Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 4 » Статья стр. 32
<<<>>>
Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
DOI: 10.21883/PJTF.2022.04.52082.19059
Министерства образования и науки Российской Федерации, 0791-2020-0002
Минтаиров С.А. 1,2, Блохин С.А.2, Калюжный Н.А. 2, Максимов М.В. 1, Малеев Н.А.2, Надточий А.М. 1,3, Салий Р.А. 2, Крыжановская Н.В. 3, Жуков А.Е. 3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
Email: mintairov@scell.ioffe.ru, blokh@mail.ioffe.ru, nickk@mail.ioffe.ru, maximov@beam.ioffe.ru, maleev.beam@mail.ioffe.ru, al.nadtochy@mail.ioffe.ru, rino.art@gmail.com, nataliakryzh@gmail.com, zhukale@gmail.com
Поступила в редакцию: 22 октября 2021 г.
В окончательной редакции: 16 ноября 2021 г.
Принята к печати: 17 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 18 декабря 2021 г.
PDF версия
Исследованы быстродействующие фотодетекторы на основе наноструктур InGaAs/GaAs квантовые ямы-точки. Продемонстрирована полоса пропускания ~ 8.2 GHz по уровню -3 dB на длине волны 905 nm. Показано, что скорость внутренних процессов в исследуемых наноструктурах позволяет создавать фотодетекторы с полосой пропускания до 12.5 GHz, а процессы термического выброса носителей из слоев квантовых ям-точек не ограничивают быстродействие при обратных смещениях более 5 V. Ключевые слова: фотодетектор, быстродействие, частотный отклик, наноструктуры.
  1. F. Koyama, D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. Chen, A. Matsutani, T. Skaguchi, K. Iga, Electron. Lett., 35, 1079 (1999). DOI: 10.1049/el:19990756
  2. A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Maximov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, Yu.M. Shernyakov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Appl. Phys. Lett., 75, 1926 (1999). DOI: 10.1063/1.124873
  3. B.K. Jeong, Y.M. Song, V.V. Lysak, Y.T. Lee, J. Optoelectron. Adv. Mater., 10, 2547 (2008). https://scholar.google.com/scholar\_lookup?title=Large% 20area%20InGaAs/GaAs%20resonant%20cavity% 20enhanced%20photodetector%20for%20sensor% 20application\&author=B.% 20K.%20Jeong\&author=Y.% 20M.%20Song\&author=V.%20V.%20Lysak\&author=\& author=Y.%20T.%20Lee\&publication\_year=2008
  4. O. Baklenov, H. Nie, K.A. Anselm, J.C. Campbell, B.G. Streetman, Electron. Lett., 34, 694 (1998). DOI: 10.1049/el:19980487
  5. X.M. Sun, H. Zhang, H. Zhu, P. Xu, G.R. Li, J. Liu, H.Z. Zheng, Electron. Lett., 45, 329 (2009). DOI: 10.1049/el.2009.0033
  6. Y. Wan, Z. Zhang, R. Chao, J. Norman, D. Jung, C. Shang, Q. Li, M.J. Kennedy, D. Liang, C. Zhang, J.-W. Shi, A.C. Gossard, K.M. Lau, J.E. Bowers, Opt. Express, 25, 27715 (2017). DOI: 10.1364/OE.25.027715
  7. D. Inoue, Y. Wan, D. Jung, J. Norman, C. Shang, N. Nishiyama, S. Arai, A.C. Gossard, J.E. Bowers, Appl. Phys. Lett., 113, 093506 (2018). DOI: 10.1063/1.5041908
  8. S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov, Nanotechnology, 26, 385202 (2015). DOI: 10.1088/0957-4484/26/38/385202
  9. M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, N.Yu. Gordeev, Yu.M. Shernyakov, A.S. Payusov, F.I. Zubov, V.N. Nevedomskiy, S.S. Rouvimov, A.E. Zhukov, Appl. Sci., 10, 1038 (2020). DOI: 10.3390/app10031038
  10. С.А. Минтаиров, И.М. Гаджиев, Н.А. Калюжный, М.В. Максимов, А.М. Надточий, М.В. Нахимович, Р.А. Салий, М.З. Шварц, А.Е. Жуков, Письма в ЖТФ, 46 (24), 11 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.24.50420.1848 [S.A. Mintairov, I.M. Gadzhiev, N.A. Kalyuzhnyi, M.V. Maksimov, A.M. Nadtochii, M.V. Nakhimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, A.E. Zhukov, Tech. Phys. Lett., 46 (12), 1219 (2020). DOI: 10.1134/S106378502012024X]
  11. V.V. Nikolaev, E.A. Avrutin, IEEE J. Quantum Electron., 39, 1653 (2003). DOI: 10.1109/JQE.2003.819527
  12. W.-H. Chang, W.Y. Chen, T.M. Hsu, N.-T. Yeh, J.-I. Chyi, Phys. Rev. B, 66, 19 (2002). DOI: 10.1103/physrevb.66.195337
  13. Y. Wan, Z. Zhang, R. Chao, J. Norman, D. Jung, C. Shang, Q. Li, M.J. Kennedy, D. Liang, C. Zhang, J.-W. Shi, A.C. Gossard, K.M. Lau, J.E. Bowers, Opt. Express, 25, 27715 (2017). DOI: 10.1364/OE.25.027715

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme