Модификация гребневых волноводов полупроводниковых лазеров фокусированным ионным пучком
Ministry of Education and Science of the Russian Federation, 0791-2020-000
Russian Foundation for Basic Research, 19-32-90219
Russian Foundation for Basic Research, 18-502-12081
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG, German Research Foundation), 389193326
Паюсов А.С.
1, Митрофанов М.И.
1,2, Корнышов Г.О.
3, Серин А.А.
1, Вознюк Г.В.
1, Кулагинa М.М.
1, Евтихиев В.П.
1, Гордеев Н.Ю.
1, Максимов М.В.
3, Breuer S.
41Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Institute of Applied Physics, Technische Universitat Darmstadt, Darmstadt, Germany
Email: plusov@mail.ioffe.ru, maxi.mitrofanov@gmail.com, supergrigoir@gmail.com, spbgate21@gmail.com, glebufa0@gmail.com, marina.kulagina@mail.ioffe.ru, evtikhiev@mail.ioffe.ru, nkt.grdv@gmail.com, maximov.mikh@gmail.com, stefan.breuer@physik.tu-darmstadt.de
Поступила в редакцию: 28 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 12 сентября 2021 г.
Принята к печати: 28 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.
Проведено исследование травления гребневых волноводов торцевых полупроводниковых лазеров на двойной гетероструктуре с раздельным ограничением фокусированным ионным пучком. Показано, что по степени влияния на лазерные параметры существует три диапазона глубин травления: травление на небольшую глубину приводит лишь к модификации характеристик волновода, увеличение глубины травления вызывает уменьшение дифференциальной эффективности без изменения порогового тока, более глубокое травление вносит дефекты в активную область и вызывает одновременное ухудшение порогового тока и дифференциальной эффективности при существенной модификации оптических характеристик лазера. Ключевые слова: фокусированный ионный пучок, полупроводниковый лазер, оптический волновод, одномодовый режим работы.
- K. Paschke, F. Bugge, G. Blume, D. Feise, G. Erbert, Opt. Lett., 40, 100 (2015). DOI: 10.1364/OL.40.000100
- H. Wenzel, A. Klehr, M. Braun, F. Bugge, G. Erbert, J. Fricke, A. Knauer, P. Ressel, B. Sumpf, M. Weyers, G. Traenkle, Proc. SPIE, 5594, 110 (2004). DOI: 10.1117/12.569039
- Н.Ю. Гордеев, А.С. Паюсов, И.С. Мухин, А.А. Серин, М.М. Кулагина, Ю.А. Гусева, Ю.М. Шерняков, Ю.М. Задиранов, М.В. Максимов, ФТП, 53, 211 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47100.8971 [N.Yu. Gordeev, A.S. Payusov, I.S. Mukhin, A.A. Serin, M.M. Kulagina, Yu.A. Guseva, Yu.M. Shernyakov, Yu.M. Zadiranov, M.V. Maximov, Semiconductors, 53, 200 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619020106]
- S. O'Brien, A. Amann, R. Fehse, S. Osborne, E.P. O'Reilly, J.M. Rondinelli, J. Opt. Soc. Am. B, 23, 1046 (2006). DOI: 10.1364/JOSAB.23.001046
- R.M. Langford, A.K. Petford-Long, M. Rommeswinkle, S. Egelkamp, Mater. Sci. Technol., 18, 743 (2002). DOI: 10.1179/026708302225003893
- P. Romagnoli, M. Maeda, J.M. Ward, V.G. Truong, S.N. Chormaic, Appl. Phys. B, 126, 111 (2020). DOI: 10.1007/s00340-020-07456-x
- G.V. Voznyuk, I.N. Grigorenko, M.I. Mitrofanov, D.N. Nikolaev, M.N. Mizerov, V.P. Evtikhiev, Semoconductors, 54, 1869 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620140316
- C.R. Musil, B.D. Patterson, H. Auderset, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 127-128, 428 (1997). DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00968-8
- M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, N.Yu. Gordeev, Yu.M. Shernyakov, A.S. Payusov, F.I. Zubov, V.N. Nevedomskiy, S.S. Rouvimov, A.E. Zhukov, Appl. Sci., 10, 1038 (2020). DOI: 10.3390/app10031038
- Н.Ю. Гордеев, И.И. Новиков, А.М. Кузнецов, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, А.Е. Жуков, А.В. Чунарева, А.С. Паюсов, Д.А. Лившиц, А.Р. Ковш, ФТП, 44, 1401 (2010). http://journals.ioffe.ru/articles/7253 [N.Yu. Gordeev, I.I. Novikov, A.M. Kuznetsov, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, A.E. Zhukov, A.V. Chunareva, A.S. Payusov, D.A. Livshits, A.R. Kovsh, Semiconductors, 44, 1357 (2010). DOI: 10.1134/S1063782610100192]
- H. Temkin, J.P. van der Ziel, R.A. Linke, R.A. Logan, Appl. Phys. Lett., 43, 723 (1983). DOI: 10.1063/1.94490
- D. Marcuse, T.-P. Lee, IEEE J. Quantum Electron., 20, 166 (1984). DOI: 10.1109/JQE.1984.1072360
- J. Rong, E. Xing, L. Wang, S. Shu, S. Tian, C. Tong, L. Wang, Appl. Phys. Express, 9, 072104 (2016). DOI: 10.7567/APEX.9.072104
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.