Для коллоидных квантово-размерных частиц (QP) узкозонных полупроводников в отличие от квантовых точек широкозонного CdSe имела место аномальная температурная зависимость фотолюминесценции в QP-PbS, а в планарной микроструктуре QP-InSb наблюдались длинноволновые излучение (более 3 μm) и фотопроводимость (более 20 μm). При определенных условиях интенсивность излучения и сигнал фотопроводимости имеют резонансный максимум. Эффекты объяснены в модели одномерного квантового осциллятора, энергия которого существенно зависит от эффективной массы его квазисвободного электрона. Это приводит к конкуренции проявлений длинноволнового излучения и фотолюминесценции и в связи с этим к аномальной температурной зависимости фотолюминесценции. Предполагается, что QP-InSb в планарной микроструктуре могут быть источниками и приемниками терагерцевого излучения, свойства которых зависят от кристаллической структуры квантово-размерных частиц, определяемой параметрами их синтеза. Ключевые слова: квантово-размерная частица, квантовая точка, узкозонный полупроводник, эффективная масса, зона Бриллюэна, размерное квантование, квантовый осциллятор, фотолюминесценция, длинноволновое излучение.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.