Представлены результаты исследования влияния отжига при 150^oС в инертной атмосфере (Ar + 5% H₂) на электрические свойства органических полевых транзисторов на основе пентацена. Кристаллические пленки пентацена толщиной 95± 5 nm были получены с помощью вакуумного термического напыления. Исследованы передаточные и выходные характеристики полевых транзисторов до и после отжига в течение 15 h. Установлено, что в результате термической обработки дырочная подвижность в режиме насыщения увеличилась в среднем на 30%, а пороговое напряжение уменьшилось приблизительно в 2 раза. По данным атомно-силовой микроскопии отжиг привел к снижению шероховатости поверхности пленок пентацена более чем в 2 раза, а также к заметному укрупнению зерен, что и привело к уменьшению концентрации ловушек для дырочного электротранспорта в канале полевого транзистора. Ключевые слова: пентацен, вакуумное термическое напыление, кристаллические пленки, органические полевые транзисторы, дырочная подвижность, отжиг в инертной атмосфере.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.