-S. Roh, K.-S. Im, Crystals, 11, 489 (2021). DOI: 10.3390/cryst11050489
  8. J.-H. Lee, K.-S. Im, J.-H. Lee, IEEE J. Electron Dev. Soc., 9, 728 (2021). DOI: 10.1109/JEDS.2021.3100760
  9. Q. Li, C. Chen, M. Wang, Y. Lv, Y. Mao, M. Xu, Y. Wang, X. Wang, Z. Zhang, S. Wang, W. Zhao, J. Stiens, J. Mater. Res. Technol., 15, 460 (2021). DOI: 10.1016/j.jmrt.2021.08.043
  10. Q. Li, C. Chen, M. Xu, Y Wang, X Wang, Z Zhang, W. Zhao, J. Stiens, Appl. Surf. Sci., 546, 149121 (2021). DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.149121
  11. S. Wang, H. Gong, Y. Zhang, M.Z. Ashfaq, Ceram. Int., 47, 1302 (2021). DOI: 10.1016/j.ceramint.2020.08.250
  12. R. Riedal, H.-J. Kleebe, H. Schonfelder, F. Aldinger, Nature, 374, 526 (1995). DOI: 10.1038/374526a0
  13. S.J. Bull, E.G. Berasetegui, Tribol. Int., 39, 99 (2006). DOI: 10.1016/j.triboint.2005.04.013
  14. S.K. Mishra, A.S. Bhattacharyya, Mater. Lett., 62, 398 (2008). DOI: 10.1016/j.matlet.2007.05.043
  15. A.S. Bhattacharyya, R.P. Kumar, S. Priyadarshi, Sonu, S. Shivam, S. Anshu, J. Mater. Eng. Perform., 27, 2719 (2018). DOI: 10.1007/s11665-018-3289-7
  16. A.S. Bhattacharyya, R.P. Kumar, G. Acharya, V. Ranjan, Current Smart Mater., 2, 39 (2017). DOI: 10.2174/2405465801666161130154515

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.