Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Терагерцевая генерация в эпитаксиальных пленках InAs
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.02.52846.19051 
Министерство образования и науки Российской Федерации, предоставление грантов в области науки в форме субсидий из федерального бюджета на обеспечение проведения научных исследований российскими научными организациями и (или) образовательными организациями высшего образования совместно с организациями стран Северной Европы в рамках обеспечения реализации программы двух- и многостороннего научно-технологического взаимодействия , 075-15-2021-998
Трухин В.Н.
1, Соловьев В.А.
1, Мустафин И.А.
1, Чернов М.Ю.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: valera.truchin@mail.ioffe.ru, vasol.beam@mail.ioffe.ru, man-st@mail.ru, chernov.spbau@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 октября 2021 г.
В окончательной редакции: 26 октября 2021 г.
Принята к печати: 30 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 30 ноября 2021 г.
Представлены результаты исследования генерации терагерцевого излучения в эпитаксиальных пленках InAs, синтезированных на полуизолирующих и сильнолегированных подложках GaAs, при возбуждении фемтосекундными оптическими импульсами. Показано, что терагерцевый эмиттер на основе эпитаксиальной пленки InAs, выращенной на сильнолегированной подложке GaAs n-типа, имеет такую же эффективность генерации терагерцевого излучения, как и в случае использования полуизолирующей подложки GaAs, но обладает значительно лучшим спектральным разрешением, которое определяется в основном параметрами оптической линии задержки и стабильностью фемтосекундного лазера. Ключевые слова: когерентный терагерцевый эмиттер, эпитаксиальная пленка InAs, молекулярно-пучковая эпитаксия.
- V.L. Malevich, R. Adomavivcius, A. Krotkus, Comptes Rendus Phys., 9 (2), 130 (2008). DOI: 10.1016/j.crhy.2007.09.014
- H.-T. Chen, R. Kersting, Appl. Phys. Lett., 83 (15), 3009 (2003). DOI: 10.1063/1.1616668
- I. Nevinskas, F. Kadlec, C. Kadlec, R. Butkute, A. Krotkus, J. Phys. D: Appl. Phys., 52 (36), 365301 (2019). DOI: 10.1088/1361-6463/ab28e7
- А.В. Андрианов, А.Н. Алешин, Письма в ЖТФ, 46 (10), 51 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.10.49434.18269 [A.V. Andrianov, A.N. Aleshin, Tech. Phys. Lett., 46 (5), 510 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020050181]
- Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, А.Э. Ячменев, П.П. Мальцев, М.М. Грехов, И.Е. Иляков, Б.В. Шишкин, Р.А. Ахмеджанов, ФТП, 51 (4), 535 (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44348.8413 [D.S. Ponomarev, R.A. Khabibullin, A.E. Yachmenev, P.P. Maltsev, M.M. Grekhov, I.E. Ilyakov, B.V. Shishkin, R.A. Akhmedzhanov, Semiconductors, 51 (4), 509 (2017). DOI: 10.1134/S1063782617040170]
- I.E. Ilyakov, B.V. Shishkin, V.L. Malevich, D.S. Ponomarev, R.R. Galiev, A.Yu. Pavlov, A.E. Yachmenev, S.P. Kovalev, M. Chen, R.A. Akhmedzhanov, R.A. Khabibullin, Opt. Lett., 46 (14), 3360 (2021). DOI: 10.1364/OL.428599
- K. Maussang, A. Brewer, J. Palomo, J.-M. Manceau, R. Colombelli, I. Sagnes, J. Mangeney, J. Tignon, S.S. Dhillon, IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol., 6 (1), 20 (2016). DOI: 10.1109/TTHZ.2015.2504794
- В.Н. Трухин, А.Д. Буравлев, И.А. Мустафин, Г.Э. Цырлин, Д.И. Курицын, В.В. Румянцев, С.В. Морозов, J.P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen, ФТП, 50 (12), 1587 (2016). DOI: 10.21883/ftp.2016.12.43880.52 [V.N. Trukhin, A.D. Bouravleuv, I.A. Mustafin, G.E. Cirlin, D.I. Kuritsyn, V.V. Rumyantsev, S.V. Morosov, J.P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen, Semiconductors, 50 (12), 1561 (2016). DOI: 10.1134/S1063782616120241]
- В.И. Белинчер, С.М. Рывкин, ЖЭТФ, 81 (1), 353 (1981). [V.I. Belinicher, S.M. Ryvkin, Sov. Phys. JETP, 54 (1), 190 (1981). http//jetp.ras.ru/cgi-bin/dn/e_054_01_01_0190.pdf].
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
