Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Асимптотическая стадия роста автокаталитических III-V нитевидных нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.02.52837.19049 
РНФ, 19-72-30004
Дубровский В.Г.1, Рылькова М.В.1, Соколовский А.С.1, Соколова Ж.В.1,2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный экономический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный экономический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 октября 2021 г.
В окончательной редакции: 11 октября 2021 г.
Принята к печати: 18 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 30 ноября 2021 г.
Впервые построена аналитическая теория автокаталитического роста III-V нитевидных нанокристаллов (ННК) методом молекулярно-пучковой эпитаксии на асимптотической стадии, когда ННК адсорбируют все атомы III группы, поступающие из газовой фазы. Найдено выражение для длины затенения, соответствующее полной блокировке потока на поверхность подложки при молекулярно-пучковой эпитаксии. Получены решения для длины и радиуса ННК в зависимости от толщины осажденного материала. Показано, что длина ННК увеличивается, а их радиус уменьшается при уменьшении расстояния между ННК и увеличении соотношения потоков V/III. Ключевые слова: III-V нитевидные нанокристаллы, эффект затенения, длина, радиус, поверхностная плотность, моделирование.
- A. Zhang, G. Zheng, C.M. Lieber, Nanowires: building blocks for nanoscience and nanotechnology (Springer, 2016)
- F. Glas, Phys. Rev. B, 74, 121302(R) (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.74.121302
- V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, X. Zhang, R.A. Suris, Cryst. Growth Des., 10, 3949 (2010). DOI: 10.1021/cg100495b
- G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, N.P. Korneeva, V.N. Demidov, A.O. Golubok, S.A. Masalov, D.V. Kurochkin, O.M. Gorbenko, N.I. Komyak, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, A.F. Tsatusul'nikov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, Semicond. Sci. Technol., 13, 1262 (1998). DOI: 10.1088/0268-1242/13/11/005
- R.S. Wagner, W.C. Ellis, Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964). DOI: 10.1063/1.1753975
- C. Colombo, D. Spirkoska, M. Frimmer, G. Abstreiter, A. Fontcuberta i Morral, Phys. Rev. B, 77, 155326 (2008). DOI: 10.1103/PhysRevB.77.155326
- S. Hertenberger, D. Rudolph, M. Bichler, J.J. Finley, G. Abstreiter, G. Koblmuller, J. Appl. Phys., 108, 114316 (2010). DOI: 10.1063/1.3525610
- V.G. Dubrovskii, F. Glas, in: Fundamental properties of semiconductor nanowires, ed by N. Fukata, R. Rurali (Springer, 2020), p. 3-107. DOI: 10.1007/978-981-15-9050-4_1
- N.V. Sibirev, M. Tchernycheva, M.A. Timofeeva, J.C. Harmand, G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, J. Appl. Phys., 111, 104317 (2012). DOI: 10.1063/1.4718434
- Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов, ФТП, 39 (5), 587 (2005). [G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, I.P. Soshnikov, Y.B. Samsonenko, A.A. Tonkikh, V.M. Ustinov, Semiconductors, 39 (5), 557 (2005). DOI: 10.1134/1.1923565]
- M.C. Plante, R.R. LaPierre, J. Appl. Phys., 105, 114304 (2009). DOI: 10.1063/1.3131676
- S.J. Gibson, R.R. LaPierre, Nanotechnology, 25, 415304 (2014). DOI: 10.1088/0957-4484/25/41/415304
- F. Oehler, A. Cattoni, A. Scaccabarozzi, J. Patriarche, F. Glas, J.C. Harmand, Nano Lett., 18, 701 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b03695
- V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, N.V. Sibirev, V.M. Ustinov, Phys. Status Solidi B, 241, R30 (2004). DOI: 10.1002/pssb.200409042
- F. Glas, Phys. Status Solidi B, 247, 254 (2010). DOI: 10.1002/pssb.200945456
- V.G. Dubrovskii, Nanomaterials, 11, 2378 (2021). DOI: 10.3390/nano11092378
- F. Glas, M.R. Ramdani, G. Patriarche, J.C. Harmand, Phys. Rev. B, 88, 195304 (2013). DOI: 10.1103/PhysRevB.88.195304
- J. Tersoff, Nano Lett., 15, 6609 (2015). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b02386
- V.G. Dubrovskii, Cryst. Growth Des., 17, 2544 (2017). DOI: 10.1021/acs.cgd.7b00076
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
