Вышедшие номера
Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
Министерства образования и науки Российской Федерации, 0791-2020-0002
Минтаиров С.А. 1,2, Блохин С.А.2, Калюжный Н.А. 2, Максимов М.В. 1, Малеев Н.А.2, Надточий А.М. 1,3, Салий Р.А. 2, Крыжановская Н.В. 3, Жуков А.Е. 3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
Email: mintairov@scell.ioffe.ru, blokh@mail.ioffe.ru, nickk@mail.ioffe.ru, maximov@beam.ioffe.ru, maleev.beam@mail.ioffe.ru, al.nadtochy@mail.ioffe.ru, rino.art@gmail.com, nataliakryzh@gmail.com, zhukale@gmail.com
Поступила в редакцию: 22 октября 2021 г.
В окончательной редакции: 16 ноября 2021 г.
Принята к печати: 17 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 18 декабря 2021 г.

Исследованы быстродействующие фотодетекторы на основе наноструктур InGaAs/GaAs квантовые ямы-точки. Продемонстрирована полоса пропускания ~ 8.2 GHz по уровню -3 dB на длине волны 905 nm. Показано, что скорость внутренних процессов в исследуемых наноструктурах позволяет создавать фотодетекторы с полосой пропускания до 12.5 GHz, а процессы термического выброса носителей из слоев квантовых ям-точек не ограничивают быстродействие при обратных смещениях более 5 V. Ключевые слова: фотодетектор, быстродействие, частотный отклик, наноструктуры.