Барьер Шоттки в структурах Si-M твердотельных литий-ионных аккумуляторов
Рудый А.С.
1, Мироненко А.А.
1, Наумов В.В.
1, Чурилов А.Б.
11Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН, Ярославль, Россия
Email: rudy@uniyar.ac.ru, amironenko55@mail.ru, vvnau@rambler.ru, abchurilov@mail.ru
Поступила в редакцию: 14 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2022 г.
Принята к печати: 3 мая 2022 г.
Выставление онлайн: 28 мая 2022 г.
Приведены результаты измерения зарядно-разрядных характеристик твердотельных тонкопленочных литий-ионных аккумуляторов с нанокомпозитным анодом на основе твердого раствора a-Si(Al). Зарядные характеристики аккумуляторов имеют особенность в виде ступени на пологой ветви кривой U(t). Высказано и обосновано предположение, что появление ступени связано с постепенной компенсацией и сменой дырочной проводимости a-Si(Al) на электронную по мере роста концентрации лития. В результате омический контакт a-Si(Al)|Ti становится выпрямляющим, а электроны, участвующие в фарадеевском процессе, вынуждены преодолевать барьер Шоттки. Рост потенциала, необходимый для поддержания гальваностатического режима заряда, проявляется в виде ступени на зарядной кривой. Ключевые слова: тонкопленочный твердотельный литий-ионный аккумулятор, аморфный кремний, твердый раствор, sp3-гибридизация, литирование, барьер Шоттки.
- T.L. Kulova, A.A. Mironenko, A.M. Skundin, A.S. Rudy, V.V.Naumov, D.E. Pukhov, Int. J. Electrochem. Sci., 11, 1370 (2016). http://www.electrochemsci.org/papers/vol11/110201370.pdf
- А.А. Айрапетов, С.В. Васильев, Т.Л. Кулова, М.Е. Лебедев, А.В. Метлицкая, А.А. Мироненко, Н.Ф. Никольская, В.В. Одиноков, Г.Я. Павлов, Д.Э. Пухов, А.С. Рудый, А.М. Скундин, В.А. Сологуб, И.С. Федоров, А.Б. Чурилов, Микроэлектроника, 45 (4), 305 (2016). DOI: 10.7868/S0544126916030029 [A.A. Airapetov, S.V. Vasiliev, T.L. Kulova, M.E. Lebedev, A.V. Metlitskaya, A.A. Mironenko, N.F. Nikol'skaya, V.V. Odinokov, G.Ya. Pavlov, D.E. Pukhov, A.S. Rudyi, A.M. Skundin, V.A. Sologub, I.S. Fedorov, A.B. Churilov, Russ. Microelectron., 45 (4), 285 (2016). DOI: 10.1134/S1063739716030021]
- A.A. Mironenko, I.S. Fedorov, A.S. Rudy, V.N. Andreev, D.Yu. Gryzlov, T.L. Kulova, A.M. Skundin, Monatsh. Chem., 150 (10), 1753 (2019). DOI: 10.1007/s00706-019-02497-1
- T.L. Kulova, A.A. Mironenko, A.S. Rudy, A.M. Skundin, All solid state thin-film lithium-ion batteries: materials, technology, and diagnostics (CRC Press, Boca Raton, 2021). DOI: 10.1201/9780429023736
- М. Грундман, Основы физики полупроводников: нанофизика и технические приложения (Физматлит, М., 2012). [M. Grundmann, The physics of semiconductors: an introduction including nanophysics and applications. Ser. Graduate Texts in Physics (Springer, Cham, 2021). DOI: 10.1007/978-3-030-51569-0]
- D.A. Drabold, U. Stephan, J. Dong, S.M. Nakhmanson, J. Mol. Graphics Mod., 17 (5-6), 285 (1999). DOI: 10.1016/S1093-3263(99)00036-4
- Б.А. Голоденко, А.Б. Голоденко, Вестн. ВГУИТ, N 2, 65 (2014). https://cyberleninka.ru/article/n/modelirovanie-elektronnoy- struktury-i-raschyot-osnovnyh-elektro-fizicheskih-parametrov-amorfnogo- kremniya
- Б.А. Голоденко, А.Б. Голоденко, Нано- и микросистемная техника, N 11(148), 23 (2012). http://www.microsystems.ru/files/publ/article201211p23-27.pdf
- С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, В.Г. Мишустин, Физические процессы в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников (Вузовское образование, Саратов, 2019)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.