Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2021, выпуск 22 » Статья стр. 3
>>>
Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров cпектрального диапазона 1.55 μm с заращенным туннельным переходом
DOI: 10.21883/PJTF.2021.22.51717.18942
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.14.55117.18942
Блохин С.А. 1, Бобров М.А. 1, Блохин А.А. 1, Малеев Н.А. 1, Кузьменков А.Г. 2, Васильев А.П. 2, Рочас С.С. 3, Бабичев А.В. 3, Новиков И.И. 3, Карачинский Л.Я. 3, Гладышев А.Г. 4, Денисов Д.В. 5, Воропаев К.O.6, Егоров А.Ю. 4, Устинов В.М. 2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия
Email: blokh@mail.iioffe.ru, bobrov.mikh@gmail.com, bloalex91@yandex.ru, Maleev@beam.ioffe.ru, kuzmenkov@mail.ioffe.ru, vasiljev@mail.ioffe.ru, stanislav_rochas@itmo.ru, a.babichev@mail.ioffe.ru, Innokenty.Novikov@connector-optics.com, leonid.karachinsky@connector-optics.com, andrey.gladyshev@connector-optics.com, dmitry.denisov@connector-optics.com, voropaevko@okbplaneta.ru, anton@beam.ioffe.ru, vmust@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 19 июля 2021 г.
Принята к печати: 20 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 17 сентября 2021 г.
PDF версия
Исследовано влияние латерального оптического ограничения на статические и спектральные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 μm с заращенным туннельным переходом (ЗТП) n++-InGaAs/p++-InGaAs/p++-InAlGaAs, реализованных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин. Обнаружено, что в реализованных лазерах из-за относительно слабого оптического ограничения в латеральном направлении одномодовый режим генерации поддерживается при размерах мезы ЗТП вплоть до 8 μm, однако при размерах мезы ЗТП менее 7 μm возникает эффект насыщающегося поглотителя. Рост оптического ограничения за счет увеличения глубины травления туннельного перехода ведет к подавлению эффекта насыщающегося поглотителя при размерах мезы ЗТП 5-6 μm, но одновременно ограничивает максимальную оптическую мощность в одномодовом режиме лазерной генерации. По результатам анализа увеличение спектрального рассогласования максимума спектра усиления активной области и резонансной длины волны лазера до уровня ~ 35-50 nm позволит подавить нежелательный эффект насыщающегося поглотителя в широком диапазоне размеров мез ЗТП при сохранении одномодового режима генерации. Ключевые слова: вертикально-излучающий лазер, спекание пластин, молекулярно-пучковая эпитаксия, одномодовый режим, насыщающийся поглотитель.
  1. A. Caliman, A. Mereuta, G. Suruceanu, V. Iakovlev, A. Sirbu, E. Kapon, Opt. Express, 19 (18), 16996 (2011). DOI: 10.1364/OE.19.016996
  2. D. Ellafi, V. Iakovlev, A. Sirbu, G. Suruceanu, Z. Mickovic, A. Caliman, A. Mereuta, E. Kapon, IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron., 21 (6), 414 (2015). DOI: 10.1109/jstqe.2015.2412495
  3. A.V. Babichev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A.G. Gladyshev, S.A. Blokhin, S. Mikhailov, V. Iakovlev, A. Sirbu, G. Stepniak, L. Chorchos, J.P. Turkiewicz, K.O. Voropaev, A.S. Ionov, M. Agustin, N.N. Ledentsov, A.Yu. Egorov, IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron., 53 (6), 2400808 (2017). DOI: 10.1109/JQE.2017.2752700
  4. C. Lauer, M. Ortsiefer, R. Shau, J. Rosskopf, G. Bohm, R. Meyer, M.C. Amann, Phys. Status Solidi C, 1 (8), 2183 (2004). DOI: 10.1002/pssc.200404770
  5. M. Muller, W. Hofmann, T. Grundl, M. Horn, P. Wolf, R.D. Nagel, E. Ronneberg, G. Bohm, D. Bimberg, M.-C. Amann, IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron., 17 (5), 1158 (2011). DOI: 10.1109/JSTQE.2011.2109700
  6. T. Grundl, P. Debernardi, M. Muller, C. Grasse, P. Ebert, K. Geiger, M. Ortsiefer, G. Bohm, R. Meyer, M.-C. Amann, IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron., 19 (4), 1700913 (2013). DOI: 10.1109/JSTQE.2013.2244572
  7. M. Ortsiefer, R. Shau, G. Bohm, F. Kohler, M.C. Amann, Appl. Phys. Lett., 76 (16), 2179 (2000). DOI: 10.1049/el:20020819
  8. D. Keiper, R. Westphalen, G. Landgren, J. Cryst. Growth, 197 (1-2), 25 (1999). DOI: 10.1016/S0022-0248(98)00903-8
  9. N. Volet, T. Czyszanowski, J. Walczak, L. Mutter, B. Dwir, Z. Mickovic, P. Gallo, A. Caliman, A. Sirbu, A. Mereuta, V. Iakovlev, E. Kapon, Opt. Express, 21 (22), 26983 (2013). DOI: 10.1364/OE.21.026983
  10. С.А. Блохин, М.А. Бобров, Н.А. Малеев, А.А. Блохин, А.Г. Кузьменков, А.П. Васильев, С.С. Рочас, А.Г. Гладышев, А.В. Бабичев, И.И. Новиков, Л.Я. Карачинский, Д.В. Денисов, К.O. Воропаев, А.С. Ионов, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, Письма в ЖТФ, 46 (17), 21 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.17.49888.18393 [S.A. Blokhin, M.A. Bobrov, N.A. Maleev, A.A. Blokhin, A.G. Kuz'menkov, A.P. Vasil'ev, S.S. Rochas, A.G. Gladyshev, A.V. Babichev, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, D.V. Denisov, K.O. Voropaev, A.S. Ionov, A.Yu. Egorov, V.M. Ustinov, Tech. Phys. Lett., 46 (9), 854 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020090023]
  11. S.A. Blokhin, A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A.A. Blokhin, S.S. Rochas, D.V. Denisov, K.O. Voropaev, A.S. Ionov, A.Yu. Egorov, Electron. Lett. (First published: 3 June 2021). DOI: 10.1049/ell2.12232
  12. С.А. Блохин, В.Н. Неведомский, М.А. Бобров, Н.А. Малеев, А.А. Блохин, А.Г. Кузьменков, А.П. Васильев, С.С. Рочас, А.В. Бабичев, А.Г. Гладышев, И.И. Новиков, Л.Я. Карачинский, Д.В. Денисов, К.O. Воропаев, А.С. Ионов, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, ФТП, 54 (10), 1088 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49947.9463 [S.A. Blokhin, S.N. Nevedomsky, M.A. Bobrov, N.A. Maleev, A.A. Blokhin, A.G. Kuzmenkov, A.P. Vasyl'ev, S.S. Rohas, A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, D.V. Denisov, K.O. Voropaev, A.S. Ionov, A.Yu. Egorov, V.M. Ustinov, Semiconductors, 54 (10), 1276 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620100048]
  13. K.O. Voropaev, B.I. Seleznev, A.Yu. Prokhorov, A.S. Ionov, S.A. Blokhin, J. Phys.: Conf. Ser., 1658, 12069 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1658/1/012069
  14. G.R. Hadley, Opt. Lett., 20 (13), 1483 (1995). DOI: 10.1364/OL.20.001483
  15. G.P. Agrawal, Fiber-optic communication systems (Wiley, N.Y., 2010)
  16. R. Michalzik, VCSELs: fundamentals, technology and applications of vertical-cavity surface-emitting lasers (Springer-Verlag, Berlin, 2013). DOI: 10.1007/978-3-642-24986-0
  17. D.G. Deppe, J. Leshin, J. Leshin, L. Eifert, F. Tucker, T. Hillyer, Electron. Lett., 53 (24), 1598 (2017). DOI: 10.1049/el.2017.2780
  18. С.А. Блохин, М.А. Бобров, А.А. Блохин, А.П. Васильев, А.Г. Кузьменков, Н.А. Малеев, С.С. Рочас, А.Г. Гладышев, А.В. Бабичев, И.И. Новиков, Л.Я. Карачинский, Д.В. Денисов, К.O. Воропаев, А.С. Ионов, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, Письма в ЖТФ, 46 (24), 49 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.24.50430.18522 [S.A. Blokhin, M.A. Bobrov, A.A. Blokhin, A.P. Vasil'ev, A.G. Kuz'menkov, N.A. Maleev, S.S. Rochas, A.G. Gladyshev, A.V. Babichev, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, D.V. Denisov, K.O. Voropaev, A.S. Ionov, A.Yu. Egorov, V.M. Ustinov, Tech. Phys. Lett., 46 (12), 1257 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020120172].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme