Вышедшие номера
Влияние параметров кристаллической подложки на максимальную мощность кремниевых гетеропереходных солнечных элементов
Панайотти И.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: panaiotti@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 13 сентября 2021 г.
Принята к печати: 14 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.

Исследовано влияние концентрации донорной примеси и времени жизни носителей заряда в кристаллической кремниевой подложке на максимальную мощность гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементов. Использованная в расчетах модель учитывает особенности генерации фототока в условиях среднего или высокого уровней инжекции носителей заряда при произвольном соотношении между диффузионной длиной и толщиной полупроводниковой пластины. Предложенная методика позволяет с достаточной для практических целей точностью вычислять допустимые пределы вариаций параметров подложки, обеспечивающие заданные значения рабочих характеристик фотоэлектрических преобразователей. Ключевые слова: гетеропереходные солнечные элементы, кристаллические кремниевые подложки, оптимальные параметры, максимальная мощность.