"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Барьер Шоттки в структурах Si-M твердотельных литий-ионных аккумуляторов
Рудый А.С. 1, Мироненко А.А. 1, Наумов В.В. 1, Чурилов А.Б. 1
1Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН, Ярославль, Россия
Email: rudy@uniyar.ac.ru, amironenko55@mail.ru, vvnau@rambler.ru, abchurilov@mail.ru
Поступила в редакцию: 14 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2022 г.
Принята к печати: 3 мая 2022 г.
Выставление онлайн: 28 мая 2022 г.

Приведены результаты измерения зарядно-разрядных характеристик твердотельных тонкопленочных литий-ионных аккумуляторов с нанокомпозитным анодом на основе твердого раствора a-Si(Al). Зарядные характеристики аккумуляторов имеют особенность в виде ступени на пологой ветви кривой U(t). Высказано и обосновано предположение, что появление ступени связано с постепенной компенсацией и сменой дырочной проводимости a-Si(Al) на электронную по мере роста концентрации лития. В результате омический контакт a-Si(Al)|Ti становится выпрямляющим, а электроны, участвующие в фарадеевском процессе, вынуждены преодолевать барьер Шоттки. Рост потенциала, необходимый для поддержания гальваностатического режима заряда, проявляется в виде ступени на зарядной кривой. Ключевые слова: тонкопленочный твердотельный литий-ионный аккумулятор, аморфный кремний, твердый раствор, sp3-гибридизация, литирование, барьер Шоттки.
  1. T.L. Kulova, A.A. Mironenko, A.M. Skundin, A.S. Rudy, V.V.Naumov, D.E. Pukhov, Int. J. Electrochem. Sci., 11, 1370 (2016). http://www.electrochemsci.org/papers/vol11/110201370.pdf
  2. А.А. Айрапетов, С.В. Васильев, Т.Л. Кулова, М.Е. Лебедев, А.В. Метлицкая, А.А. Мироненко, Н.Ф. Никольская, В.В. Одиноков, Г.Я. Павлов, Д.Э. Пухов, А.С. Рудый, А.М. Скундин, В.А. Сологуб, И.С. Федоров, А.Б. Чурилов, Микроэлектроника, 45 (4), 305 (2016). DOI: 10.7868/S0544126916030029 [A.A. Airapetov, S.V. Vasiliev, T.L. Kulova, M.E. Lebedev, A.V. Metlitskaya, A.A. Mironenko, N.F. Nikol'skaya, V.V. Odinokov, G.Ya. Pavlov, D.E. Pukhov, A.S. Rudyi, A.M. Skundin, V.A. Sologub, I.S. Fedorov, A.B. Churilov, Russ. Microelectron., 45 (4), 285 (2016). DOI: 10.1134/S1063739716030021]
  3. A.A. Mironenko, I.S. Fedorov, A.S. Rudy, V.N. Andreev, D.Yu. Gryzlov, T.L. Kulova, A.M. Skundin, Monatsh. Chem., 150 (10), 1753 (2019). DOI: 10.1007/s00706-019-02497-1
  4. T.L. Kulova, A.A. Mironenko, A.S. Rudy, A.M. Skundin, All solid state thin-film lithium-ion batteries: materials, technology, and diagnostics (CRC Press, Boca Raton, 2021). DOI: 10.1201/9780429023736
  5. М. Грундман, Основы физики полупроводников: нанофизика и технические приложения (Физматлит, М., 2012). [M. Grundmann, The physics of semiconductors: an introduction including nanophysics and applications. Ser. Graduate Texts in Physics (Springer, Cham, 2021). DOI: 10.1007/978-3-030-51569-0]
  6. D.A. Drabold, U. Stephan, J. Dong, S.M. Nakhmanson, J. Mol. Graphics Mod., 17 (5-6), 285 (1999). DOI: 10.1016/S1093-3263(99)00036-4
  7. Б.А. Голоденко, А.Б. Голоденко, Вестн. ВГУИТ, N 2, 65 (2014). https://cyberleninka.ru/article/n/modelirovanie-elektronnoy- struktury-i-raschyot-osnovnyh-elektro-fizicheskih-parametrov-amorfnogo- kremniya
  8. Б.А. Голоденко, А.Б. Голоденко, Нано- и микросистемная техника, N 11(148), 23 (2012). http://www.microsystems.ru/files/publ/article201211p23-27.pdf
  9. С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, В.Г. Мишустин, Физические процессы в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников (Вузовское образование, Саратов, 2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.