Вышедшие номера
Локализация носителей заряда в самоорганизованных квантовых точках InAs
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), аспиранты, 19-32-90116
Косарев А.Н.1,2, Чалдышев В.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: kosarev@mail.ioffe.ru, chald.gvg@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 7 сентября 2021 г.
Принята к печати: 8 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 3 октября 2021 г.

Рассмотрена проблема локализации электронов и дырок на примере пирамидальных квантовых точек InAs в арсениде галлия. Задача квантовой механики решена для локализующего потенциала с учетом геометрии, химического состава и встроенных полей механических напряжений и деформаций. Установлено, что наилучшая локализация носителей обоих типов достигается при отношении высоты пирамиды к ее основанию около 0.2. Ключевые слова: квантовые точки, упругие деформации, локализация носителей заряда.