Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 4 » Статья стр. 20
<<<>>>
Механизм роста монослоя на верхней грани Ga-каталитических нитевидных нанокристаллов GaAs и GaP
DOI: 10.21883/PJTF.2022.04.52079.19011
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.02.53583.19011
Российский научный фонд, 19-72-30004
Корякин А.А. 1, Еремеев Ю.А.2, Федина С.В.3, Федоров В.В. 3
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: burunduk.uk@gmail.com
Поступила в редакцию: 2 сентября 2021 г.
В окончательной редакции: 10 ноября 2021 г.
Принята к печати: 10 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 18 декабря 2021 г.
PDF версия
Исследован механизм роста монослоя на верхней грани Ga-каталитических нитевидных нанокристаллов GaAs и GaP. В рамках теоретической модели определены максимальная степень заполнения монослоя за счет вещества в капле катализатора, скорость роста нитевидных нанокристаллов и содержание атомов V группы в капле в зависимости от условий роста. Получены оценки коэффициента переиспарения фосфора от соседних нитевидных нанокристаллов и подложки на основе сравнения теоретической и экспериментальной скорости роста Ga-каталитических нитевидных нанокристаллов GaP. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы III-V, механизм роста пар-жидкость-кристалл, нуклеация.
  1. C.-Y. Wen, J. Tersoff, K. Hillerich, M.C. Reuter, J.H. Park, S. Kodambaka, E.A. Stach, F.M. Ross, Phys. Rev. Lett., 107 (2), 025503 (2011). DOI: 10.1103/PhysRevLett.107.025503
  2. D. Jacobsson, F. Panciera, J. Tersoff, M.C. Reuter, S. Lehmann, S. Hofmann, K.A. Dick, F.M. Ross, Nature, 531 (7594), 317 (2016). DOI: 10.1038/nature17148
  3. J.-C. Harmand, G. Patriarche, F. Glas, F. Panciera, I. Florea, J.-L. Maurice, L. Travers, Y. Ollivier, Phys. Rev. Lett., 121 (16), 166101 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevLett.121.166101
  4. F. Panciera, Z. Baraissov, G. Patriarche, V.G. Dubrovskii, F. Glas, L. Travers, U. Mirsaidov, J.-C. Harmand, Nano Lett., 20 (3), 1669 (2020). DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b04808
  5. C.B. Maliakkal, E.K. Martensson, M.U. Tornberg, D. Jacobsson, A.R. Persson, J. Johansson, L.R. Wallenberg, K.A. Dick, ACS Nano, 14 (4), 3868 (2020). DOI: 10.1021/acsnano.9b09816
  6. F. Glas, V.G. Dubrovskii, Phys. Rev. Mater., 4 (8), 083401 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.4.083401
  7. В.Г. Дубровский, А.С. Соколовский, И.В. Штром, Письма в ЖТФ, 46 (18), 3 (2020). DOI: 10.21883/pjtf.2020.18.49991.18401 [V.G. Dubrovskii, A.S. Sokolovskii, I.V. Shtrom, Tech. Phys. Lett., 46 (9), 889 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020090187]
  8. A.A. Koryakin, S.A. Kukushkin, Phys. Status Solidi B, 258 (6), 2000604 (2021). DOI: 10.1002/pssb.202000604
  9. В.Г. Дубровский, Письма в ЖТФ, 46 (8), 3 (2020). DOI: 10.21883/pjtf.2020.08.49298.18204 [V.G. Dubrovskii, Tech. Phys. Lett., 46 (4), 357 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020040203]
  10. V.G. Dubrovskii, Cryst. Growth Des., 17 (5), 2589 (2017). DOI: 10.1021/acs.cgd.7b00124
  11. F. Glas, M.R. Ramdani, G. Patriarche, J.-C. Harmand, Phys. Rev. B, 88 (19), 195304 (2013). DOI: 10.1103/PhysRevB.88.195304
  12. V.A. Gorokhov, T.T. Dedegkaev, Y.L. Ilyin, V.A. Moshnikov, A.S. Petrov, Y.M. Sosov, D.A. Yaskov, Cryst. Res. Technol., 19 (11), 1465 (1984). DOI: 10.1002/crat.2170191112
  13. M.R. Ramdani, J.C. Harmand, F. Glas, G. Patriarche, L. Travers, Cryst. Growth Des., 13 (1), 91 (2013). DOI: 10.1021/cg301167g
  14. A.D. Bolshakov, V.V. Fedorov, N.V. Sibirev, M.V. Fetisova, E.I. Moiseev, N.V. Kryzhanovskaya, O.Y. Koval, E.V. Ubyivovk, A.M. Mozharov, G.E. Cirlin, I.S. Mukhin, Phys. Status Solidi (RRL), 13 (11), 1900350 (2019). DOI: 10.1002/pssr.201900350
  15. V.V. Fedorov, Y. Berdnikov, N.V. Sibirev, A.D. Bolshakov, S.V. Fedina, G.A. Sapunov, L.N. Dvoretckaia, G. Cirlin, D.A. Kirilenko, M. Tchernycheva, I.S. Mukhin, Nanomaterials, 11 (8), 1949 (2021). DOI: 10.3390/nano11081949
  16. S. Mirbt, N. Moll, K. Cho, J.D. Joannopoulos, Phys. Rev. B, 60 (19), 13283 (1999). DOI: 10.1103/PhysRevB.60.13283

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme