Особенности роста слоев в напряженных сверхрешетках InAs/GaSb
Левин Р.В.
1, Неведомский В.Н.
1, Сокура Л.А.
11Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru, nevedom@mail.ioffe.ru, sokuraliliy@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 4 октября 2021 г.
Принята к печати: 18 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 30 ноября 2021 г.
Представлены результаты исследования факторов, влияющих на толщину переходных слоев в напряженных сверхрешетках InAs/GaSb при их выращивании методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Показано, что толщины интерфейсных слоев между InAs и GaSb практически не зависят от температуры роста. Регистрируемое влияние на толщину интерфейсных слоев оказывает направление переключения роста слоев. Наименьшая толщина 1.2-1.4 nm интерфейсного слоя была получена для направления переключения роста с GaSb на InAs. Ключевые слова: газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, напряженная сверхрешетка, InAs/GaSb, интерфейсный слой, просвечивающая электронная микроскопия.
- C.H. Grein, P.M. Young, H. Ehrenreich, Appl. Phys. Lett., 61 (24), 2905 (1992). DOI: 10.1063/1.108480
- D.L. Smith, C. Mailhiot, J. Appl. Phys., 62 (6), 2545 (1987). DOI: 10.1063/1.339468
- M. Razeghi, B.-M. Nguyen, Rep. Prog. Phys., 77, 082401 (2014). DOI: 10.1088/0034-4885/77/8/082401
- A. Rogalski, P. Martyniuk, M. Kopytko, Appl. Phys. Rev., 4 (3), 031304 (2017). DOI: 10.1063/1.4999077
- J. Wu, Z. Xu, J. Chen, L. He, Infrared Phys. Technol., 92, 18 (2018). DOI: 10.1016/j.infrared.2018.05.004
- M.K. Hudait, M. Clavel, P.S. Goley, Y. Xie, J.J. Heremans, Y. Jiang, Z. Jiang, D. Smirnov, G.D. Sanders, C.J. Stanton, Mater. Adv., 1 (5), 1099 (2020). DOI: 10.1039/D0MA00046A
- X. Li, J. Cui, Y. Zhao, Q. Wu, Y. Teng, X. Hao, Y. Chen, J. Liu, H. Zhu, Y. Huang, Y. Yao, J. Appl. Phys., 127 (4), 045305 (2020). DOI: 10.1063/1.5115269
- G.B. Stringfellow, Organometallic vapor-phase epitaxy, 2nd ed. (Academic Press, London-N.Y., 1999), p. 260
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
