Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 3 » Статья стр. 17
<<<>>>
Асимптотическая стадия роста автокаталитических III-V нитевидных нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии
DOI: 10.21883/PJTF.2022.03.51976.19049
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.02.52837.19049
РНФ, 19-72-30004
Дубровский В.Г.1, Рылькова М.В.1, Соколовский А.С.1, Соколова Ж.В.1,2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный экономический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 октября 2021 г.
В окончательной редакции: 11 октября 2021 г.
Принята к печати: 18 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 30 ноября 2021 г.
PDF версия
Впервые построена аналитическая теория автокаталитического роста III-V нитевидных нанокристаллов (ННК) методом молекулярно-пучковой эпитаксии на асимптотической стадии, когда ННК адсорбируют все атомы III группы, поступающие из газовой фазы. Найдено выражение для длины затенения, соответствующее полной блокировке потока на поверхность подложки при молекулярно-пучковой эпитаксии. Получены решения для длины и радиуса ННК в зависимости от толщины осажденного материала. Показано, что длина ННК увеличивается, а их радиус уменьшается при уменьшении расстояния между ННК и увеличении соотношения потоков V/III. Ключевые слова: III-V нитевидные нанокристаллы, эффект затенения, длина, радиус, поверхностная плотность, моделирование.
  1. A. Zhang, G. Zheng, C.M. Lieber, Nanowires: building blocks for nanoscience and nanotechnology (Springer, 2016)
  2. F. Glas, Phys. Rev. B, 74, 121302(R) (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.74.121302
  3. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, X. Zhang, R.A. Suris, Cryst. Growth Des., 10, 3949 (2010). DOI: 10.1021/cg100495b
  4. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, N.P. Korneeva, V.N. Demidov, A.O. Golubok, S.A. Masalov, D.V. Kurochkin, O.M. Gorbenko, N.I. Komyak, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, A.F. Tsatusul'nikov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, Semicond. Sci. Technol., 13, 1262 (1998). DOI: 10.1088/0268-1242/13/11/005
  5. R.S. Wagner, W.C. Ellis, Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964). DOI: 10.1063/1.1753975
  6. C. Colombo, D. Spirkoska, M. Frimmer, G. Abstreiter, A. Fontcuberta i Morral, Phys. Rev. B, 77, 155326 (2008). DOI: 10.1103/PhysRevB.77.155326
  7. S. Hertenberger, D. Rudolph, M. Bichler, J.J. Finley, G. Abstreiter, G. Koblmuller, J. Appl. Phys., 108, 114316 (2010). DOI: 10.1063/1.3525610
  8. V.G. Dubrovskii, F. Glas, in: Fundamental properties of semiconductor nanowires, ed by N. Fukata, R. Rurali (Springer, 2020), p. 3-107. DOI: 10.1007/978-981-15-9050-4_1
  9. N.V. Sibirev, M. Tchernycheva, M.A. Timofeeva, J.C. Harmand, G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, J. Appl. Phys., 111, 104317 (2012). DOI: 10.1063/1.4718434
  10. Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов, ФТП, 39 (5), 587 (2005). [G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, I.P. Soshnikov, Y.B. Samsonenko, A.A. Tonkikh, V.M. Ustinov, Semiconductors, 39 (5), 557 (2005). DOI: 10.1134/1.1923565]
  11. M.C. Plante, R.R. LaPierre, J. Appl. Phys., 105, 114304 (2009). DOI: 10.1063/1.3131676
  12. S.J. Gibson, R.R. LaPierre, Nanotechnology, 25, 415304 (2014). DOI: 10.1088/0957-4484/25/41/415304
  13. F. Oehler, A. Cattoni, A. Scaccabarozzi, J. Patriarche, F. Glas, J.C. Harmand, Nano Lett., 18, 701 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b03695
  14. V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, N.V. Sibirev, V.M. Ustinov, Phys. Status Solidi B, 241, R30 (2004). DOI: 10.1002/pssb.200409042
  15. F. Glas, Phys. Status Solidi B, 247, 254 (2010). DOI: 10.1002/pssb.200945456
  16. V.G. Dubrovskii, Nanomaterials, 11, 2378 (2021). DOI: 10.3390/nano11092378
  17. F. Glas, M.R. Ramdani, G. Patriarche, J.C. Harmand, Phys. Rev. B, 88, 195304 (2013). DOI: 10.1103/PhysRevB.88.195304
  18. J. Tersoff, Nano Lett., 15, 6609 (2015). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b02386
  19. V.G. Dubrovskii, Cryst. Growth Des., 17, 2544 (2017). DOI: 10.1021/acs.cgd.7b00076

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme