Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 5 » Статья стр. 51
<<<
Влияние морфологии буферного слоя AlN на структурное качество полуполярного слоя GaN, выращенного на подложке Si(001), по данным просвечивающей электронной микроскопии
DOI: 10.21883/PJTF.2022.05.52159.18932
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.03.52883.18932
Кириленко Д.А.1, Мясоедов А.В.1, Калмыков А.Е.1, Сорокин Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 9 декабря 2021 г.
Принята к печати: 18 декабря 2021 г.
Выставление онлайн: 7 января 2022 г.
PDF версия
Методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения проведено исследование структурных особенностей интерфейса между полуполярным слоем нитрида галлия и буферным слоем нитрида алюминия, выращенных на комбинированной подложке SiC/Si(001) с разориентацией 7o. Выявлено влияние морфологии интерфейса на структурное качество слоя нитрида галлия: фасетированная структура поверхности буферного слоя снижает плотность прорастающих дислокаций. Ключевые слова: полуполярный GaN, просвечивающая электронная микроскопия, дислокация, подложка Si(001).
  1. http://www.matprop.ru/InN\_dvdv
  2. R.R. Reeber, K. Wang, MRS Online Proc. Library, 622, 6351 (2000). DOI: 10.1557/PROC-622-T6.35.1
  3. L. Liu, J.H. Edgar, Mater. Sci. Eng. R, 37, 61 (2002). DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6
  4. F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt, Phys. Rev. B, 56, R10024 (1997). DOI: 10.1103/PhysRevB.56.R10024
  5. F. Bernardini, V. Fiorentini, Phys. Rev. B, 57, R9427 (1998). DOI: 10.1103/PhysRevB.57.R9427
  6. A.E. Romanov, T.J. Baker, S. Nakamura, J.S. Speck, J. Appl. Phys., 100, 023522 (2006). DOI: 10.1063/1.2218385
  7. X. Zhao, K. Huang, J. Bruckbauer, S. Shen, C. Zhu, P. Fletcher, P. Feng, Y. Cai, J. Bai, C. Trager-Cowan, R.W. Martin, T. Wang, Sci. Rep., 10, 12650 (2020). DOI: 10.1038/s41598-020-69609-4
  8. R. Mantach, P. Vennegues, J. Zuniga Perez, P. De Mierry, M. Leroux, M. Portail, G. Feuillet, J. Appl. Phys., 125, 035703 (2019). DOI: 10.1063/1.5067375
  9. I. Kim, J. Holmi, R. Raju, A. Haapalinna, S. Suihkonen, J. Phys. Commun., 4, 045010 (2020). DOI: 10.1088/2399-6528/ab885c
  10. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, J. Phys. D.: Appl. Phys., 47, 313001 (2014). DOI: 10.1088/0022-3727/47/31/313001
  11. V. Bessolov, A. Kalmykov, E. Konenkova, S. Kukushkin, A. Myasoedov, N. Poletaev, S. Rodin, J. Cryst. Growth, 457, 202 (2017). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.05.025
  12. Л.К. Орлов, Ю.Н. Дроздов, В.Б. Шевцов, В.А. Боженкин, В.И. Вдовин, ФТТ, 49 (4), 596 (2007). [L.K. Orlov, Yu.N. Drozdov, V.B. Shevtsov, V.A. Bozhenkin, V.I. Vdovin, Phys. Solid State, 49 (4), 627 (2007). DOI: 10.1134/S1063783407040051]
  13. Л.К. Орлов, Ю.Н. Дроздов, Н.А. Алябина, Н.Л. Ивина, В.И. Вдовин, И.Н. Дмитрук, ФТТ, 51 (3), 446 (2009). [L.K. Orlov, Yu.N. Drozdov, N.A. Alyabina, N.L. Ivina, V.I. Vdovin, I.N. Dmitruk, Phys. Solid State, 51 (3), 474 (2009). DOI: 10.1134/S1063783409030056]
  14. F. Glas, Phys. Rev. B, 74, 121302 (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.74.121302
  15. H. Nagai, J. Appl. Phys., 45, 3789 (1974). DOI: 10.1063/1.1663861
  16. X.R. Huang, J. Bai, M. Dudley, R.D. Dupuis, U. Chowdhury, Appl. Phys. Lett., 86, 211916 (2005). DOI: 10.1063/1.1940123
  17. А.Е. Калмыков, А.В. Мясоедов, Л.М. Сорокин, Письма в ЖТФ, 44 (20), 53 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.20.46806.17452 [A.E. Kalmykov, A.V. Myasoedov, L.M. Sorokin, Tech. Phys. Lett., 44 (10), 926 (2018). DOI: 10.1134/S1063785018100267]
  18. M. Khoury, H. Li, H. Zhang, B. Bonef, M.S. Wong, F. Wu, D. Cohen, P. De Mierry, P. Vennegues, J.S. Speck, S. Nakamura, S.P. DenBaars, ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 47106 (2019). DOI: 10.1021/acsami.9b17525

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme